дополнить пунктом 168.1 следующего содержания:
"168.1) трехмерная интегральная схема - набор интегрированных полупроводниковых кристаллов, имеющих межслойные переходные отверстия, полностью проходящие как минимум через один кристалл, для создания соединения между кристаллами (категория 3);";
в пункте 174 слово "измерение" заменить словом "изменение";
пункт 188 исключить.