8. Пластины ферритовые - измерение электрических параметров на специальном стенде.
9. Предохранители керамические - измерение электрических параметров.
10. Резисторы постоянные и переменные - измерение электрических параметров.
11. Радиолампы и кинескопы - проверка межэлектродной емкости и напряжений.
12. Резисторы постоянные непроволочные - проверка шумомером ЭДС шумов.
13. Стержни антенн - проверка на приборах добротности и электрической емкости.
14. Секции и собранные конденсаторы: бумажные, слюдяные, стеклокерамические, пленочные - измерение емкости с рассортировкой по классам точности на приборах.
15. Сердечники - измерение магнитных параметров, измерение добротности на омметре и индуктивности на ИЕЕВ или мосте УМ-3; проверка удельного сопротивления и напряженности среднего поля на приборе.
16. Селеновые элементы серий "А", "Я", "Ф", "Г" всех размеров - измерение прямого и обратного тока.
17. Трансформаторы - проверка коэффициента трансформации, асимметрии обмоток, тока холостого хода, сопротивления обмоток и изоляции.
18. Тороиды - измерение на омметре электрических параметров.
§ 18. Измеритель электрофизических параметров изделий электронной техники
3-й разряд
Характеристика работ. Измерение емкости, тангенса угла диэлектрических потерь, тока утечки, величины омического сопротивления и других электрических параметров собранных радиодеталей и ферритовых изделий на контрольно-измерительных приборах. Определение электрических параметров по нескольким шкалам прибора или по двум и более приборам. Измерение емкостных, обратных токов рабочих и оптимальных напряжений полупроводниковых детекторов. Определение толщины полупроводниковых, диэлектрических, эпитаксиальных слоев методом сферического шлифа, бесконтактным методом, контактным и разрушающим методами. Определение типов проводимости, измерение вольтфарадных характеристик и сопротивлений МДП и ЦДЛ-структур, измерение интенсивности электролюминесценции и величин термо ЭДС полупроводниковых материалов. Измерение электрических параметров селеновых элементов и выпрямителей. Испытание электрической прочности и сопротивления изоляции. Проверка отсортированных селеновых элементов на контрольно-проверочном стенде и купроксных выпрямительных элементов на ручном прессе и пульте. Пооперационный контроль незалитых микромодулей в соответствии с чертежами и ТУ, контроль качества маркировки, проверка токопроводящих линий на электропрочность и величину сопротивления. Проверка микромодулей по картам сопротивлений и напряжений. Подготовка образцов к измерению, изготовление сферических шлифов. Травление и декапирование образцов в кислотах и травителях. Настройка приборов на измерение необходимых значений электрических и электрофизических параметров. Определение отношений тангенса угла общих потерь к начальной магнитной проницаемости. Элементарные расчеты по формулам.
Должен знать: устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов; методику измерения электрических, электрофизических и электромагнитных параметров изделий электронной техники; свойства кислот и травителей; правила травления, декапирования и промывки; методы измерения толщины и типов проводимости; принципиальные схемы проверки вольт-амперных характеристик и пробивных напряжений; степень точности, пределы измерений и цену делений шкал электроизмерительных приборов; основные теоретические положения электрои радиотехники.
Примеры работ
1. Выпрямители селеновые из элементов серий "А", "Г","Я", "Ф" всех размеров - измерение электропараметров.
2. Двуокись кремния на кремниевой подложке - измерение плотности сквозных дефектов слоя электрохимическим методом под микроскопом при увеличении в 25-50 раз.
3. Изделия ферритовые, изделия типа ТРН-200 - измерение электрических параметров.
4. Конденсаторы - измерение электрических параметров.
5. Кольца ферритовые, альсиферовые и карбонильные - измерение электрических и электромагнитных параметров.
6. Микротрансформаторы ММТИ - измерение коэффициента трансформации, электрической прочности и сопротивления изоляции, тока намагничивания, индуктивности рассеивания, емкости между обмотками, длительности переднего и заднего фронтов, сигналов, помех.
7. Многослойные печатные платы - разметка топологии, замеры переходного сопротивления в отверстиях.
8. Пластины, слитки полупроводниковых материалов, слои - определение типа проводимости; определение угла отклонения от заданного кристаллографического направления оптическим методом.
9. Пластины с кристаллами микросхем малой степени интеграции - проверка статических параметров.
10. Пластины полупроводниковые - определение толщины эпитаксиальных структур методом шарового шлифа.
11. Платы электронных часов - проверка тока потребления, генерации и диапазона перестройки кварцевого генератора.
12. Резисторы - измерение и подгонка сопротивлений; измерение величины омического сопротивления в условиях серийного и массового производства с точностью до +/- 5%.
13. Секции металлобумажные, пленочные - измерение электрических параметров.
14. Секции оксидных конденсаторов - измерение емкости на специальной установке.
15. Селеновые элементы серий "А", "Я", "Ф", "Г" всех размеров - измерение всех электропараметров.
16. Слои диэлектрические, поликристаллические, эпитаксиальные - измерение толщины по таблицам цветности, на инфракрасных спектрофотометрах, измерение толщины на поляризационном микроскопе в проходящем ИК-свете по электрооптическому эффекту в арсениде галлия.
17. Стержни ферритовые - измерение угла поворота плоскости поляризации в заданном диапазоне.
18. Схемы интегральные - измерение электрофизических параметров, диффузионных и напылительных процессов для ИС III степени интеграции.
19. Трансформаторы и дроссели - измерение электрических параметров.
20. Ферриты кольцевые марганец-цинковые - измерение емкости, тангенса угла диэлектрических потерь.
§ 19. Измеритель электрофизических параметров изделий электронной техники
4-й разряд
Характеристика работ. Измерение температурной стабильности, температурного коэффициента и других электрических параметров радиодеталей. Измерение электрических параметров конденсаторов на электропрочность между выводами, сопротивления изоляции между выводами, на классы точности по емкости измеряемых конденсаторов. Измерение электрических и электромагнитных параметров матриц и дешифраторов. Измерение удельных сопротивлений полупроводниковых материалов, эпитаксиальных структур и поверхностного сопротивления поликристаллических слоев 4-зондовым методом. Определение скорости травления диэлектрических слоев, типа проводимости структур, зависимости емкостей и удельных сопротивлений от температуры. Определение плотности дислокации структурных дефектов на металлографических микросхемах и однородности распределения плотности по эталонам. Контроль статических параметров, контроль тестов на функционирование микросхем со степенью интеграции менее 100 эл/кв.мм. Проверка всех схем микромодулей по картам сопротивлений, напряжений и электрических параметров в нормальных условиях и при крайних значениях температур в камерах тепла и холода на соответствие требованиям ТУ. Запитка напряжением различных микромодулей, установленных на стендах. Проверка по электрическим параметрам и электрической прочности блоков селеновых выпрямителей, измерение селеновых элементов по электрическим параметрам для модуляторов и изделий специального назначения. Вычисление электрических параметров по формулам и измерение их на приборах. Подготовка и настройка установок, стендов и приборов к работе с последующей настройкой по эталонным пластинам. Проверка правильности показаний приборов и регулировка приборов в процессе работы.
Должен знать: устройство, принципиальные схемы, принцип действия и способы проверки на точность обслуживаемого оборудования и приборов; устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов; электрические характеристики измеряемых изделий; способы настройки, регулировки и устранения мелких неисправностей приборов и автоматов; методы расчетов температурного коэффициента емкости; методы расчетов измерения емкости после воздействия влаги, нагрузки, холода; основы теории электротехники и радиотехники; назначение полупроводниковых материалов и эпитаксиальных структур и их свойства; методы расчета величины тока смещения.
Примеры работ
1. Блоки питания ЭКВМ - проверка по всем параметрам.
2. Диски пьезокерамические - измерение и расчет пьезомодуля Д31 емкости и тангенса угла диэлектрических потерь.
3. Изделия из ферритов - измерение импульсных температурных характеристик; измерение магнитной проницаемости на массовых схемах.
4. Конденсаторы и резисторы - измерение температурных коэффициентов, измерение минимальной и максимальной емкости, измерение и вычисление измерения емкости после воздействия влаги, нагрузки и холода.
5. Матрицы - измерение по электромагнитным параметрам с плотностью от 100 до 200 чисел на 1 кв.м с шагом 1-1,5 мм.
6. Монокристаллический кремний и германий - измерение удельного сопротивления 4-зондовым методом; определение плотности дислокации; изготовление омических контактов для измерения времени жизни методом модуляции проводимости в точечном контакте.
7. МПП с количеством точек до 3000 - проверка схемы на установке УКП.
8. Пластины памяти и пластины дешифраторов для кубов памяти - измерение электромагнитных параметров; нанесение микрообмотки на матрицы и дешифраторы; нанесение флюсов на выводы пластин; расчет длительности импульса и его амплитуды по показателям осциллографа.
9. Пластины, квадраты, кольца - измерение и расчет электрических параметров.