СОН - способ остаточной намагниченности;
СПП - способ приложенного поля;
ТМС - техническое моющее средство;
ТУ - технические условия;
УФ - ультрафиолетовый.
4.2 В настоящем стандарте применены следующие условные обозначения видов и способов намагничивания и вида намагничивающего тока:
Ц - циркулярное намагничивание;
ЦО - циркулярное намагничивание путем пропускания электрического тока по объекту;
ЦП - циркулярное намагничивание путем пропускания электрического тока по вспомогательному центральному проводнику;
ЦЭ - циркулярное намагничивание путем пропускания тока по участку детали с применением ручных электроконтактов;
ЦТ - циркулярное намагничивание с применением тороидальной обмотки;
ЦИ - циркулярное индукционное намагничивание;
П - полюсное намагничивание;
ПС - полюсное намагничивание с применением соленоида;
ПЭ - полюсное намагничивание с применением электромагнита;
ПМ - полюсное намагничивание с применением постоянного магнита;
МК - намагничивание с помощью магнитного контакта;
ВП - намагничивание во вращающемся магнитном поле;
К - комбинированное намагничивание;
ПТ - постоянный ток;
ПР - переменный ток;
ВО - выпрямленный однополупериодный ток;
ВД - выпрямленный двухполупериодный ток;
ВТ - выпрямленный трехфазный ток;
И - импульсный ток;
ТП - прерывистый ток (ток-пауза).
5 Технические возможности магнитопорошкового контроля
5.1 Магнитопорошковый метод неразрушающего контроля основан на притяжении магнитных частиц силами неоднородных магнитных полей, образующихся над дефектами в намагниченных объектах, с образованием в зонах дефектов индикаторных рисунков в виде скоплений магнитных частиц. Наличие и протяженность индикаторных рисунков регистрируют визуально, с помощью оптических приборов или автоматическими устройствами обнаружения и обработки изображений.
5.2 Объектами МПК являются разнообразные полуфабрикаты, детали, узлы, элементы конструкций и изделий, сварные, клепаные и болтовые соединения, в том числе с защитными или защитно-декоративными покрытиями, включая объекты, находящиеся в конструкции летательных аппаратов, механизмов, машин, оборудования, средств транспорта и другой техники.
5.3 Магнитопорошковый метод позволяет обнаруживать поверхностные и подповерхностные дефекты типа нарушений сплошности материала: трещины различного происхождения (шлифовочные, ковочные, штамповочные, закалочные, усталостные, деформационные, травильные и др.), флокены, закаты, надрывы, волосовины, расслоения, дефекты сварных соединений (трещины, непровары, шлаковые, флюсовые и окисные включения, подрезы) и др.
Необходимым условием применения МПК для выявления дефектов является наличие доступа к объекту контроля для намагничивания, обработки индикаторными материалами, осмотра и оценки результатов контроля.
5.4 Магнитопорошковый метод позволяет обнаруживать при соответствующих условиях визуально невидимые и слабо видимые поверхностные дефекты со следующими минимальными размерами: раскрытием 0,001 мм; глубиной 0,01 мм; протяженностью 0,5 мм, а также более крупные.
5.5 Результаты контроля объектов магнитопорошковым методом зависят от следующих факторов:
- магнитных характеристик материала объектов;
- формы и размеров объектов контроля;
- вида, местоположения и ориентации отыскиваемых дефектов;
- степени доступности зон контроля, особенно в случае контроля объектов, установленных в конструкции изделия;
- шероховатости поверхности;
- наличия и уровня поверхностного упрочнения;
- толщины немагнитных покрытий;
- напряженности магнитного поля и его распределения по поверхности объекта контроля;
- угла между направлением намагничивающего поля и плоскостями выявляемых дефектов;
- свойств магнитного индикатора;
- способа его нанесения на объект контроля;
- интенсивности магнитной коагуляции порошка в процессе выявления дефектов;
- способа и условий регистрации индикаторных рисунков выявляемых дефектов.
Указанные факторы учитывают при разработке технологий МПК объектов.
5.6 Магнитопорошковый метод может быть использован для контроля объектов с немагнитным покрытием (слоем краски, лака, хрома, меди, кадмия, цинка и др.). Объекты с немагнитными покрытиями суммарной толщиной до 40-50 мкм могут быть проконтролированы без существенного уменьшения выявляемости дефектов.
5.7 При МПК возможно снижение выявляемости дефектов:
- плоскости которых составляют угол менее 30° с контролируемой поверхностью или с направлением магнитного потока;