Для фоточувствительных приборов, работа которых зависит от световых лучей (фотодиоды и т.д.), см. пункт (Б).
Описанные выше приборы входят в данную товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными, то есть с их электродами, выводами или соединительными проводниками, или в корпусе (компоненты), несобранными (элементы) или даже в виде не разрезанных на кристаллы шайб (пластины). Однако природные полупроводниковые материалы (например, галенит) включаются в данную товарную позицию, лишь когда они собраны.
В данную товарную позицию также не включаются химические элементы группы 28 (например, кремний и селен), легированные для использования в электронике в виде шайб, пластин или в аналогичных формах, независимо от того, полированы они или нет, покрыты однородным эпитаксиальным слоем или нет, при условии, что они не были селективно легированы или легированы методом диффузии для образования участков с различной проводимостью.
(Б) Фоточувствительные полупроводниковые приборы
К этой категории относятся фоточувствительные полупроводниковые приборы, в которых воздействие видимых лучей, инфракрасных или ультрафиолетовых лучей вызывает изменения в удельном сопротивлении или генерирует электродвижущую силу посредством внутреннего фотоэффекта.
Фотоэмиссионные трубки (фотоэлементы), работа которых основана на внешнем фотоэффекте (фотоэмиссии), относятся к товарной позиции 8540.
Главными типами фоточувствительных полупроводниковых приборов являются:
(1) Фоторезисторы (светочувствительные резисторы), обычно состоящие из двух электродов, между которыми находится полупроводниковый материал (сульфид кадмия, сульфид свинца и т.д.), электрическое сопротивление которого изменяется от интенсивности излучения, падающего на элемент.
Эти элементы используются в детекторах пламени, в экспонометрах для автоматических камер, для подсчета перемещающихся объектов, для автоматических прецизионных измерительных устройств, в системах автоматического открывания дверей и т.д.
(2) Фотогальванические элементы, которые превращают свет непосредственно в электрическую энергию без необходимости во внешнем источнике тока. Фотогальванические элементы на основе селена используются главным образом в люксметрах и экспонометрах. Фотогальванические элементы на основе кремния имеют более высокий квантовый выход и используются, в частности, в управляющем и регулирующем оборудовании, для обнаружения световых импульсов, в волоконно-оптических линиях связи и т.д.
Специальными категориями фотогальванических элементов являются:
(i) Солнечные элементы, кремниевые фотогальванические элементы, которые превращают солнечный свет непосредственно в электрическую энергию. Они обычно используются в виде солнечных батарей в качестве источников электрической энергии, например, в ракетах или спутниках, используемых при исследовании космоса, для передатчиков, применяемых для спасения потерпевших в горах.
В данную товарную позицию также включаются солнечные элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели. Однако в данную товарную позицию не включаются панели или модули, снабженные элементами, хотя и простыми (например, диодами для регулирования направления тока), которые подают энергию непосредственно, например, на двигатель, электролизер (товарная позиция 8501).
(ii) Фотодиоды (германиевые, кремниевые и т.д.), характеризуемые изменением электрического сопротивления при падении световых лучей на p-n-переход. Они используются в автоматической обработке информации (считывание, запоминание информации), в качестве фотокатодов в некоторых электронных трубках, в радиационных пирометрах и т.д. Фототранзисторы и фототиристоры принадлежат к этой категории фотоприемников.
Приборы этой категории отличаются, будучи собранными, от диодов, транзисторов и тиристоров вышеприведенного пункта (А) своим корпусом, который является частично прозрачным для обеспечения возможности прохождения света.
(iii) Оптроны и фотореле, состоящие из электролюминесцентных диодов в сочетании с фотодиодами, фототранзисторами или фототиристорами.
Фоточувствительные полупроводниковые приборы включаются в данную товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными (например, с их электродами-выводами или соединительными проводниками), в корпусе или несобранными.
(В) Светоизлучающие диоды
Светоизлучающие диоды или электролюминесцентные диоды (на основе, inter alia, арсенида галлия или фосфида галлия) являются устройствами, которые преобразуют электрическую энергию в видимое, инфракрасное или ультрафиолетовое излучение. Они используются, например, для отображения или передачи информации в системах управления.
Лазерные диоды излучают луч когерентного света и используются, например, при обнаружении ядерных частиц, в оборудовании для измерения высоты или для телеметрии, в системах связи, использующих волоконную оптику.
(Г) Пьезоэлектрические кристаллы в сборе
К ним относятся в основном кристаллы титаната бария (включая поликристаллические поляризованные элементы титаната бария), кристаллы титанатацирконата свинца или другие кристаллы товарной позиции 3824 (см. соответствующие пояснения), или кристаллы кварца или турмалина. Они используются в микрофонах, громкоговорителях, ультразвуковой аппаратуре, колебательных контурах стабилизированной частоты и т.д. Они относятся к данной товарной позиции только в случае, если они в сборе. Они обычно выполняются в виде пластин, прутков, дисков, колец и т.д. и должны, по меньшей мере, снабжаться электродами или электрическими соединениями. Они могут быть покрыты графитом, лаком и т.д. или смонтированы на опорах, и они часто находятся внутри баллона (например, металлического короба, стеклянной колбы). Если, однако, из-за добавки других компонентов законченное изделие (сборка плюс кристалл) не может больше рассматриваться просто как собранный кристалл и идентифицируется как специфическая часть машины или оборудования, то такая сборка классифицируется как часть машины или рассматриваемого оборудования: например, пьезоэлектрические элементы для микрофонов или громкоговорителей (товарная позиция 8518), звукоснимателей (товарная позиция 8522), элементы датчика (чувствительные элементы) ультразвуковых приборов для измерения толщины или обнаружения дефектов (обычно классифицируются в соответствии с примечанием 2б к группе 90 или в товарной позиции 9033 в зависимости от конкретного случая), кварцевые резонаторы для электронных часов (товарная позиция 9114).
В данную товарную позицию также не включаются несобранные пьезоэлектрические кристаллы (в основном товарная позиция 3824, 7103 или 7104).
Части
При условии соблюдения общих положений, относящихся к классификации частей (см. общие положения к разделу XVI), части товаров данной товарной позиции включаются в данную товарную позицию.
Пояснение к субпозиции.
Субпозиция 8541 21
Мощность рассеивания транзистора измеряется при приложении рабочего напряжения к прибору и измерении мощности рассеивания при температуре корпуса до 25 °C. Например, если транзистор способен выдерживать длительный ток нагрузки в 0,2 А при рабочем напряжении в 5 В, при поддержании температуры корпуса 25 °C, его мощность рассеивания составит 1 Вт (ток (в амперах) х напряжение (в вольтах) = мощность (в ваттах)).
Для транзисторов с элементом для отвода тепла (например, лепестком, металлическим корпусом) опорной температурой в 25 °C будет температура днища или корпуса, в то время как для других транзисторов (например, с простым пластмассовым корпусом) применима комнатная температура.
| 8542 | Схемы электронные интегральные: | |
| - схемы электронные интегральные: | ||
| 854231 | - - процессоры и контроллеры, объединенные или не объединенные с запоминающими устройствами, преобразователями, логическими схемами, усилителями, синхронизаторами или другими схемами | |
| 8542 32 | - - запоминающие устройства | |
| 8542 33 | - - усилители | |
| 8542 39 | - - прочие | |
| 8542 90 | - части | |
Изделия данной товарной позиции определены в примечании 8б к данной группе.
Электронные интегральные схемы являются устройствами, имеющими высокую плотность пассивных и активных элементов или компонентов, которые рассматриваются как отдельные блоки. (В отношении элементов или компонентов, рассматриваемых как "пассивные" или "активные", см. пояснения к товарной позиции 8534, первый абзац.) Однако электронные схемы, содержащие лишь пассивные элементы, не включаются в данную товарную позицию.
В отличие от электронных интегральных схем, дискретные компоненты могут иметь единственную активную электрическую функцию (полупроводниковые приборы, определенные примечанием 8а к группе 85) или единственную пассивную электрическую функцию (резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.). Дискретные компоненты являются неразъемными и представляют собой основные электронные структурные компоненты в системе.
Однако компоненты, состоящие из нескольких электрических схемных элементов и имеющие множество электрических функций, такие как интегральные схемы, не считаются дискретными компонентами.
Электронные интегральные схемы включают запоминающие устройства (например, ДОЗУ, СОЗУ, ППЗУ, СППЗУ, ЭСППЗУ), микроконтроллеры, управляющие схемы, логические схемы, вентильные матрицы, интерфейсные схемы и т.д.
Электронные интегральные схемы включают:
(I) Монолитные интегральные схемы.
Они являются микросхемами, в которых схемные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.) образованы в массе (главным образом) и на поверхности полупроводникового материала (например, легированного кремния) и поэтому неразъемно связаны. Монолитные интегральные схемы могут быть цифровыми, линейными (аналоговыми) или аналого-цифровыми.
Монолитные интегральные схемы могут быть представлены как:
(i) собранные, то есть с их выводами или соединительными проводниками, помещенными или не помещенными в керамику, металл или пластмассу. Корпуса могут быть цилиндрическими, в форме параллелепипедов и т.д.;
(ii) несобранные, то есть как кристаллы, как правило, прямоугольной формы со сторонами, имеющими размер обычно в несколько миллиметров;
(iii) в виде неразрезанных пластин (то есть в виде не разрезанных на кристаллы).
Монолитные интегральные схемы включают:
(i) структуры металл-оксид-полупроводник (МОП-технология);
(ii) схемы, полученные по биполярной технологии;
(iii) схемы, полученные комбинацией биполярной и МОП-технологии (БИМОП-технология).
Технология металл-оксид-полупроводник (МОП), особенно комплементарный металл-оксид-полупроводник (КМОП), и биполярная технология - "основные" технологии, применяемые в процессе изготовления транзисторов. Как основные компоненты монолитных интегральных схем, эти транзисторы придают интегральным схемам их индивидуальность. Биполярные схемы предпочтительны для систем, где требуется добиться максимальной логической скорости. С другой стороны, МОП-схемы предпочтительны для систем, в которых требуется высокая плотность элементов и низкое энергопотребление. Кроме того, КМОП-схемы обладают наименьшими требованиями по энергопотреблению. Таким образом, они предпочтительны для областей применения, где ограничены возможности источника питания или где ожидаются проблемы с охлаждением. Дополнительные отношения между биполярной и МОП-технологиями еще более выявляются в БИМОП-технологии, которая объединяет скорость биполярных схем с высокой интеграцией и низким энергопотреблением КМОП-схем.
(II) Гибридные интегральные схемы.
Они являются микросхемами, образованными на изолирующей подложке, на которой была образована тонко- или толстопленочная схема. Этот процесс дает возможность получить одновременно некоторые пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.). Однако чтобы стать гибридной интегральной схемой данной товарной позиции, полупроводники должны быть встроены и установлены на поверхности или в виде кристаллов независимо от того, есть у них корпус или нет, или как помещенные в корпус полупроводники (например, специально спроектированные миниатюрные корпуса). Гибридные интегральные схемы могут также содержать произведенные отдельно пассивные элементы, которые встроены в основную пленочную схему таким же образом, как и полупроводники. Обычно эти пассивные элементы составляют такие компоненты, как конденсаторы, резисторы или индуктивности в виде кристаллов.
Подложки, образованные из нескольких слоев, обычно керамических, термосвязанных вместе для образования компактной сборки, должны рассматриваться в качестве единой подложки в пределах значения примечания 8б(ii) к данной группе.