Постановление Правительства РФ от 8 ноября 2001 г. N 779 "Об утверждении федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002 - 2006 годы" стр. 12

Головные исполнители обеспечивают в соответствии с государственным контрактом выполнение технологических проектов, необходимых для реализации программных мероприятий, организуют на контрактно-конкурсной основе необходимую кооперацию соисполнителей.
Разработанные в ходе реализации Программы технологии могут быть переданы исполнителям инвестиционных проектов и программ коммерческого характера в счет вклада государства при формировании общего инвестиционного пакета конкретного проекта.
Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации совместно с другими государственными заказчиками ежегодно в установленный срок представляет доклады о ходе работ по Программе и эффективности использования бюджетных средств в Министерство экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерство финансов Российской Федерации.

6. Оценка эффективности реализации Программы

Экономическая эффективность реализации Программы (без учета подпрограммы) характеризуется следующими показателями:
налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 36161 млн. рублей;
чистый дисконтированный доход - 2421,1 млн. рублей;
бюджетный эффект - 26184,9 млн. рублей;
индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям - 3,62;
индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистому доходу предприятий - 1,14;
удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) - 0,57;
срок окупаемости инвестиций из всех источников финансирования - 4 года;
срок окупаемости средств федерального бюджета - 1 год;
внутренняя норма доходности инвестиций - 0,42 (при норме дисконтирования 0,2);
уровень безубыточности - 0,73.

Сопоставление показателей эффективности федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002 - 2006 годы и затрат (по годам)

(млн. рублей)
┌──────────────────┬────────┬───────┬────────┬────────┬────────┬────────┐
│ │ │ │ │ │ │ 2002 - │
│ Наименование │2002 год│ 2003 │2004 год│2005 год│2006 год│ 2006 │
│ показателя │ │ год │ │ │ │ годы - │
│ │ │ │ │ │ │ всего │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Размер инвестиций│ │ │ │ │ │ │
│из всех источников│ │ │ │ │ │ │
│финансирования (в│ │ │ │ │ │ │
│ценах │ │ │ │ │ │ │
│соответствующих │ │ │ │ │ │ │
│лет) │ 2307,3 │2717,3 │ 2726,6 │ 2994 │ 5114 │15859,2 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Коэффициент │ │ │ │ │ │ │
│дисконтирования │ │ │ │ │ │ │
│(норма дисконта│ │ │ │ │ │ │
│Е=14 процентов) │ 1,48 │ 1,3 │ 1,1 │ 1 │ 0,88 │ │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Размер инвестиций│ │ │ │ │ │ │
│из всех источников│ │ │ │ │ │ │
│финансирования │ │ │ │ │ │ │
│(в действующих │ │ │ │ │ │ │
│ценах с учетом│ │ │ │ │ │ │
│дисконтирования к│ │ │ │ │ │ │
│2005 году) │ 3418,4 │3531,4 │ 3108,3 │ 2994 │ 4486 │17538,1 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Чистый │ │ │ │ │ │ │
│дисконтированный │ │ │ │ │ │ │
│доход │-1599,1 │-2660,5│-2051,9 │ 91,7 │ 2421,1 │ │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Срок окупаемости│ │ │ │ │ │ │
│инвестиций (лет) │ │ │ │ │ │ 4 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Индекс доходности│ │ │ │ │ │ │
│(рентабельность) │ │ │ │ │ │ │
│инвестиций │ │ │ │ │ │ 1,14 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Внутренняя норма│ │ │ │ │ │ │
│доходности │ - │ - │ - │ - │ - │ 0,42 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Уровень │ │ │ │ │ │ │
│безубыточности │ 0,77 │ 0,75 │ 0,73 │ 0,72 │ 0,69 │ 0,73 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Средства │ │ │ │ │ │ │
│федерального │ │ │ │ │ │ │
│бюджета, │ │ │ │ │ │ │
│выделяемые на│ │ │ │ │ │ │
│НИОКР, капитальные│ │ │ │ │ │ │
│вложения и прочие│ │ │ │ │ │ │
│нужды │ │ │ │ │ │ │
│(в действующих │ │ │ │ │ │ │
│ценах с учетом│ │ │ │ │ │ │
│дисконтирования к│ │ │ │ │ │ │
│2005 году) │ 1936,8 │1958,9 │ 1728,9 │ 1734 │ 2617,5 │ 9976,2 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Налоги, │ │ │ │ │ │ │
│поступающие в│ │ │ │ │ │ │
│бюджет и│ │ │ │ │ │ │
│внебюджетные фонды│ │ │ │ │ │ │
│(в действующих│ │ │ │ │ │ │
│ценах с учетом│ │ │ │ │ │ │
│дисконтирования к│ │ │ │ │ │ │
│2005 году) │ 6933,9 │ 6663 │ 6457,6 │ 7667 │ 8439,6 │ 36161 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Бюджетный эффект │ 4997,1 │9701,1 │14429,8 │20362,8 │26184,9 │ │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Индекс доходности│ │ │ │ │ │ │
│(рентабельность) │ │ │ │ │ │ │
│бюджетных │ │ │ │ │ │ │
│ассигнований │ │ │ │ │ │ 3,62 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Удельный вес│ │ │ │ │ │ │
│средств │ │ │ │ │ │ │
│федерального │ │ │ │ │ │ │
│бюджета в общем│ │ │ │ │ │ │
│объеме │ │ │ │ │ │ │
│финансирования │ │ │ │ │ │ │
│(степень участия│ │ │ │ │ │ │
│государства) │ │ │ │ │ │ 0,57 │
├──────────────────┼────────┼───────┼────────┼────────┼────────┼────────┤
│Срок окупаемости│ │ │ │ │ │ │
│средств │ │ │ │ │ │ │
│федерального │ │ │ │ │ │ │
│бюджета (лет) │ │ │ │ │ │ 1 │
└──────────────────┴────────┴───────┴────────┴────────┴────────┴────────┘
┌──────────────────┬────────┬───────┬────────┬────────┬────────┬────────┐
Реализация мероприятий Программы будет определять технологические возможности страны на длительную перспективу и способствовать созданию научно-технологических основ для повышения качества жизни, подъема экономики и равноправного участия страны в мировых рынках высокотехнологичной наукоемкой продукции, а также позволит:
преодолеть наметившееся неблагоприятное для безопасности страны отставание от мирового уровня по критическим технологическим направлениям;
создать передовую технологическую базу для производства конкурентоспособной высокотехнологичной наукоемкой продукции, соответствующей мировому уровню, в области важнейших технических систем (воздушного, морского и наземного транспорта, ракетно-космической техники, машиностроительного, энергетического оборудования, вычислительной техники, систем управления и связи), лекарственных средств и другой наукоемкой продукции, создать предпосылки для равноправного международного технологического сотрудничества;
обеспечить сохранение и создание в процессе реализации Программы около 182 тыс. рабочих мест на предприятиях высокотехнологичных отраслей экономики;
создать на основе разрабатываемых технологий, соответствующих мировому уровню (планируемая доля в общем объеме разрабатываемых технологий - не менее 72 процентов), научные и промышленно-технологические предпосылки для кардинального изменения структуры экспорта в пользу наукоемкой продукции за счет резкого повышения потребительских свойств и конкурентоспособности выпускаемой продукции, закрепления традиционных и освоения новых сегментов мирового рынка;
существенно сократить отставание России в сфере высоких технологий, являющихся основой мирового развития в XXI веке.
Предполагается значительное улучшение среды обитания, создание экологически чистых материалов и технологий, повышение безопасности функционирования сложных систем "человек - машина", а также существенное снижение вероятности техногенных катастроф.
Приложение N 1
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая база"
на 2002 - 2006 годы

Перечень мероприятий федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002 - 2006 годы

┌────────────────────────────────────────────────────────────────────────┬───────────────┐
│ Стоимость (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) │ Ожидаемые │
│ │ результаты │
├─────────────────────────────┬───────┬──────────────────────────────────┼───────────────┤
│ │ 2002 │ в том числе │ │
│ │ год ├────────┬───────┬────────┬────────┼───────────────┤
│ │ │2003 год│ 2004 │2005 год│ 2006 │ │
│ │ │ │ год │ │ год │ │
│ │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │
├─────────────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ I. Технологии новых материалов │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│1. │Создание │ 10,2* │ 28,8 │ 11,8 │ 6,8 │ 4,4 │создание, под-│
│ │высокопрочных, │ ───── │ ────── │────── │ ────── │ ────── │готовка промыш-│
│ │хорошо свариваемых│ 5,1 │ 14,4 │ 5,9 │ 3,4 │ 2,2 │ленного произ-│
│ │сталей, сварочных│ │ │ │ │ │водства матери-│
│ │материалов и│ │ │ │ │ │алов для разра-│
│ │технологии сварки│ │ │ │ │ │ботки конструк-│
│ │для перспективного│ │ │ │ │ │ций морской и│
│ │оборудования │ │ │ │ │ │авиакосмической│
│ │топливно-энергетиче-│ │ │ │ │ │техники, стро-│
│ │ского комплекса│ │ │ │ │ │йиндустрии, │
│ │(ТЭК), морской и│ │ │ │ │ │машиностроения,│
│ │авиакосмической │ │ │ │ │ │оборудования │
│ │техники нового│ │ │ │ │ │для ТЭК, обес-│
│ │поколения │ │ │ │ │ │печивающих зна-│
│ │ │ │ │ │ │ │чительное повы-│
│ │ │ │ │ │ │ │шение потреби-│
│ │ │ │ │ │ │ │тельских ка-│
│ │ │ │ │ │ │ │честв и конку-│
│ │ │ │ │ │ │ │рентоспособнос-│
│ │ │ │ │ │ │ │ти продукции на│
│ │ │ │ │ │ │ │мировом рынке;│
│ │ │ │ │ │ │ │создание высо-│
│ │ │ │ │ │ │ │конадежных эле-│
│ │ │ │ │ │ │ │ментов конст-│
│ │ │ │ │ │ │ │рукций активных│
│ │ │ │ │ │ │ │зон атомных и│
│ │ │ │ │ │ │ │термоядерных │
│ │ │ │ │ │ │ │реакторов, а│
│ │ │ │ │ │ │ │также ледостой-│
│ │ │ │ │ │ │ │ких буровых│
│ │ │ │ │ │ │ │платформ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┴───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│2. │Создание │ 7,6 │ 7,6 │ 8,6 │ 4 │ 5 │использование │
│ │принципиально новых │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │для изготовле-│
│ │высокопрочных │ 3,8 │ 3,8 │ 4,3 │ 2 │ 2,5 │ния высокопроч-│
│ │азотистых сталей │ │ │ │ │ │ных корпусных│
│ │аустенитно-ферритно-│ │ │ │ │ │конструкций │
│ │го и мартенситного │ │ │ │ │ │авиакосмической│
│ │классов с высокой │ │ │ │ │ │и морской тех-│
│ │коррозионной │ │ │ │ │ │ники нового│
│ │стойкостью и │ │ │ │ │ │поколения, │
│ │повышенной вязкостью│ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │для использования в │ │ │ │ │ │значительное │
│ │авиакосмической │ │ │ │ │ │снижение риска│
│ │технике, медицине, │ │ │ │ │ │коррозионного │
│ │бурильных трубах, │ │ │ │ │ │растрескивания │
│ │трубопроводах, │ │ │ │ │ │и увеличение│
│ │судовой арматуре, │ │ │ │ │ │междокового │
│ │насосах и в другой │ │ │ │ │ │периода морских│
│ │продукции, │ │ │ │ │ │судов; исполь-│
│ │эксплуатируемой в │ │ │ │ │ │зование в меди-│
│ │экстремальных │ │ │ │ │ │цине для изго-│
│ │условиях │ │ │ │ │ │товления имп-│
│ │ │ │ │ │ │ │лантантов, эн-│
│ │ │ │ │ │ │ │допротезов и│
│ │ │ │ │ │ │ │др., обеспечи-│
│ │ │ │ │ │ │ │вающее экономию│
│ │ │ │ │ │ │ │дефицитного и│
│ │ │ │ │ │ │ │дорогостоящего │
│ │ │ │ │ │ │ │сырья и исклю-│
│ │ │ │ │ │ │ │чение эффекта│
│ │ │ │ │ │ │ │"никелевой ал-│
│ │ │ │ │ │ │ │лергии" │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│3. │Создание контейнеров│ 2,2 │ 2,2 │ 2,4 │ 2,6 │ 3 │повышение на-│
│ │для отработанного│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │дежности, безо-│
│ │ядерного топлива│ 1,1 │ 1,1 │ 1,2 │ 1,3 │ 1,5 │пасности и эко-│
│ │(ОЯТ) судовых и│ │ │ │ │ │номичности про-│
│ │стационарных атомных│ │ │ │ │ │дукции, созда-│
│ │энергетических │ │ │ │ │ │ние уникальных│
│ │установок (АЭУ) с│ │ │ │ │ │контейнеров для│
│ │использованием │ │ │ │ │ │транспортировки│
│ │конструкционных │ │ │ │ │ │и длительного│
│ │малоактивированных │ │ │ │ │ │(до 100 лет)│
│ │радиационно-стойких │ │ │ │ │ │хранения ОЯТ │
│ │основных и сварочных│ │ │ │ │ │ │
│ │материалов нового│ │ │ │ │ │ │
│ │поколения │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│4. │Создание комплексно│ 7,2 │ 7,2 │ 8,2 │ 8,6 │ 9 │создание с ис-│
│ │легированных │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │пользованием │
│ │свариваемых │ 3,6 │ 3,6 │ 4,1 │ 4,3 │ 4,5 │сплавов авиа-│
│ │титановых сплавов│ │ │ │ │ │космической │
│ │для авиакосмической│ │ │ │ │ │техники, глубо-│
│ │техники, │ │ │ │ │ │ководных аппа-│
│ │судостроения, │ │ │ │ │ │ратов, атомных│
│ │атомной энергетики и│ │ │ │ │ │энергетических │
│ │медицины │ │ │ │ │ │установок с│
│ │ │ │ │ │ │ │увеличенным в│
│ │ │ │ │ │ │ │1,5 - 2 раза│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурсом рабо-│
│ │ │ │ │ │ │ │ты, улучшение│
│ │ │ │ │ │ │ │качества меди-│
│ │ │ │ │ │ │ │цинской аппара-│
│ │ │ │ │ │ │ │туры в хирур-│
│ │ │ │ │ │ │ │гии, ортопедии,│
│ │ │ │ │ │ │ │стоматологии, │
│ │ │ │ │ │ │ │кардиологии и│
│ │ │ │ │ │ │ │др. │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│5. │Создание новых│ 15 │ 25,8 │ 17,8 │ 6 │ 4,4 │создание кор-│
│ │высокопрочных │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │пусных конст-│
│ │свариваемых, │ 7,5 │ 12,9 │ 8,9 │ 3 │ 2,2 │рукций кораб-│
│ │термически │ │ │ │ │ │лей, самолетов,│
│ │неупрочняемых │ │ │ │ │ │вертолетов, │
│ │алюминиевых сплавов│ │ │ │ │ │ракет и косми-│
│ │для морских судов,│ │ │ │ │ │ческих аппара-│
│ │авиационной и│ │ │ │ │ │тов нового по-│
│ │ракетно-космической │ │ │ │ │ │коления, совре-│
│ │техники, скоростных│ │ │ │ │ │менных скорост-│
│ │поездов и│ │ │ │ │ │ных паромов│
│ │автомобильной │ │ │ │ │ │типа "катама-│
│ │промышленности │ │ │ │ │ │ран", обтекате-│
│ │ │ │ │ │ │ │лей глубоковод-│
│ │ │ │ │ │ │ │ной техники с│
│ │ │ │ │ │ │ │уникальными │
│ │ │ │ │ │ │ │техническими │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристика-│
│ │ │ │ │ │ │ │ми (на 30-50│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов выше│
│ │ │ │ │ │ │ │мировых), сило-│
│ │ │ │ │ │ │ │вых элементов│
│ │ │ │ │ │ │ │скоростных по-│
│ │ │ │ │ │ │ │ездов и новых│
│ │ │ │ │ │ │ │автомобилей │
│ │ │ │ │ │ │ │(стоимость из-│
│ │ │ │ │ │ │ │готовления про-│
│ │ │ │ │ │ │ │дукции со спла-│
│ │ │ │ │ │ │ │вами из скандия│
│ │ │ │ │ │ │ │будет снижена в│
│ │ │ │ │ │ │ │1,5-2 раза) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│6. │Разработка и│ 1,4 │ 1,4 │ 1,6 │ 1,8 │ 1,8 │обеспечение │
│ │промышленное │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │высокой корро-│
│ │освоение │ 0,7 │ 0,7 │ 0,8 │ 0,9 │ 0,9 │зионной стой-│
│ │перспективных │ │ │ │ │ │кости металла│
│ │сварочных материалов│ │ │ │ │ │шва в потоке│
│ │и технологий сварки│ │ │ │ │ │свинца и ради-│
│ │для изготовления│ │ │ │ │ │ационной стой-│
│ │энергетического │ │ │ │ │ │кости, увеличе-│
│ │оборудования │ │ │ │ │ │ние срока служ-│
│ │безопасных АЭС с│ │ │ │ │ │бы конструкций│
│ │жидкометаллическим │ │ │ │ │ │в 2 раза, повы-│
│ │теплоносителем на│ │ │ │ │ │шение надежнос-│
│ │основе свинца │ │ │ │ │ │ти их работы│
│ │ │ │ │ │ │ │при температу-│
│ │ │ │ │ │ │ │рах до 1050│
│ │ │ │ │ │ │ │градусов в ус-│
│ │ │ │ │ │ │ │ловиях коррози-│
│ │ │ │ │ │ │ │онного и эрози-│
│ │ │ │ │ │ │ │онного воздей-│
│ │ │ │ │ │ │ │ствия, исполь-│
│ │ │ │ │ │ │ │зование резуль-│
│ │ │ │ │ │ │ │татов работы│
│ │ │ │ │ │ │ │при создании│
│ │ │ │ │ │ │ │газотурбинных │
│ │ │ │ │ │ │ │установок ново-│
│ │ │ │ │ │ │ │го поколения,│
│ │ │ │ │ │ │ │высокотемпера- │
│ │ │ │ │ │ │ │турных устано-│
│ │ │ │ │ │ │ │вок нефтепере-│
│ │ │ │ │ │ │ │рабатывающих, │
│ │ │ │ │ │ │ │нефтехимических│
│ │ │ │ │ │ │ │и металлурги-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческих произ-│
│ │ │ │ │ │ │ │водств │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│7. │Создание │ 13,4 │ 13,4 │ 38,4 │ 2,8 │ 2,8 │освоение пилот-│
│ │принципиально новых│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │ных технологий│
│ │многофункциональных │ 6,7 │ 6,7 │ 19,2 │ 1,4 │ 1,4 │получения мно-│
│ │покрытий с высоким│ │ │ │ │ │гофункциональ- │
│ │уровнем физических,│ │ │ │ │ │ных покрытий с│
│ │экологических, │ │ │ │ │ │высоким уровнем│
│ │физико-химических, │ │ │ │ │ │каталитической │
│ │эксплуатационных │ │ │ │ │ │активности, │
│ │характеристик и│ │ │ │ │ │магнитных и│
│ │эффективных │ │ │ │ │ │электрофизичес-│
│ │технологий их│ │ │ │ │ │ких параметров,│
│ │нанесения при│ │ │ │ │ │высокой корро-│
│ │изготовлении деталей│ │ │ │ │ │зионной, эрози-│
│ │и конструкций│ │ │ │ │ │онной и изно-│
│ │перспективной │ │ │ │ │ │состойкостью; │
│ │техники, │ │ │ │ │ │улучшение функ-│
│ │обеспечивающих │ │ │ │ │ │циональных ха-│
│ │эксплуатацию изделий│ │ │ │ │ │рактеристик и│
│ │новой техники во│ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │всех климатических│ │ │ │ │ │собности авиа-│
│ │условиях в течение│ │ │ │ │ │космической │
│ │30-40 лет │ │ │ │ │ │техники, транс-│
│ │ │ │ │ │ │ │портных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств, нефте-│
│ │ │ │ │ │ │ │газопроводов, │
│ │ │ │ │ │ │ │буровых плат-│
│ │ │ │ │ │ │ │форм, электрон-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных систем,│
│ │ │ │ │ │ │ │систем связи,│
│ │ │ │ │ │ │ │оптоэлектрони- │
│ │ │ │ │ │ │ │ки, приборных,│
│ │ │ │ │ │ │ │навигационных и│
│ │ │ │ │ │ │ │вычислительных │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов; │
│ │ │ │ │ │ │ │адаптация про-│
│ │ │ │ │ │ │ │изводства к│
│ │ │ │ │ │ │ │новым рыночным│
│ │ │ │ │ │ │ │условиям │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│8. │Создание новых│ 9,2 │ 9,2 │ 33,6 │ 3,8 │ 3,6 │повышение физи-│
│ │интерметаллических │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │ко-механических│
│ │материалов и│ 4,6 │ 4,6 │ 16,8 │ 1,9 │ 1,8 │характеристик │
│ │композиций на основе│ │ │ │ │ │высокопрочных │
│ │алюминидов │ │ │ │ │ │конструкционных│
│ │переходных металлов,│ │ │ │ │ │материалов в│
│ │неравновесных │ │ │ │ │ │1,2-1,5 раза,│
│ │аморфных и│ │ │ │ │ │снижение в│
│ │нанофазных структур│ │ │ │ │ │1,2-3 раза га-│
│ │со специфическими│ │ │ │ │ │баритно-весовых│
│ │свойствами │ │ │ │ │ │показателей при│
│ │ │ │ │ │ │ │одновременном │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшении до│
│ │ │ │ │ │ │ │50 процентов│
│ │ │ │ │ │ │ │стоимости ком-│
│ │ │ │ │ │ │ │позитов, сниже-│
│ │ │ │ │ │ │ │ние на 15-25│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов веса│
│ │ │ │ │ │ │ │конструкций ав-│
│ │ │ │ │ │ │ │томобилей, │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетических │
│ │ │ │ │ │ │ │установок судов│
│ │ │ │ │ │ │ │и судовых агре-│
│ │ │ │ │ │ │ │гатов, ракет и│
│ │ │ │ │ │ │ │авиакосмической│
│ │ │ │ │ │ │ │техники, повы-│
│ │ │ │ │ │ │ │шение в 2-7 раз│
│ │ │ │ │ │ │ │срока службы│
│ │ │ │ │ │ │ │конструктивных │
│ │ │ │ │ │ │ │элементов неф-│
│ │ │ │ │ │ │ │теи газодобыва-│
│ │ │ │ │ │ │ │ющей, горноруд-│
│ │ │ │ │ │ │ │ной и химичес-│
│ │ │ │ │ │ │ │кой промышлен-│
│ │ │ │ │ │ │ │ности │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│9. │Разработка │ 17,6 │ 41,8 │ 33,2 │ 5,2 │ 5,2 │снижение массы│
│ │полимерных, │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │корпусных конс-│
│ │металлополимерных и│ 8,8 │ 20,9 │ 16,6 │ 2,6 │ 2,6 │трукций на│
│ │термопластичных │ │ │ │ │ │20-30 процен-│
│ │композиционных │ │ │ │ │ │тов, повышение│
│ │материалов с│ │ │ │ │ │шумопоглощения │
│ │регулируемыми │ │ │ │ │ │и увеличение│
│ │многофункциональными│ │ │ │ │ │демпфирующей │
│ │свойствами │ │ │ │ │ │способности │
│ │ │ │ │ │ │ │конструкций, │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение замет-│
│ │ │ │ │ │ │ │ности судов и│
│ │ │ │ │ │ │ │летательных ап-│
│ │ │ │ │ │ │ │паратов в широ-│
│ │ │ │ │ │ │ │ком диапазоне│
│ │ │ │ │ │ │ │длин волн; уве-│
│ │ │ │ │ │ │ │личение удель-│
│ │ │ │ │ │ │ │ной мощности и│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурса элект-│
│ │ │ │ │ │ │ │росиловых пре-│
│ │ │ │ │ │ │ │образователей в│
│ │ │ │ │ │ │ │2-3 раза; сни-│
│ │ │ │ │ │ │ │жение стоимости│
│ │ │ │ │ │ │ │и трудоемкости│
│ │ │ │ │ │ │ │изготовления │
│ │ │ │ │ │ │ │размеростабиль-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных приборных│
│ │ │ │ │ │ │ │платформ; лик-│
│ │ │ │ │ │ │ │видация зависи-│
│ │ │ │ │ │ │ │мости российс-│
│ │ │ │ │ │ │ │ких производи-│
│ │ │ │ │ │ │ │телей от зару-│
│ │ │ │ │ │ │ │бежных фирм в│
│ │ │ │ │ │ │ │производстве │
│ │ │ │ │ │ │ │материалов это-│
│ │ │ │ │ │ │ │го класса │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│10. │Создание новых│ 10,2 │ 22,6 │ 11,8 │ 4 │ 4 │обеспечение │
│ │жаропрочных │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │надежной работы│
│ │конструкционных │ 5,1 │ 11,3 │ 5,9 │ 2 │ 2 │высокотемпера- │
│ │материалов и│ │ │ │ │ │турных устано-│
│ │сплавов, разработка│ │ │ │ │ │вок нефтепере-│
│ │и промышленное│ │ │ │ │ │рабатывающих, │
│ │освоение технологий│ │ │ │ │ │нефтехимических│
│ │изготовления деталей│ │ │ │ │ │и металлурги-│
│ │и конструкций на их│ │ │ │ │ │ческих произ-│
│ │основе │ │ │ │ │ │водств в усло-│
│ │ │ │ │ │ │ │виях воздей-│
│ │ │ │ │ │ │ │ствия рабочих│
│ │ │ │ │ │ │ │сред и крити-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческих темпера-│
│ │ │ │ │ │ │ │тур; снижение│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурсоемкости │
│ │ │ │ │ │ │ │и энергоемкости│
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │деталей перс-│
│ │ │ │ │ │ │ │пективных газо-│
│ │ │ │ │ │ │ │турбинных и│
│ │ │ │ │ │ │ │жидкостных ра-│
│ │ │ │ │ │ │ │кетных двигате-│
│ │ │ │ │ │ │ │лей │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│11. │Разработка │ 1,4 │ 1,4 │ 1,6 │ 1,8 │ 1,8 │использование │
│ │технологии │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │квазикристаллов│
│ │изготовления │ 0,7 │ 0,7 │ 0,8 │ 0,9 │ 0,9 │в качестве пок-│
│ │квазикристаллических│ │ │ │ │ │рытий изделий│
│ │материалов для│ │ │ │ │ │для уменьшения│
│ │уменьшения трения,│ │ │ │ │ │коэффициента │
│ │электрохимической │ │ │ │ │ │трения, износа│
│ │защиты и водородной│ │ │ │ │ │и стирания под-│
│ │энергетики │ │ │ │ │ │ложки, повыше-│
│ │ │ │ │ │ │ │ние прочности│
│ │ │ │ │ │ │ │стали в сочета-│
│ │ │ │ │ │ │ │нии с ростом│
│ │ │ │ │ │ │ │пластичности; │
│ │ │ │ │ │ │ │применение ква-│
│ │ │ │ │ │ │ │зикристалли- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческих матери-│
│ │ │ │ │ │ │ │алов в области│
│ │ │ │ │ │ │ │катализа, ради-│
│ │ │ │ │ │ │ │ационной и│
│ │ │ │ │ │ │ │электрохимичес-│
│ │ │ │ │ │ │ │кой защиты,│
│ │ │ │ │ │ │ │водородной │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетики, │
│ │ │ │ │ │ │ │экологическая │
│ │ │ │ │ │ │ │чистота при из-│
│ │ │ │ │ │ │ │готовлении ква-│
│ │ │ │ │ │ │ │зикристалли- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческих матери-│
│ │ │ │ │ │ │ │алов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│12. │Разработка составов│ 20,8 │ 20,8 │ 43,2 │ 44,4 │ 44 │получение ак-│
│ │и базовых технологий│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ────── │тивных элемен-│
│ │изготовления │ 10,4 │ 10,4 │ 21,6 │ 22,2 │ 22 │тов лазерного│
│ │лазерных стекол│ │ │ │ │ │качества с вы-│
│ │нового поколения,│ │ │ │ │ │сокой надежнос-│
│ │оптических стекол,│ │ │ │ │ │тью при работе│
│ │ситаллов, │ │ │ │ │ │в импульсных│
│ │халькогенидных │ │ │ │ │ │режимах с высо-│
│ │стекол, радиационно│ │ │ │ │ │кой выходной│
│ │стойких стекол,│ │ │ │ │ │мощностью излу-│
│ │светочувствительных,│ │ │ │ │ │чения; снижение│
│ │термохромных и│ │ │ │ │ │себестоимости │
│ │электрохромных │ │ │ │ │ │активных эле-│
│ │стекол, заготовок│ │ │ │ │ │ментов; повыше-│
│ │очковых стекол│ │ │ │ │ │ние качества│
│ │нового поколения │ │ │ │ │ │оптического │
│ │ │ │ │ │ │ │стекла по одно-│
│ │ │ │ │ │ │ │родности; изго-│
│ │ │ │ │ │ │ │товление круп-│
│ │ │ │ │ │ │ │ногабаритных │
│ │ │ │ │ │ │ │ситалловых за-│
│ │ │ │ │ │ │ │готовок для ас-│
│ │ │ │ │ │ │ │трозеркал; про-│
│ │ │ │ │ │ │ │изводство имп-│
│ │ │ │ │ │ │ │лантантов для│
│ │ │ │ │ │ │ │стоматологии и│
│ │ │ │ │ │ │ │ортопедии; про-│
│ │ │ │ │ │ │ │изводство опти-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческих элемен-│
│ │ │ │ │ │ │ │тов с нелиней-│
│ │ │ │ │ │ │ │ными свойствами│
│ │ │ │ │ │ │ │для ИК-оптики │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│13. │Модернизация │ 18,5 │ 15 │ 14,1 │ 17,95 │ 21,5 │эксперименталь-│
│ │комплексов │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │ная отработка│
│ │технологического │ 18,5 │ 15 │ 14,1 │ 17,95 │ 21,5 │технологий соз-│
│ │оборудования для│ │ │ │ │ │дания новых│
│ │создания новых│ │ │ │ │ │конструкционных│
│ │конструкционных и│ │ │ │ │ │и функциональ-│
│ │функциональных │ │ │ │ │ │ных материалов│
│ │материалов на ФГУП│ │ │ │ │ │для судостро-│
│ │"ЦНИИ КМ "Прометей",│ │ │ │ │ │ения и других│
│ │г.Санкт-Петербург │ │ │ │ │ │отраслей про-│
│ │ │ │ │ │ │ │мышленности, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение ис-│
│ │ │ │ │ │ │ │пытаний облу-│
│ │ │ │ │ │ │ │ченных конст-│
│ │ │ │ │ │ │ │рукционных ма-│
│ │ │ │ │ │ │ │териалов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│14. │Организация │ 7 │ 7,84 │ - │ - │ - │обеспечение │
│ │производства │ ───── │ ────── │ │ │ │широкомасштаб- │
│ │микропорошков на│ 7 │ 7,84 │ │ │ │ного выпуска│
│ │базе ГУП "ЦНИИМ",│ │ │ │ │ │соединительных,│
│ │г.Санкт-Петербург │ │ │ │ │ │уплотнительных │
│ │ │ │ │ │ │ │и износостойких│
│ │ │ │ │ │ │ │деталей и су-│
│ │ │ │ │ │ │ │щественное │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшение им-│
│ │ │ │ │ │ │ │портных закупок│
│ │ │ │ │ │ │ │для нефтепере-│
│ │ │ │ │ │ │ │рабатывающей, │
│ │ │ │ │ │ │ │горнодобыва- │
│ │ │ │ │ │ │ │ющей, дорожно-│
│ │ │ │ │ │ │ │строительной и│
│ │ │ │ │ │ │ │металлургичес- │
│ │ │ │ │ │ │ │кой промышлен-│
│ │ │ │ │ │ │ │ности │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ II. Электронная компонентная база │
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
│ 1. Микроэлектроника │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│15. │Разработка базовых│ 139,8 │ 82,6 │ 82,6 │ 35,6 │ 31,2 │создание базо-│
│ │технологий │ ───── │ ───── │ ───── │ ────── │ ───── │вых технологий│
│ │конструирования │ 69,9 │ 41,3 │ 41,3 │ 17,8 │ 15,6 │СБИС и ССИС на│
│ │новых поколений│ │ │ │ │ │кремнии с пре-│
│ │сверхбольших │ │ │ │ │ │дельно достижи-│
│ │интегральных схем│ │ │ │ │ │мыми минималь-│
│ │(СБИС) и│ │ │ │ │ │ными топологи-│
│ │сверхскоростных │ │ │ │ │ │ческими разме-│
│ │интегральных схем│ │ │ │ │ │рами, макси-│
│ │(ССИС) с│ │ │ │ │ │мальной такто-│
│ │минимальными │ │ │ │ │ │вой частотой│
│ │размерами элементов│ │ │ │ │ │500 МГц и сте-│
│ │0,1 - 0,25 мкм для│ │ │ │ │ │пенью интегра-│
│ │аппаратуры │ │ │ │ │ │ции 10(7)-10(8)│
│ │сверхвысокого │ │ │ │ │ │транз/кр.; сни-│
│ │быстродействия и│ │ │ │ │ │жение стоимости│
│ │сверхскоростной │ │ │ │ │ │проектирования │
│ │обработки │ │ │ │ │ │и сборки РЭА│
│ │информации, в том│ │ │ │ │ │специального и│
│ │числе базовой│ │ │ │ │ │общего назначе-│
│ │технологии │ │ │ │ │ │ния в 2-3 раза,│
│ │производства │ │ │ │ │ │снижение энер-│
│ │спецстойких СБИС с│ │ │ │ │ │гопотребления в│
│ │минимальными │ │ │ │ │ │3-4 раза; повы-│
│ │размерами элементов│ │ │ │ │ │шение функцио-│
│ │0,5-0,8 мкм и│ │ │ │ │ │нальных возмож-│
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │ностей аппара-│
│ │приборов, включая│ │ │ │ │ │туры и снижение│
│ │радиационно-стойкие │ │ │ │ │ │стоимости еди-│
│ │ │ │ │ │ │ │ничной функции│
│ │ │ │ │ │ │ │в 10-20 раз;│
│ │ │ │ │ │ │ │возможность │
│ │ │ │ │ │ │ │серийного про-│
│ │ │ │ │ │ │ │изводства для│
│ │ │ │ │ │ │ │выпуска КМОП│
│ │ │ │ │ │ │ │СБИС со сте-│
│ │ │ │ │ │ │ │пенью интегра-│
│ │ │ │ │ │ │ │ции до 2х10(5)│
│ │ │ │ │ │ │ │вент/кр. при│
│ │ │ │ │ │ │ │сохранении │
│ │ │ │ │ │ │ │группы стойкос-│
│ │ │ │ │ │ │ │ти 2У-3У, сох-│
│ │ │ │ │ │ │ │ранение техно-│
│ │ │ │ │ │ │ │логической не-│
│ │ │ │ │ │ │ │зависимости и│
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности │
│ │ │ │ │ │ │ │работы атомных│
│ │ │ │ │ │ │ │станций │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│16. │Разработка │ 82 │ 74,6 │ 21 │ 21 │ 6,4 │создание техно-│
│ │технологической базы│ ───── │ ───── │ ───── │ ────── │ ───── │логической базы│
│ │(среды) сквозного│ 41 │ 37,3 │ 10,5 │ 10,5 │ 3,2 │среды сквозного│
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │проектирования │
│ │проектирования │ │ │ │ │ │элементной базы│
│ │элементной базы и│ │ │ │ │ │и аппаратуры;│
│ │аппаратуры, │ │ │ │ │ │сокращение сро-│
│ │включающей │ │ │ │ │ │ков внедрения│
│ │библиотеки │ │ │ │ │ │перспективной │
│ │элементов, │ │ │ │ │ │элементной базы│
│ │библиотеки │ │ │ │ │ │в разработки│
│ │макроблоков (СФ),│ │ │ │ │ │аппаратуры; │
│ │технологическое │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │обеспечение │ │ │ │ │ │технологической│
│ │приборных разработок│ │ │ │ │ │независимости │
│ │с привлечением│ │ │ │ │ │при разработке│
│ │зарубежных │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │партнеров, создание│ │ │ │ │ │собной продук-│
│ │единой базы данных│ │ │ │ │ │ции; создание│
│ │разрабатываемых │ │ │ │ │ │центров проек-│
│ │российских проектов,│ │ │ │ │ │тирования, сер-│
│ │в том числе│ │ │ │ │ │тификации и ат-│
│ │разработка │ │ │ │ │ │тестации плас-│
│ │технологии │ │ │ │ │ │тин, разрабо-│
│ │проектирования │ │ │ │ │ │танных по алго-│
│ │микроэлектронных │ │ │ │ │ │ритмам россий-│
│ │ядер и моделей для│ │ │ │ │ │ских заказчи-│
│ │обработки, сжатия,│ │ │ │ │ │ков; разработка│
│ │передачи и│ │ │ │ │ │и реализация│
│ │распознавания │ │ │ │ │ │механизма тех-│
│ │информации в│ │ │ │ │ │нологического │
│ │системах │ │ │ │ │ │взаимодействия │
│ │телекоммуникаций, в│ │ │ │ │ │в рамках единой│
│ │том числе цифрового│ │ │ │ │ │среды и разра-│
│ │телевидения и│ │ │ │ │ │ботки элемент-│
│ │информационного │ │ │ │ │ │ной базы и ап-│
│ │мониторинга │ │ │ │ │ │паратуры; соз-│
│ │ │ │ │ │ │ │дание конкурен-│
│ │ │ │ │ │ │ │тоспособной │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии про-│
│ │ │ │ │ │ │ │ектирования │
│ │ │ │ │ │ │ │СФ-блоков, СБИС│
│ │ │ │ │ │ │ │"система на│
│ │ │ │ │ │ │ │кристалле" с│
│ │ │ │ │ │ │ │характеристика-│
│ │ │ │ │ │ │ │ми, не уступа-│
│ │ │ │ │ │ │ │ющими мировым│
│ │ │ │ │ │ │ │достижениям, │
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющей в│
│ │ │ │ │ │ │ │малые сроки и с│
│ │ │ │ │ │ │ │наименьшими │
│ │ │ │ │ │ │ │затратами соз-│
│ │ │ │ │ │ │ │давать унифици-│
│ │ │ │ │ │ │ │рованные комп-│
│ │ │ │ │ │ │ │лексы сверхвы-│
│ │ │ │ │ │ │ │сокой произво-│
│ │ │ │ │ │ │ │дительности в│
│ │ │ │ │ │ │ │реальном масш-│
│ │ │ │ │ │ │ │табе времени│
│ │ │ │ │ │ │ │для различных│
│ │ │ │ │ │ │ │областей приме-│
│ │ │ │ │ │ │ │нения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│16.1 │ Разработка и│ - │ - │ - │ - │ 720 │создание │
│ │внедрение системы│ │ │ │ │ ───── │отечественной │
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ 360 │технологии │
│ │проектирования │ │ │ │ │ │конструирования│
│ │электронной │ │ │ │ │ │сложнофункцио- │
│ │компонентной базы│ │ │ │ │ │нальной ЭКБ│
│ │(ЭКБ), в том числе│ │ │ │ │ │"система на│
│ │СБИС "система на│ │ │ │ │ │кристалле" для│
│ │кристалле", на│ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │основе структур│ │ │ │ │ │собных │
│ │КМОП-технологий с│ │ │ │ │ │комплексов │
│ │проектными нормами│ │ │ │ │ │радиолокации, │
│ │0,18 - 0,25 мкм │ │ │ │ │ │систем связи,│
│ │ │ │ │ │ │ │телевидения и│
│ │ │ │ │ │ │ │радиовещания │
│ │ │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения и│
│ │ │ │ │ │ │ │т.д., в том│
│ │ │ │ │ │ │ │числе двойного│
│ │ │ │ │ │ │ │назначения; │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │массогабаритных│
│ │ │ │ │ │ │ │характеристик │
│ │ │ │ │ │ │ │аппаратуры в 3 │
│ │ │ │ │ │ │ │- 5 раз и │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличение ее │
│ │ │ │ │ │ │ │надежности в 2 │
│ │ │ │ │ │ │ │- 3 раза; │
│ │ │ │ │ │ │ │сокращение │
│ │ │ │ │ │ │ │расходов на │
│ │ │ │ │ │ │ │закупку │
│ │ │ │ │ │ │ │аналогичной │
│ │ │ │ │ │ │ │зарубежной │
│ │ │ │ │ │ │ │элементной базы│
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│17. │Создание │ 30,2 │ 20 │ 14,6 │ │ │в настоящее│
│ │приборно-технологи- │ ───── │ ───────│ ─────│ │ │время за рубе-│
│ │ческого базиса│ 15,1 │ 10 │ 7,3 │ │ │жом на основе│
│ │производства │ │ │ │ │ │SiGe серийно│
│ │сверхбыстродействую-│ │ │ │ │ │выпускаются │
│ │щих БИС типа БиКМОП│ │ │ │ │ │СВЧ-транзисторы│
│ │и на основе SiGe для│ │ │ │ │ │мощностью до│
│ │телекоммуникационных│ │ │ │ │ │0,2 Вт на диа-│
│ │систем и│ │ │ │ │ │пазон частот до│
│ │перспективных систем│ │ │ │ │ │3,0 ГГц и осво-│
│ │техники │ │ │ │ │ │ено производст-│
│ │ │ │ │ │ │ │во специализи-│
│ │ │ │ │ │ │ │рованных ИС для│
│ │ │ │ │ │ │ │средств связи,│
│ │ │ │ │ │ │ │а производство│
│ │ │ │ │ │ │ │ИС широкого│
│ │ │ │ │ │ │ │применения (о-│
│ │ │ │ │ │ │ │перационных и│
│ │ │ │ │ │ │ │инструменталь- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных усилителей)│
│ │ │ │ │ │ │ │отсутствует, не│
│ │ │ │ │ │ │ │имеется отечес-│
│ │ │ │ │ │ │ │твенной техно-│
│ │ │ │ │ │ │ │логии БИС на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе БиКМОП.│
│ │ │ │ │ │ │ │Разработка та-│
│ │ │ │ │ │ │ │ких БИС позво-│
│ │ │ │ │ │ │ │лит реализовать│
│ │ │ │ │ │ │ │анализаторы │
│ │ │ │ │ │ │ │спектра с высо-│
│ │ │ │ │ │ │ │кой разрешающей│
│ │ │ │ │ │ │ │способностью │
│ │ │ │ │ │ │ │для аппаратуры│
│ │ │ │ │ │ │ │специального │
│ │ │ │ │ │ │ │применения; │
│ │ │ │ │ │ │ │результаты ра-│
│ │ │ │ │ │ │ │бот позволят│
│ │ │ │ │ │ │ │улучшить харак-│
│ │ │ │ │ │ │ │теристики оте-│
│ │ │ │ │ │ │ │чественной из-│
│ │ │ │ │ │ │ │мерительной и│
│ │ │ │ │ │ │ │приемопереда- │
│ │ │ │ │ │ │ │ющей техники,│
│ │ │ │ │ │ │ │систем радиоло-│
│ │ │ │ │ │ │ │кации, средств│
│ │ │ │ │ │ │ │телекоммуника- │
│ │ │ │ │ │ │ │ций и цифрового│
│ │ │ │ │ │ │ │телевидения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│18. │Разработка СФ-блоков│ - │ - │ 80,8 │ 130,6 │ 137,2 │создание функ-│
│ │для обработки,│ │ │ ───── │ ────── │ ──────┤ционально пол-│
│ │сжатия и передачи│ │ │ 40,4 │ 65,3 │ 68,6 │ной номенклату-│
│ │информации, в том│ │ │ │ │ │ры СФ-блоков,│
│ │числе ядер: │ │ │ │ │ │различающихся │
│ │процессоры │ │ │ │ │ │по производи-│
│ │(сигнальные и │ │ │ │ │ │тельности и│
│ │цифровые) и │ │ │ │ │ │назначению и│
│ │микроконтроллеры; │ │ │ │ │ │ориентированных│
│ │цифроаналоговые, │ │ │ │ │ │на разработку│
│ │аналого-цифровые │ │ │ │ │ │СБИС "система│
│ │преобразователи; │ │ │ │ │ │на кристалле"│
│ │шины и интерфейсы │ │ │ │ │ │для конкурен-│
│ │(драйверы, │ │ │ │ │ │тоспособных │
│ │приемо-передатчики и│ │ │ │ │ │электронных │
│ │т.д.); │ │ │ │ │ │систем мульти-│
│ │специализированные │ │ │ │ │ │медиа, телеком-│
│ │блоки для │ │ │ │ │ │муникаций, сис-│
│ │телекоммуникаций, │ │ │ │ │ │тем радиолока-│
│ │включая блоки для │ │ │ │ │ │ции, космичес-│
│ │цифрового │ │ │ │ │ │кого мониторин-│
│ │телевидения, │ │ │ │ │ │га, транспорта,│
│ │радиорелейной связи │ │ │ │ │ │средств связи,│
│ │и АТМ-технологии │ │ │ │ │ │цифрового теле-│
│ │(аудио-видео сжатие,│ │ │ │ │ │видения, систем│
│ │цифровая │ │ │ │ │ │безналичного │
│ │фильтрация, │ │ │ │ │ │расчета и иден-│
│ │видеоконтроллеры, │ │ │ │ │ │тификации │
│ │модемы, узлы │ │ │ │ │ │ │
│ │помехо-устойчивого │ │ │ │ │ │ │
│ │кодирования, │ │ │ │ │ │ │
│ │АТМ-коммутатора, │ │ │ │ │ │ │
│ │приемо-передающего │ │ │ │ │ │ │
│ │радиотракта, │ │ │ │ │ │ │
│ │преобразования Фурье│ │ │ │ │ │ │
│ │и т.д.) │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│19. │Разработка базовых│ 12 │ 11,2 │ 11,6 │ │ │выпуск отечест-│
│ │конструкций и│ ───── │ ───── │ ──── │ │ │венных силовых│
│ │технологий │ 6 │ 5,6 │ 5,8 │ │ │модулей на токи│
│ │производства серии│ │ │ │ │ │до 1400 А и│
│ │универсальных │ │ │ │ │ │напряжение │
│ │интегрированных │ │ │ │ │ │1200, 1800,│
│ │силовых IGBT-модулей│ │ │ │ │ │2500, 3300,│
│ │и модулей прижимной│ │ │ │ │ │4500 В, пред-│
│ │конструкции нового│ │ │ │ │ │назначенных для│
│ │поколения на токи до│ │ │ │ │ │применения в│
│ │1400А и напряжение│ │ │ │ │ │преобразова- │
│ │до 4500 В │ │ │ │ │ │тельном обору-│
│ │ │ │ │ │ │ │довании, мощ-│
│ │ │ │ │ │ │ │ностью от де-│
│ │ │ │ │ │ │ │сятков кВА до│
│ │ │ │ │ │ │ │десятков МВА в│
│ │ │ │ │ │ │ │электроприводах│
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│20. │Разработка базовых│ │ 10,2 │ │ │ │обеспечение │
│ │конструкций и│ │ ───── │ │ │ │выпуска силовых│
│ │технологий │ │ 5,1 │ │ │ │модулей различ-│
│ │производства │ │ │ │ │ │ных конструкций│
│ │полностью │ │ │ │ │ │и назначения │
│ │управляемых силовых│ │ │ │ │ │ │
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │ │
│ │приборов с│ │ │ │ │ │ │
│ │изолированным │ │ │ │ │ │ │
│ │затвором (IGBT) и│ │ │ │ │ │ │
│ │быстровосстанавли- │ │ │ │ │ │ │
│ │вающихся диодов│ │ │ │ │ │ │
│ │(АКВ) на токи до│ │ │ │ │ │ │
│ │100А (на кристалл) и│ │ │ │ │ │ │
│ │напряжение 1200,│ │ │ │ │ │ │
│ │1800, 2500, 3300,│ │ │ │ │ │ │
│ │4500 В │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│21. │Разработка │ - │ - │ │ │ │разработка и│
│ │библиотеки базовых│ │ │ │ │ │освоение произ-│
│ │конструкций силовых│ │ │ │ │ │водства силовой│
│ │управляемых │ │ │ │ │ │элементной базы│
│ │биполярных и полевых│ │ │ │ │ │для выпуска│
│ │приборов на│ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │напряжения до│ │ │ │ │ │собных силовых│
│ │6,0 кВ, а также│ │ │ │ │ │приборов, в│
│ │быстровосстанавлива-│ │ │ │ │ │которых остро│
│ │ющихся диодов и│ │ │ │ │ │нуждаются раз-│
│ │силовых ИС на│ │ │ │ │ │личные отрасли│
│ │напряжения до 2,5 кВ│ │ │ │ │ │экономики, в│
│ │ │ │ │ │ │ │том числе│
│ │ │ │ │ │ │ │IGBT-модулей на│
│ │ │ │ │ │ │ │токи 25-1000А и│
│ │ │ │ │ │ │ │напряжение от│
│ │ │ │ │ │ │ │600 В до 3300 В│
│ │ │ │ │ │ │ │и комплектных│
│ │ │ │ │ │ │ │БВД с временем│
│ │ │ │ │ │ │ │обратного восс-│
│ │ │ │ │ │ │ │тановления 0,05│
│ │ │ │ │ │ │ │мкс - 0,3 мкс │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│22. │Разработка базовой│ │ - │ 3,2 │ │ 4,2 │разработка и│
│ │конструкции и│ │ │ ─────│ │ ───── │освоение произ-│
│ │организация │ │ │ 1,6 │ │ 2,1 │водства типово-│
│ │серийного │ │ │ │ │ │го ряда интел-│
│ │производства │ │ │ │ │ │лектуальных и│
│ │"интеллектуальных" │ │ │ │ │ │силовых модулей│
│ │силовых IGBT-модулей│ │ │ │ │ │позволит соз-│
│ │на токи до 900А и│ │ │ │ │ │дать ресурсоэ-│
│ │напряжения 1200 и│ │ │ │ │ │нергоэффектив- │
│ │1700В, а также серии│ │ │ │ │ │ное преобразо-│
│ │универсальных │ │ │ │ │ │вательное обо-│
│ │интегрированных │ │ │ │ │ │рудование с│
│ │силовых IGBT-модулей│ │ │ │ │ │улучшенными │
│ │и модулей прижимной│ │ │ │ │ │техническими │
│ │конструкции нового│ │ │ │ │ │характеристика-│
│ │поколения │ │ │ │ │ │ми, большей│
│ │ │ │ │ │ │ │надежностью, │
│ │ │ │ │ │ │ │меньшими массо-│
│ │ │ │ │ │ │ │габаритными │
│ │ │ │ │ │ │ │показателями и│
│ │ │ │ │ │ │ │стоимостью в│
│ │ │ │ │ │ │ │интересах го-│
│ │ │ │ │ │ │ │родского элект-│
│ │ │ │ │ │ │ │рифицированного│
│ │ │ │ │ │ │ │транспорта и│
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств в добы-│
│ │ │ │ │ │ │ │вающей промыш-│
│ │ │ │ │ │ │ │ленности │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ 2. Наноэлектроника и микромеханика │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│23. │Разработка │ 11,8 │ 18,8 │ 5,4 │ 5,6 │ 5,8 │создание трех-│
│ │технологий │ ───── │ ──────│ ───── │ ────── │ ───── │мерных микроиз-│
│ │производства │ 5,9 │ 9,4 │ 2,7 │ 2,8 │ 2,9 │делий по техно-│
│ │микромеханических │ │ │ │ │ │логии, обеспе-│
│ │элементов для │ │ │ │ │ │чивающей полу-│
│ │микросистемной │ │ │ │ │ │чение субмик-│
│ │техники │ │ │ │ │ │ронных трехмер-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных изделий без│
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │дорогостоящих │
│ │ │ │ │ │ │ │литографических│
│ │ │ │ │ │ │ │процессов, яв-│
│ │ │ │ │ │ │ │ляющихся в нас-│
│ │ │ │ │ │ │ │тоящее время│
│ │ │ │ │ │ │ │основой "крем-│
│ │ │ │ │ │ │ │ниевой" техно-│
│ │ │ │ │ │ │ │логии │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│24. │Создание │ 6 │ 18,8 │ 5 │ 5 │ 5 │развитие науко-│
│ │интеллектуальных │ ───── │ ──────│ ───── │ ────── │ ───── │емкого, с низ-│
│ │нанотехнологических │ 3 │ 9,4 │ 2,5 │ 2,5 │ 2,5 │кой энерго- и│
│ │комплексов для│ │ │ │ │ │материалоемкос-│
│ │наноэлементов и│ │ │ │ │ │тью производст-│
│ │терабитных │ │ │ │ │ │ва электронной│
│ │микромеханических │ │ │ │ │ │техники - ново-│
│ │запоминающих │ │ │ │ │ │го поколения│
│ │устройств │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собных накопи-│
│ │ │ │ │ │ │ │телей, превос-│
│ │ │ │ │ │ │ │ходящих сущест-│
│ │ │ │ │ │ │ │вующий уровень│
│ │ │ │ │ │ │ │на несколько│
│ │ │ │ │ │ │ │порядков по ем-│
│ │ │ │ │ │ │ │кости и скорос-│
│ │ │ │ │ │ │ │ти передачи│
│ │ │ │ │ │ │ │данных │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│25. │Разработка зондовых│ 11,4 │ 18,8 │ 19,6 │ 11 │ 11,2 │создание прибо-│
│ │и ионных│ ───── │ ──────│ ───── │ ────── │ ───── │ров, значитель-│
│ │нанотехнологий │ 5,7 │ 9,4 │ 9,8 │ 5,5 │ 5,6 │но превосходя-│
│ │формирования │ │ │ │ │ │щих традицион-│
│ │элементов с│ │ │ │ │ │ные аналоги по│
│ │размерами менее│ │ │ │ │ │эффективности, │
│ │10 нм и исследование│ │ │ │ │ │надежности, │
│ │эмиссионных │ │ │ │ │ │ресурсу, массо-│
│ │характеристик │ │ │ │ │ │габаритным па-│
│ │нанотрубных │ │ │ │ │ │раметрам и│
│ │углеродных структур │ │ │ │ │ │энергопотребле-│
│ │ │ │ │ │ │ │нию; возмож-│
│ │ │ │ │ │ │ │ность разрабо-│
│ │ │ │ │ │ │ │ток микросис-│
│ │ │ │ │ │ │ │темной техники│
│ │ │ │ │ │ │ │на принципах│
│ │ │ │ │ │ │ │искусственного │
│ │ │ │ │ │ │ │интеллекта, а│
│ │ │ │ │ │ │ │также разработ-│
│ │ │ │ │ │ │ │ки СБИС с уров-│
│ │ │ │ │ │ │ │нем интеграции│
│ │ │ │ │ │ │ │до 10(9) эл/ │
│ │ │ │ │ │ │ │см2; повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │ кон- │
│ │ │ │ │ │ │ │курентоспособ- │
│ │ │ │ │ │ │ │ности разрабо-│
│ │ │ │ │ │ │ │танной радиоэ-│
│ │ │ │ │ │ │ │лектронной ап-│
│ │ │ │ │ │ │ │паратуры │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│26. │Разработка библиотек│ - │ - │ 6 │ │ │создание эле-│
│ │и базовых элементов│ │ │ ───── │ │ │ментной базы│
│ │наноэлектроники и│ │ │ 3 │ │ │для телекомму-│
│ │микроэлектроники, в│ │ │ │ │ │никационной ап-│
│ │том числе: │ │ │ │ │ │паратуры, в том│
│ │нанодиодов; │ │ │ │ │ │числе для мо-│
│ │нанотранзисторов; │ │ │ │ │ │бильной связи,│
│ │нанодинисторов; │ │ │ │ │ │радаров и│
│ │нановаристоров; │ │ │ │ │ │средств связи│
│ │логических │ │ │ │ │ │ВВСТ.234 │
│ │элементов; │ │ │ │ │ │ │
│ │функциональных │ │ │ │ │ │ │
│ │устройств │ │ │ │ │ │ │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ 3. Акусто- и магнитоэлектроника │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│27. │Разработка │ 10,2 │ 16,4 │ 8,4 │ │ │разработка ба-│
│ │технологии │ ───── │ ──────│ ───── │ │ │зовых техноло-│
│ │нанотехнологического│ 5,1 │ 8,2 │ 4,2 │ │ │гий и создание│
│ │производства │ │ │ │ │ │пьезокерамичес-│
│ │пьезокерамических │ │ │ │ │ │ких материалов│
│ │материалов и│ │ │ │ │ │и акустоэлект-│
│ │температуростабиль- │ │ │ │ │ │ронных изделий│
│ │ных │ │ │ │ │ │с параметрами,│
│ │акустоэлектронных │ │ │ │ │ │не уступающими│
│ │изделий для систем│ │ │ │ │ │лучшим мировым│
│ │связи, │ │ │ │ │ │образцам, орга-│
│ │гидроакустики, │ │ │ │ │ │низация серий-│
│ │медицины и датчиков│ │ │ │ │ │ного выпуска│
│ │различного │ │ │ │ │ │этих материалов│
│ │назначения │ │ │ │ │ │и конкурентос-│
│ │ │ │ │ │ │ │пособных акус-│
│ │ │ │ │ │ │ │тоэлектронных │
│ │ │ │ │ │ │ │изделий; эконо-│
│ │ │ │ │ │ │ │мический эффект│
│ │ │ │ │ │ │ │от реализации│
│ │ │ │ │ │ │ │изделий соста-│
│ │ │ │ │ │ │ │вит не менее 30│
│ │ │ │ │ │ │ │млн. рублей │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│28. │Разработка базовых│ - │ - │ 4,2 │ │ │создание пьезо-│
│ │конструкций типового│ │ │ ───── │ │ │электронных ус-│
│ │ряда │ │ │ 2,1 │ │ │тройств нового│
│ │пьезоэлектронных │ │ │ │ │ │поколения для│
│ │устройств нового│ │ │ │ │ │применения в│
│ │поколения, в том│ │ │ │ │ │системах гидро-│
│ │числе: │ │ │ │ │ │акустики, точ-│
│ │интегрированных │ │ │ │ │ │ного оружия,│
│ │датчиков; │ │ │ │ │ │адаптивной оп-│
│ │фильтров, │ │ │ │ │ │тики, охраны│
│ │резонаторов, │ │ │ │ │ │морских и сухо-│
│ │генераторов; │ │ │ │ │ │путных границ,│
│ │пьезогироскопов и │ │ │ │ │ │автомобильной │
│ │пьезотрансформаторов│ │ │ │ │ │электроники и│
│ │ │ │ │ │ │ │медицины │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│29. │Разработка типового │ - │ - │ 6,4 │ 14,6 │ 5,4 │создание ферри-│
│ │ряда перспективных │ │ │ ───── │ ────── │ ───── │товых приборов,│
│ │ферритовых приборов,│ │ │ 3,2 │ 7,3 │ 2,7 │устройств на│
│ │трансформаторов, │ │ │ │ │ │МСВ и трансфор-│
│ │устройств на │ │ │ │ │ │маторов радио-│
│ │магнитостатических │ │ │ │ │ │диапазона для│
│ │волнах и │ │ │ │ │ │модернизации │
│ │магнитоэлектричес- │ │ │ │ │ │существующих │
│ │ких приборов │ │ │ │ │ │электронных │
│ │микроволнового и │ │ │ │ │ │систем и разра-│
│ │радиодиапазона, в │ │ │ │ │ │боток систем│
│ │том числе: │ │ │ │ │ │5-го поколения │
│ │высокодобротных │ │ │ │ │ │ │
│ │резонаторов; │ │ │ │ │ │ │
│ │фазовращателей и │ │ │ │ │ │ │
│ │циркуляторов; │ │ │ │ │ │ │
│ │вентилей и │ │ │ │ │ │ │
│ │ограничителей; │ │ │ │ │ │ │
│ │перестраиваемых │ │ │ │ │ │ │
│ │фильтров; │ │ │ │ │ │ │
│ │переключателей │ │ │ │ │ │ │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ 4. СВЧ-электроника │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│30. │Разработка базовых│ 19,8 │ 25,2 │ 21 │ │ │технологии про-│
│ │технологий │────── │ ───────│ ───── │ │ │ектирования, │
│ │изготовления мощных│ 9,9 │ 12,6 │ 10,5 │ │ │изготовления и│
│ │транзисторов и│ │ │ │ │ │серийного вы-│
│ │монолитных │ │ │ │ │ │пуска мощных│
│ │СВЧ-микросхем на│ │ │ │ │ │транзисторов и│
│ │основе │ │ │ │ │ │монолитных │
│ │гетероструктур │ │ │ │ │ │СВЧ-микросхем │
│ │материалов группы│ │ │ │ │ │на основе гете-│
│ │А3В5 для современных│ │ │ │ │ │роструктур ма-│
│ │бортовых и наземных│ │ │ │ │ │териалов группы│
│ │радиоэлектронных │ │ │ │ │ │А3В5 для борто-│
│ │систем, │ │ │ │ │ │вой и наземной│
│ │унифицированных │ │ │ │ │ │аппаратуры ра-│
│ │приемно-передающих │ │ │ │ │ │диолокации и│
│ │модулей с высокой│ │ │ │ │ │средств связи│
│ │плотностью упаковки│ │ │ │ │ │нового поколе-│
│ │для АФАР│ │ │ │ │ │ния; создание│
│ │дециметрового и│ │ │ │ │ │нового класса│
│ │сантиметрового │ │ │ │ │ │отечественных │
│ │диапазонов │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных систем на│
│ │ │ │ │ │ │ │базе новейших│
│ │ │ │ │ │ │ │достижений в│
│ │ │ │ │ │ │ │области СВЧ-по-│
│ │ │ │ │ │ │ │лупроводниковой│
│ │ │ │ │ │ │ │электроники и│
│ │ │ │ │ │ │ │развитие техни-│
│ │ │ │ │ │ │ │ки активных│
│ │ │ │ │ │ │ │фазированных │
│ │ │ │ │ │ │ │антенных реше-│
│ │ │ │ │ │ │ │ток; обеспече-│
│ │ │ │ │ │ │ │ние выпуска│
│ │ │ │ │ │ │ │современной │
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собной продук-│
│ │ │ │ │ │ │ │ции с высоким│
│ │ │ │ │ │ │ │экспортным по-│
│ │ │ │ │ │ │ │тенциалом и│
│ │ │ │ │ │ │ │техническими │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристика-│
│ │ │ │ │ │ │ │ми, соответст- │
│ │ │ │ │ │ │ │вующими лучшим│
│ │ │ │ │ │ │ │мировым анало-│
│ │ │ │ │ │ │ │гам │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│31. │Реконструкция │ 6,4 │ 24 │ 25,8 │ │ │переход на│
│ │базовых │────── │ ───────│ ───── │ │ │новый техничес-│
│ │унифицированных │ 3,2 │ 12 │ 12,9 │ │ │кий уровень│
│ │технологических │ │ │ │ │ │отечественной │
│ │процессов для │ │ │ │ │ │технологии из-│
│ │разработок и выпуска│ │ │ │ │ │готовления мощ-│
│ │мощных вакуумных │ │ │ │ │ │ных вакуумных│
│ │СВЧ-приборов и │ │ │ │ │ │СВЧ-приборов │
│ │комплексированных │ │ │ │ │ │нового поколе-│
│ │устройств на их │ │ │ │ │ │ния с высокими│
│ │основе │ │ │ │ │ │эксплуатацион- │
│ │ │ │ │ │ │ │ными характе-│
│ │ │ │ │ │ │ │ристиками и│
│ │ │ │ │ │ │ │повышенной дол-│
│ │ │ │ │ │ │ │говечностью для│
│ │ │ │ │ │ │ │дальнейшего │
│ │ │ │ │ │ │ │развития высо-│
│ │ │ │ │ │ │ │копотенциальных│
│ │ │ │ │ │ │ │бортовых и на-│
│ │ │ │ │ │ │ │земных радиоэ-│
│ │ │ │ │ │ │ │лектронных сис-│
│ │ │ │ │ │ │ │тем, а также│
│ │ │ │ │ │ │ │миниатюрной ап-│
│ │ │ │ │ │ │ │паратуры милли-│
│ │ │ │ │ │ │ │метрового диа-│
│ │ │ │ │ │ │ │пазона │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│32. │Разработка │ 9,6 │ 12 │ 10,8 │ │ │технологии про-│
│ │технологии │────── │ ───────│ ───── │ │ │изводства твер-│
│ │изготовления │ 4,8 │ 6 │ 5,4 │ │ │дотельных мик-│
│ │современных │ │ │ │ │ │роэлектронных │
│ │гетероструктур, │ │ │ │ │ │гетероструктур │
│ │широкозонных │ │ │ │ │ │на основе арсе-│
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │нида галлия,│
│ │соединений и новых│ │ │ │ │ │нитрида галлия│
│ │диэлектрических │ │ │ │ │ │и карбида крем-│
│ │материалов для│ │ │ │ │ │ния на пласти-│
│ │приборов и МИС│ │ │ │ │ │нах диаметром│
│ │СВЧ-техники │ │ │ │ │ │до 100 мм,│
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │ │ │ │ │ │ │последующую │
│ │ │ │ │ │ │ │размерную обра-│
│ │ │ │ │ │ │ │ботку менее 0,1│
│ │ │ │ │ │ │ │мкм │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│33. │Разработка │ 3,4 │ 6,2 │ 6,4 │ │ │создание метри-│
│ │технологии и базовых│────── │ ───────│ ───── │ │ │ческой аппара-│
│ │конструкций │ 1,7 │ 3,1 │ 3,2 │ │ │туры нового│
│ │установок нового│ │ │ │ │ │поколения для│
│ │поколения для│ │ │ │ │ │исследований │
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │параметров по-│
│ │измерения параметров│ │ │ │ │ │лупроводниковых│
│ │нелинейных моделей│ │ │ │ │ │структур, ак-│
│ │СВЧ- │ │ │ │ │ │тивных элемен-│
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │тов и МИС СВЧ в│
│ │структур, мощных│ │ │ │ │ │процессе изго-│
│ │транзисторов и МИС│ │ │ │ │ │товления и сда-│
│ │СВЧ-диапазона │ │ │ │ │ │чи продукции с│
│ │ │ │ │ │ │ │целью повышения│
│ │ │ │ │ │ │ │процента выхода│
│ │ │ │ │ │ │ │годных изделий,│
│ │ │ │ │ │ │ │их долговечнос-│
│ │ │ │ │ │ │ │ти и надежности│
│ │ │ │ │ │ │ │при эксплуата-│
│ │ │ │ │ │ │ │ции │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│34. │Разработка системы│ - │ 52,6 │ 41 │ 83 │ 86 │проведение мо-│
│ │автоматизированного │ │ ───────│ ───── │ ────── │ ───── │дернизации су-│
│ │проектирования и│ │ 26,3 │ 20,5 │ 41,5 │ 43 │ществующих │
│ │библиотеки базовых│ │ │ │ │ │электронных │
│ │конструкций │ │ │ │ │ │систем и обес-│
│ │перспективных ВЧ и│ │ │ │ │ │печение разра-│
│ │СВЧ- приборов и│ │ │ │ │ │ботки систем│
│ │интегральных схем, в│ │ │ │ │ │5-го поколения │
│ │том числе: │ │ │ │ │ │ │
│ │генерации, обработки│ │ │ │ │ │ │
│ │и передачи ВЧ- и │ │ │ │ │ │ │
│ │СВЧ-сигналов в │ │ │ │ │ │ │
│ │реальном масштабе │ │ │ │ │ │ │
│ │времени; │ │ │ │ │ │ │
│ │мощных монолитных │ │ │ │ │ │ │
│ │СВЧ-микросхем на │ │ │ │ │ │ │
│ │основе │ │ │ │ │ │ │
│ │гетероструктур │ │ │ │ │ │ │
│ │материалов А3В5; │ │ │ │ │ │ │
│ │унифицированных │ │ │ │ │ │ │
│ │приемо-передающих │ │ │ │ │ │ │
│ │модулей; │ │ │ │ │ │ │
│ │СВЧ-транзисторов │ │ │ │ │ │ │
│ │широкого применения,│ │ │ │ │ │ │
│ │в том числе │ │ │ │ │ │ │
│ │малошумящих; │ │ │ │ │ │ │
│ │унифицированных │ │ │ │ │ │ │
│ │миниатюрных │ │ │ │ │ │ │
│ │сверхширокополосных │ │ │ │ │ │ │
│ │вакуумно-твердотель-│ │ │ │ │ │ │
│ │ных мощных│ │ │ │ │ │ │
│ │СВЧ-модулей │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│34.1. │Разработка │ - │ - │ - │ - │ 520 │создание │
│ │перспективных │ │ │ │ │ ───── │СВЧ-приборов на│
│ │твердотельных и│ │ │ │ │ 260 │основе сложных│
│ │функциональных │ │ │ │ │ │соединений │
│ │СВЧ-приборов, │ │ │ │ │ │кремния и│
│ │интегральных схем и│ │ │ │ │ │германия, │
│ │гетероструктур на│ │ │ │ │ │арсенида галлия│
│ │основе соединения│ │ │ │ │ │и нитрида│
│ │кремния и германия,│ │ │ │ │ │галлия, │
│ │арсенида галлия и│ │ │ │ │ │позволяющих │
│ │нитрида галлия, в│ │ │ │ │ │уменьшить │
│ │том числе гибридных│ │ │ │ │ │массогабаритные│
│ │и монолитных│ │ │ │ │ │характеристики │
│ │интегральных │ │ │ │ │ │аппаратуры на│
│ │СВЧ-микросхем нового│ │ │ │ │ │65 - 70│
│ │поколения, │ │ │ │ │ │процентов и│
│ │многолучевых │ │ │ │ │ │снизить ее│
│ │клистронов, │ │ │ │ │ │энергопотребле-│
│ │перспективных │ │ │ │ │ │ние на│
│ │магнитов Nd-Fe-B и│ │ │ │ │ │30 -│
│ │магнитных систем для│ │ │ │ │ │40 процентов; │
│ │вакуумных и│ │ │ │ │ │повышение в 1,5│
│ │ферритовых │ │ │ │ │ │- 2 раза│
│ │приборов, а также│ │ │ │ │ │важнейших │
│ │программно-аппарат- │ │ │ │ │ │функциональных │
│ │ных комплексов для│ │ │ │ │ │характеристик │
│ │определения │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │параметров мощных│ │ │ │ │ │ной аппаратуры│
│ │СВЧ-транзисторов │ │ │ │ │ │современ- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных │
│ │ │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных комплексов,│
│ │ │ │ │ │ │ │систем связи,│
│ │ │ │ │ │ │ │телевидения и│
│ │ │ │ │ │ │ │радиовещания; │
│ │ │ │ │ │ │ │ежегодный │
│ │ │ │ │ │ │ │прирост объемов│
│ │ │ │ │ │ │ │продаж изделий│
│ │ │ │ │ │ │ │на │
│ │ │ │ │ │ │ │10-15 процентов│
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ 5. Метоехнологии создания ЭКБ │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│35. │Разработка системы│ - │ 34 │ 20,8 │ 23 │ 22,6 │создание │
│ │автоматизированного │ │ ───────│ ───── │ ────── │ ───── │средств уско-│
│ │проектирования СБИС│ │ 17 │ 10,4 │ 11,5 │ 11,3 │ренного проек-│
│ │"система на│ │ │ │ │ │тирования широ-│
│ │кристалле" (с│ │ │ │ │ │кой номенклату-│
│ │использованием │ │ │ │ │ │ры СБИС "систе-│
│ │СФ-блоков), в том│ │ │ │ │ │ма в кристалле"│
│ │числе информационной│ │ │ │ │ │(с использова-│
│ │среды │ │ │ │ │ │нием российских│
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │и иностранных│
│ │проектирования СБИС│ │ │ │ │ │СФ-блоков); │
│ │"система на│ │ │ │ │ │разработка базы│
│ │кристалле" и│ │ │ │ │ │данных, содер-│
│ │СФ-блоков │ │ │ │ │ │жащей библиоте-│
│ │ │ │ │ │ │ │ки моделей для│
│ │ │ │ │ │ │ │всех уровней│
│ │ │ │ │ │ │ │проектирования,│
│ │ │ │ │ │ │ │в том числе│
│ │ │ │ │ │ │ │библиотеки СФ-│
│ │ │ │ │ │ │ │блоков, обеспе-│
│ │ │ │ │ │ │ │чивающих про-│
│ │ │ │ │ │ │ │цесс сквозного│
│ │ │ │ │ │ │ │проектирования │
│ │ │ │ │ │ │ │СБИС специаль-│
│ │ │ │ │ │ │ │ного и коммер-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческого приме-│
│ │ │ │ │ │ │ │нения │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│36. │Разработка │ - │ 23 │ 21,6 │ 22,4 │ 17,6 │библиотека эле-│
│ │библиотеки элементов│ │ ───────│ ───── │ ────── │ ───── │ментов по клас-│
│ │по классам, правил│ │ 11,5 │ 10,8 │ 11,2 │ 8,8 │сам, правила│
│ │проектирования │ │ │ │ │ │проектирования,│
│ │СФ-блоков и│ │ │ │ │ │ориентированные│
│ │электронной │ │ │ │ │ │на технологии│
│ │компонентной базы,│ │ │ │ │ │"кремниевых │
│ │ориентированных на│ │ │ │ │ │мастерских" с│
│ │перспективные │ │ │ │ │ │учетом достиг-│
│ │технологии, в том│ │ │ │ │ │нутого зарубеж-│
│ │числе иностранные │ │ │ │ │ │ного уровня │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│37. │Разработка системы│ - │ - │ 16 │ │ │современная │
│ │автоматизированного │ │ │ ───── │ │ │электронная │
│ │проектирования, │ │ │ 8 │ │ │компонентная │
│ │библиотек и базовых│ │ │ │ │ │база для мини-│
│ │элементов │ │ │ │ │ │атюрных навига-│
│ │микроэлектромехани- │ │ │ │ │ │ционных систем│
│ │ческих систем│ │ │ │ │ │различного наз-│
│ │широкого применения│ │ │ │ │ │начения: от│
│ │на основе│ │ │ │ │ │перспективного │
│ │интегральных методов│ │ │ │ │ │высокоточного │
│ │обработки кремния, в│ │ │ │ │ │оружия и авиа-│
│ │том числе: │ │ │ │ │ │ционно-косми- │
│ │прецизионных │ │ │ │ │ │ческих аппара-│
│ │акселерометров; │ │ │ │ │ │тов до систем│
│ │датчиков угловых│ │ │ │ │ │управления ав-│
│ │скоростей │ │ │ │ │ │томобилями и│
│ │(микромеханических │ │ │ │ │ │катерами; мето-│
│ │гироскопов); │ │ │ │ │ │ды проектирова-│
│ │сверхпрецизионных │ │ │ │ │ │ния микроэлект-│
│ │(виброрезонансных) │ │ │ │ │ │ромеханических │
│ │сенсоров измерения│ │ │ │ │ │систем и библи-│
│ │давления; │ │ │ │ │ │отеки основных│
│ │микропереключателей │ │ │ │ │ │элементов │
│ │каналов │ │ │ │ │ │ │
│ │оптоволоконной │ │ │ │ │ │ │
│ │связи; │ │ │ │ │ │ │
│ │других │ │ │ │ │ │ │
│ │микроэлектромехани- │ │ │ │ │ │ │
│ │ческих систем │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│38. │Разработка │ - │ - │ 26,6 │ 46,4 │ 46 │СБИС "система│
│ │комплектов │ │ │ ───── │ ────── │ ───── │на кристалле"│
│ │специализированных │ │ │ 13,3 │ 23,2 │ 23 │по функциональ-│
│ │СБИС "система на│ │ │ │ │ │ной сложности и│
│ │кристалле" │ │ │ │ │ │схемотехничес- │
│ │сложностью до 10(7)│ │ │ │ │ │ким решениям│
│ │транзисторов на│ │ │ │ │ │будут соответс-│
│ │кристалле для: │ │ │ │ │ │твовать зару-│
│ │цифрового │ │ │ │ │ │бежному уровню│
│ │телевидения; │ │ │ │ │ │и обеспечат│
│ │цифрового │ │ │ │ │ │создание массо-│
│ │радиовещания; │ │ │ │ │ │вой малогаба-│
│ │цифровой │ │ │ │ │ │ритной аппара-│
│ │технологической │ │ │ │ │ │туры на основе│
│ │радиотелефонной │ │ │ │ │ │одной микросхе-│
│ │связи; │ │ │ │ │ │мы, включающей│
│ │других систем │ │ │ │ │ │блоки телеком-│
│ │ │ │ │ │ │ │муникаций, ком-│
│ │ │ │ │ │ │ │пьютеров, нави-│
│ │ │ │ │ │ │ │гации и др.;│
│ │ │ │ │ │ │ │будет отработа-│
│ │ │ │ │ │ │ │на методология│
│ │ │ │ │ │ │ │"сквозного" ав-│
│ │ │ │ │ │ │ │томатизирован- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного проектиро-│
│ │ │ │ │ │ │ │вания СБИС│
│ │ │ │ │ │ │ │"система на│
│ │ │ │ │ │ │ │кристалле" на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе СФ-бло-│
│ │ │ │ │ │ │ │ков и библиотек│
│ │ │ │ │ │ │ │микро- и макро-│
│ │ │ │ │ │ │ │элементов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│39. │Разработка системы│ - │ - │ │ │ │разработка вы-│
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │сокоэффективных│
│ │проектирования и│ │ │ │ │ │устройств на│
│ │библиотеки базовых│ │ │ │ │ │ПАВ, ППАВ, ОВ│
│ │конструкций │ │ │ │ │ │позволит соз-│
│ │перспективных │ │ │ │ │ │дать современ-│
│ │акусто-электронных │ │ │ │ │ │ные системы│
│ │устройств нового│ │ │ │ │ │точного оружия,│
│ │поколения, в том│ │ │ │ │ │связи, ПВО,│
│ │числе: │ │ │ │ │ │радиочастотной │
│ │изделий на ПАВ; │ │ │ │ │ │идентификации │
│ │устройств на│ │ │ │ │ │ │
│ │объемных волнах; │ │ │ │ │ │ │
│ │изделий на│ │ │ │ │ │ │
│ │приповерхностных ПАВ│ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│40. │Создание физических│ - │ 24 │ 25 │ 22 │ 21 │научно │
│ │принципов, │ │ ───────│ ───── │ ────── │ ───── │обоснованные │
│ │моделирование и│ │ 12 │ 12,5 │ 11 │ 10,5 │рекомендации │
│ │разработка │ │ │ │ │ │для дальнейшего│
│ │физико-технологичес-│ │ │ │ │ │развития │
│ │ких процессов,│ │ │ │ │ │электронной │
│ │направленных на│ │ │ │ │ │компонентной │
│ │создание │ │ │ │ │ │базы │
│ │перспективной │ │ │ │ │ │ │
│ │электронной │ │ │ │ │ │ │
│ │компонентной базы │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│41. │Разработка │ - │ - │ 50 │ 40 │ 54 │обеспечение │
│ │функционально │ │ │ ───── │ ────── │───── │комплектации, │
│ │полной номенклатуры│ │ │ 25 │ 20 │ 27 │ремонта и эксп-│
│ │электронной │ │ │ │ │ │луатации серий-│
│ │компонентной базы,│ │ │ │ │ │но выпускаемых│
│ │необходимой для│ │ │ │ │ │и модернизиру-│
│ │комплектации и│ │ │ │ │ │емых образцов│
│ │модернизации серийно│ │ │ │ │ │ВВСТ современ-│
│ │выпускаемых образцов│ │ │ │ │ │ной электронной│
│ │ВВСТ │ │ │ │ │ │компонентной │
│ │ │ │ │ │ │ │базой │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ 6. Радиационно-стойкая электронная компонентная база │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│42. │Разработка │ - │ 25,8 │ 28,2 │ 55 │ 42,6 │создание │
│ │библиотеки элементов│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │электронных │
│ │и СФ-блоков│ │ 12,9 │ 14,1 │ 27,5 │ 21,3 │систем │
│ │радиационно-стойкой │ │ │ │ │ │вооружения, │
│ │электронной │ │ │ │ │ │военной и │
│ │компонентной базы на│ │ │ │ │ │специальной │
│ │основе технологий│ │ │ │ │ │техники, │
│ │кремний на изоляторе│ │ │ │ │ │функционирую- │
│ │и │ │ │ │ │ │щих в условиях │
│ │кремний на сапфире,│ │ │ │ │ │воздействия │
│ │в том числе: │ │ │ │ │ │радиационных │
│ │процессоры │ │ │ │ │ │факторов │
│ │(сигнальные и│ │ │ │ │ │ │
│ │цифровые │ │ │ │ │ │ │
│ │процессоры); │ │ │ │ │ │ │
│ │микроконтроллеры; │ │ │ │ │ │ │
│ │цифроаналоговые, │ │ │ │ │ │ │
│ │аналого-цифровые │ │ │ │ │ │ │
│ │преобразователи; │ │ │ │ │ │ │
│ │шины и интерфейсы│ │ │ │ │ │ │
│ │(драйверы, │ │ │ │ │ │ │
│ │приемопередатчики и│ │ │ │ │ │ │
│ │т.д.); │ │ │ │ │ │ │
│ │логические схемы; │ │ │ │ │ │ │
│ │экспертиза и│ │ │ │ │ │ │
│ │мониторинг │ │ │ │ │ │ │
│ │технических │ │ │ │ │ │ │
│ │процессов по│ │ │ │ │ │ │
│ │обеспечению │ │ │ │ │ │ │
│ │радиационной │ │ │ │ │ │ │
│ │стойкости │ │ │ │ │ │ │
│ │электронной │ │ │ │ │ │ │
│ │компонентной базы │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│42.1. │Создание базовых│ - │ - │ - │ - │ 500 │создание │
│ │технологий │ │ │ │ │ ───── │базовых │
│ │проектирования, │ │ │ │ │ 250 │технологий │
│ │конструирования и│ │ │ │ │ │проектирования,│
│ │производства нового│ │ │ │ │ │конструирования│
│ │поколения │ │ │ │ │ │и производства│
│ │радиационно стойкой│ │ │ │ │ │ряда │
│ │электронной │ │ │ │ │ │радиационно │
│ │компонентной базы на│ │ │ │ │ │стойкой ЭКБ│
│ │основе структур│ │ │ │ │ │(микросхем │
│ │"кремний на│ │ │ │ │ │памяти, │
│ │изоляторе" и│ │ │ │ │ │микропроцессо- │
│ │"кремний на сапфире"│ │ │ │ │ │ров, │
│ │с минимальными│ │ │ │ │ │процессоров │
│ │размерами элементов│ │ │ │ │ │обработки │
│ │0,5 - 0,8 мкм и│ │ │ │ │ │сигналов, │
│ │КМОП-технологией с│ │ │ │ │ │цифро-аналого- │
│ │минимальными │ │ │ │ │ │вых и│
│ │размерами элементов│ │ │ │ │ │аналого-цифро- │
│ │0,35-0,5 мкм │ │ │ │ │ │вых БИС и др.)│
│ │ │ │ │ │ │ │со степенью│
│ │ │ │ │ │ │ │интеграции │
│ │ │ │ │ │ │ │2х10(5) │
│ │ │ │ │ │ │ │транзисторов на│
│ │ │ │ │ │ │ │кристалле и│
│ │ │ │ │ │ │ │сохранением │
│ │ │ │ │ │ │ │параметров при│
│ │ │ │ │ │ │ │воздействии ВВФ│
│ │ │ │ │ │ │ │по группе│
│ │ │ │ │ │ │ │стойкости │
│ │ │ │ │ │ │ │2У-3У, а также│
│ │ │ │ │ │ │ │системы │
│ │ │ │ │ │ │ │проектирования │
│ │ │ │ │ │ │ │и производства│
│ │ │ │ │ │ │ │СФ-блоков и│
│ │ │ │ │ │ │ │СБИС "система│
│ │ │ │ │ │ │ │на кристалле"│
│ │ │ │ │ │ │ │со степенью│
│ │ │ │ │ │ │ │интеграции │
│ │ │ │ │ │ │ │2x10(7) │
│ │ │ │ │ │ │ │транзисторов на│
│ │ │ │ │ │ │ │кристалле и│
│ │ │ │ │ │ │ │сохранением │
│ │ │ │ │ │ │ │параметров при│
│ │ │ │ │ │ │ │воздействии ВВФ│
│ │ │ │ │ │ │ │по группе│
│ │ │ │ │ │ │ │стойкости 2У-3У│
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ 7. Компоненты оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│43. │Разработка базового│ - │ 3,2 │ 9,6 │ 9,8 │ 9,8 │создание │
│ │фотоэлектронного │ │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │матричных │
│ │модуля на основе│ │ 1,6 │ 4,8 │ 4,9 │ 4,9 │унифицирован- │
│ │инфракрасных │ │ │ │ │ │ных │
│ │смотрящих │ │ │ │ │ │фотоэлектрон- │
│ │двухцветных │ │ │ │ │ │ных модулей с │
│ │многорядных │ │ │ │ │ │повышенной │
│ │матричных │ │ │ │ │ │информационной │
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │емкостью на │
│ │устройств (МФПУ) на│ │ │ │ │ │базе │
│ │базе фотодиодов из│ │ │ │ │ │фотодиодов из │
│ │КРТ и антимонида│ │ │ │ │ │КРТ и │
│ │индия с цифровой│ │ │ │ │ │антимонида │
│ │обработкой и│ │ │ │ │ │индия, │
│ │повышенной │ │ │ │ │ │работающих в │
│ │информационной │ │ │ │ │ │двух │
│ │емкостью │ │ │ │ │ │спектральных │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазонах. │
│ │ │ │ │ │ │ │Применение │
│ │ │ │ │ │ │ │многоспектра- │
│ │ │ │ │ │ │ │льных │
│ │ │ │ │ │ │ │фотоприемных │
│ │ │ │ │ │ │ │модулей в │
│ │ │ │ │ │ │ │тепловизионных │
│ │ │ │ │ │ │ │и │
│ │ │ │ │ │ │ │теплопеленга- │
│ │ │ │ │ │ │ │ционных │
│ │ │ │ │ │ │ │системах │
│ │ │ │ │ │ │ │выведет │
│ │ │ │ │ │ │ │последние по │
│ │ │ │ │ │ │ │дальности и │
│ │ │ │ │ │ │ │надежности │
│ │ │ │ │ │ │ │обнаружения и │
│ │ │ │ │ │ │ │захвата целей, │
│ │ │ │ │ │ │ │а также │
│ │ │ │ │ │ │ │помехозащищен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ности на │
│ │ │ │ │ │ │ │качественно │
│ │ │ │ │ │ │ │новый уровень │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│44. │Разработка базового│ - │ 3,2 │ 9,6 │ 9,8 │ 9,8 │разработка │
│ │фотоэлектронного │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │базового │
│ │модуля нового│ │ 1,6 │ 4,8 │ 4,9 │ 4,9 │унифицирован- │
│ │поколения для│ │ │ │ │ │ного │
│ │сканирующих │ │ │ │ │ │фотоэлектрон- │
│ │тепловизионных │ │ │ │ │ │ного модуля │
│ │систем, работающих в│ │ │ │ │ │формата не │
│ │режиме ВЗН, с числом│ │ │ │ │ │менее 8х288│
│ │элементов накопления│ │ │ │ │ │элементов, │
│ │не менее 8 │ │ │ │ │ │предназначен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного для │
│ │ │ │ │ │ │ │комплектации │
│ │ │ │ │ │ │ │тепловизионных │
│ │ │ │ │ │ │ │приборов │
│ │ │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения, │
│ │ │ │ │ │ │ │работающих в │
│ │ │ │ │ │ │ │режиме ВЗН; │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличение │
│ │ │ │ │ │ │ │числа рядов в │
│ │ │ │ │ │ │ │МФПУ позволит │
│ │ │ │ │ │ │ │улучшить │
│ │ │ │ │ │ │ │фотоэлектриче- │
│ │ │ │ │ │ │ │ские параметры │
│ │ │ │ │ │ │ │МФПУ, │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличить │
│ │ │ │ │ │ │ │надежность за │
│ │ │ │ │ │ │ │счет │
│ │ │ │ │ │ │ │резервирования │
│ │ │ │ │ │ │ │ФЧЭ, улучшить │
│ │ │ │ │ │ │ │качество │
│ │ │ │ │ │ │ │тепловизионных │
│ │ │ │ │ │ │ │изображений │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│45. │Разработка ряда│ 1,4 │ 4,2 │ 10,8 │ 7 │ 10,6 │создание │
│ │базовых │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │типоразмерного │
│ │фотоэлектронных │ 0,7 │ 2,1 │ 5,4 │ 3,5 │ 5,3 │ряда │
│ │модулей на основе│ │ │ │ │ │охлаждаемых │
│ │охлаждаемых │ │ │ │ │ │матричных │
│ │фотодиодных матриц│ │ │ │ │ │ИК-приемников │
│ │из антимонида индия│ │ │ │ │ │на основе │
│ │и микроболометров│ │ │ │ │ │фотодиодов и │
│ │для диапазонов│ │ │ │ │ │микроболомет- │
│ │спектра 3...5 и 8..│ │ │ │ │ │рических │
│ │.12 мкм формата │ │ │ │ │ │элементов, │
│ │320х240, 384х288 │ │ │ │ │ │чувствительных │
│ │элементов │ │ │ │ │ │в диапазоне │
│ │ │ │ │ │ │ │3...5 и 8...12 │
│ │ │ │ │ │ │ │мкм формата │
│ │ │ │ │ │ │ │320х240, │
│ │ │ │ │ │ │ │384х288 │
│ │ │ │ │ │ │ │элементов и │
│ │ │ │ │ │ │ │более. │
│ │ │ │ │ │ │ │Возможность │
│ │ │ │ │ │ │ │выпуска │
│ │ │ │ │ │ │ │тепловизионных │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │гражданского и │
│ │ │ │ │ │ │ │двойного │
│ │ │ │ │ │ │ │применения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│46. │Разработка МФПУ│ - │ - │ 4,6 │ 4,6 │ 4,8 │создание │
│ │смотрящего типа на│ │ │ ───── │ ────── │ ───── │смотрящего │
│ │спектральный │ │ │ 2,3 │ 2,3 │ 2,4 │МФПУ на основе │
│ │диапазон 3...5 мкм │ │ │ │ │ │КРТ формата │
│ │с покадровым │ │ │ │ │ │128х128 │
│ │накоплением │ │ │ │ │ │спектрального │
│ │фотосигналов и│ │ │ │ │ │диапазона 3...5│
│ │цифровым выводом│ │ │ │ │ │мкм с │
│ │информации │ │ │ │ │ │совмещенным │
│ │ │ │ │ │ │ │покадровым │
│ │ │ │ │ │ │ │накоплением и │
│ │ │ │ │ │ │ │цифровым │
│ │ │ │ │ │ │ │выводом │
│ │ │ │ │ │ │ │информации, │
│ │ │ │ │ │ │ │предназначен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного для │
│ │ │ │ │ │ │ │комплектации │
│ │ │ │ │ │ │ │тепловизионных │
│ │ │ │ │ │ │ │приборов │
│ │ │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения; │
│ │ │ │ │ │ │ │существенное │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшение │
│ │ │ │ │ │ │ │темновых и │
│ │ │ │ │ │ │ │фоновых токов │
│ │ │ │ │ │ │ │по сравнению │
│ │ │ │ │ │ │ │с фотодиодами │
│ │ │ │ │ │ │ │спектрального │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазона 8-12 │
│ │ │ │ │ │ │ │мкм, переход к │
│ │ │ │ │ │ │ │более │
│ │ │ │ │ │ │ │длительному │
│ │ │ │ │ │ │ │времени │
│ │ │ │ │ │ │ │накопления по │
│ │ │ │ │ │ │ │сравнению с │
│ │ │ │ │ │ │ │построчным │
│ │ │ │ │ │ │ │накоплением │
│ │ │ │ │ │ │ │фотосигналов в │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазоне 8-12 │
│ │ │ │ │ │ │ │мкм и │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │технических │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристик │
│ │ │ │ │ │ │ │МФПУ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│47. │Разработка │ - │ 2,6 │ 7,8 │ │ │создание │
│ │унифицированных │ │ ────── │ ───── │ │ │унифицирован- │
│ │модулей аналоговой и│ │ 1,3 │ 3,9 │ │ │ных модулей │
│ │цифровой обработки│ │ │ │ │ │для обработки │
│ │сигналов многорядных│ │ │ │ │ │сигналов МФПУ │
│ │матричных │ │ │ │ │ │формата 2х256,│
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │4х288, 8х288 и│
│ │устройств для│ │ │ │ │ │др., │
│ │тепловизионных │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │каналов широкого│ │ │ │ │ │функции │
│ │применения │ │ │ │ │ │аналого-цифро- │
│ │ │ │ │ │ │ │вого │
│ │ │ │ │ │ │ │преобразования │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов МФПУ, │
│ │ │ │ │ │ │ │суммирование │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов с │
│ │ │ │ │ │ │ │задержкой для │
│ │ │ │ │ │ │ │реализации │
│ │ │ │ │ │ │ │режима ВЗН, │
│ │ │ │ │ │ │ │цифровую │
│ │ │ │ │ │ │ │обработку │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов с │
│ │ │ │ │ │ │ │проведением │
│ │ │ │ │ │ │ │коррекции │
│ │ │ │ │ │ │ │неоднороднос- │
│ │ │ │ │ │ │ │ти │
│ │ │ │ │ │ │ │чувствительно- │
│ │ │ │ │ │ │ │сти, │
│ │ │ │ │ │ │ │формирование │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов │
│ │ │ │ │ │ │ │управления │
│ │ │ │ │ │ │ │МФПУ и │
│ │ │ │ │ │ │ │синхронизацию │
│ │ │ │ │ │ │ │с системой │
│ │ │ │ │ │ │ │сканирования, │
│ │ │ │ │ │ │ │оптимизацию │
│ │ │ │ │ │ │ │режима работы │
│ │ │ │ │ │ │ │МФПУ при │
│ │ │ │ │ │ │ │изменении │
│ │ │ │ │ │ │ │условий │
│ │ │ │ │ │ │ │эксплуатации, │
│ │ │ │ │ │ │ │формирование │
│ │ │ │ │ │ │ │видеосигнала │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │отображения на │
│ │ │ │ │ │ │ │мониторе │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│48. │Разработка МОП -│ - │ - │ 4,6 │ 4,6 │ 4,8 │создание МОП - │
│ │мультиплексора с│ │ │ ───── │ ────── │ ───── │мультиплексора │
│ │интегрированием │ │ │ 2,3 │ 2,3 │ 2,4 │формата 128х128│
│ │фототока в ячейке│ │ │ │ │ │с │
│ │для двухцветных│ │ │ │ │ │интегрировани- │
│ │матричных ФПУ,│ │ │ │ │ │ем фототока в │
│ │чувствительных в│ │ │ │ │ │ячейке для │
│ │диапазонах длин волн│ │ │ │ │ │матриц │
│ │3...5 и 8...14 мкм │ │ │ │ │ │фотодиодов на │
│ │ │ │ │ │ │ │основе │
│ │ │ │ │ │ │ │материалов │
│ │ │ │ │ │ │ │кадмий-ртуть- │
│ │ │ │ │ │ │ │теллур и │
│ │ │ │ │ │ │ │антимонида │
│ │ │ │ │ │ │ │индия в │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │выпуска │
│ │ │ │ │ │ │ │матричных │
│ │ │ │ │ │ │ │двухцветных │
│ │ │ │ │ │ │ │ФПУ нового │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│49. │Разработка микросхем│ - │ 1,6 │ 4,6 │ 5 │ 4,8 │создание │
│ │малошумящих │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │унифицирован- │
│ │операционных │ │ 0,8 │ 2,3 │ 2,5 │ 2,4 │ного ряда │
│ │усилителей (ОУ) для│ │ │ │ │ │малошумящих │
│ │обработки сигналов│ │ │ │ │ │операционных │
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │усилителей, │
│ │устройств различных│ │ │ │ │ │предназначен- │
│ │спектральных │ │ │ │ │ │ных для │
│ │диапазонов │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов │
│ │ │ │ │ │ │ │фотоприемников │
│ │ │ │ │ │ │ │(ФП) с │
│ │ │ │ │ │ │ │различным │
│ │ │ │ │ │ │ │внутренним │
│ │ │ │ │ │ │ │сопротивлением │
│ │ │ │ │ │ │ │. │
│ │ │ │ │ │ │ │Унифицирован- │
│ │ │ │ │ │ │ │ный ряд │
│ │ │ │ │ │ │ │включает в │
│ │ │ │ │ │ │ │себя │
│ │ │ │ │ │ │ │двухканальный │
│ │ │ │ │ │ │ │ОУ двух типов │
│ │ │ │ │ │ │ │для обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов │
│ │ │ │ │ │ │ │фотоприемников │
│ │ │ │ │ │ │ │с низким и │
│ │ │ │ │ │ │ │высоким │
│ │ │ │ │ │ │ │внутренним │
│ │ │ │ │ │ │ │сопротивлением │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│50. │Разработка │ - │ 2,6 │ │ 8 │ 8,4 │разработка │
│ │спецалгоритмов и│ │ ────── │ │ ────── │ ───── │алгоритмов и │
│ │создание модулей│ │ 1,3 │ │ 4 │ 4,2 │модулей │
│ │цифровой обработки│ │ │ │ │ │автоматическо- │
│ │сигналов и│ │ │ │ │ │го │
│ │изображений, │ │ │ │ │ │обнаружения, │
│ │получаемых в│ │ │ │ │ │распознавания │
│ │различных областях│ │ │ │ │ │и │
│ │спектра с│ │ │ │ │ │сопровождения │
│ │применением │ │ │ │ │ │целей на │
│ │технологий │ │ │ │ │ │основе │
│ │нейросетей и методов│ │ │ │ │ │информации, │
│ │локально-анизотроп- │ │ │ │ │ │получаемой │
│ │ных признаков для│ │ │ │ │ │радио- и │
│ │решения задач│ │ │ │ │ │оптико-элект- │
│ │обнаружения, │ │ │ │ │ │ронными │
│ │распознавания и│ │ │ │ │ │каналами │
│ │автосопровождения │ │ │ │ │ │различного │
│ │целей в реальном│ │ │ │ │ │спектрального │
│ │времени │ │ │ │ │ │диапазона │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексирова- │
│ │ │ │ │ │ │ │нных систем; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │комплекта │
│ │ │ │ │ │ │ │эксперимента- │
│ │ │ │ │ │ │ │льных образцов │
│ │ │ │ │ │ │ │модулей │
│ │ │ │ │ │ │ │автоматическо- │
│ │ │ │ │ │ │ │го │
│ │ │ │ │ │ │ │обнаружения, │
│ │ │ │ │ │ │ │распознавания │
│ │ │ │ │ │ │ │и │
│ │ │ │ │ │ │ │сопровождения │
│ │ │ │ │ │ │ │целей и │
│ │ │ │ │ │ │ │проведение их │
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│51. │Разработка │ 3 │ 6,6 │ 13,6 │ │ │разработка │
│ │жидкофазных и│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │жидкофазных │
│ │МОС-гидридных │ 1,5 │ 3,3 │ 6,8 │ │ │эпитаксиальных │
│ │эпитаксиальных │ │ │ │ │ │структур │
│ │структур материала│ │ │ │ │ │материала │
│ │"кадмий-ртуть-теллур│ │ │ │ │ │"кадмий-ртуть- │
│ │" для│ │ │ │ │ │теллур" с │
│ │крупноформатных │ │ │ │ │ │высоким │
│ │матричных │ │ │ │ │ │уровнем │
│ │фотоприемников на│ │ │ │ │ │параметров, │
│ │спектральные │ │ │ │ │ │пригодных для │
│ │диапазоны 3...5 и 8.│ │ │ │ │ │промышленного │
│ │..12 мкм │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │матричных ФПУ │
│ │ │ │ │ │ │ │на │
│ │ │ │ │ │ │ │спектральные │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазоны 3...│
│ │ │ │ │ │ │ │5 и 8...12 мкм │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│52. │Разработка │ - │ 2,6 │ 7,8 │ 3,2 │ 3,2 │создание │
│ │типоразмерного ряда│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │типоразмерного │
│ │микрокриогенных │ │ 1,3 │ 3,9 │ 1,6 │ 1,6 │ряда │
│ │систем с повышенным│ │ │ │ │ │микрокриоген- │
│ │ресурсом работы для│ │ │ │ │ │ных систем │
│ │охлаждения матричных│ │ │ │ │ │(МКС), │
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │устройств нового│ │ │ │ │ │температурный │
│ │поколения │ │ │ │ │ │режим работы │
│ │ │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения │
│ │ │ │ │ │ │ │матричных │
│ │ │ │ │ │ │ │фотоприемных │
│ │ │ │ │ │ │ │устройств │
│ │ │ │ │ │ │ │различных │
│ │ │ │ │ │ │ │форматов для │
│ │ │ │ │ │ │ │спектральных │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазонов 3...│
│ │ │ │ │ │ │ │5 и 8...12 мкм.│
│ │ │ │ │ │ │ │Основные │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристи- │
│ │ │ │ │ │ │ │ки: │
│ │ │ │ │ │ │ │холодопроизво- │
│ │ │ │ │ │ │ │дительность - │
│ │ │ │ │ │ │ │0,4...1,2 Вт; │
│ │ │ │ │ │ │ │тип МКС - │
│ │ │ │ │ │ │ │интегральный, │
│ │ │ │ │ │ │ │Сплит-Стир- │
│ │ │ │ │ │ │ │линг; │
│ │ │ │ │ │ │ │ресурс работы │
│ │ │ │ │ │ │ │- не менее - │
│ │ │ │ │ │ │ │20000 час │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│53. │Разработка базовых│ - │ 0,6 │ │ 1,8 │ 2 │создание │
│ │модулей охлаждения│ │ ────── │ │ ────── │ ───── │базовых │
│ │на основе│ │ 0,3 │ │ 0,9 │ 1 │модулей │
│ │термоэлектрических │ │ │ │ │ │охлаждения на │
│ │охладителей, в том│ │ │ │ │ │основе │
│ │числе на основе│ │ │ │ │ │термоэлектри- │
│ │явлений в квантовых│ │ │ │ │ │ческих │
│ │ямах, для│ │ │ │ │ │охладителей │
│ │фотоприемников и│ │ │ │ │ │(ТЭО) для │
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │фотоприемников │
│ │устройств │ │ │ │ │ │и фотоприемных │
│ │ИК-диапазона │ │ │ │ │ │устройств │
│ │ │ │ │ │ │ │(МОФ) с │
│ │ │ │ │ │ │ │улучшенными │
│ │ │ │ │ │ │ │ТТХ, в том │
│ │ │ │ │ │ │ │числе по │
│ │ │ │ │ │ │ │энергопотреб- │
│ │ │ │ │ │ │ │лению, весу и │
│ │ │ │ │ │ │ │габаритам, │
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собных на │
│ │ │ │ │ │ │ │внешнем рынке │
│ │ │ │ │ │ │ │(МОФ на основе │
│ │ │ │ │ │ │ │термоэлектри- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческих │
│ │ │ │ │ │ │ │охладителей на │
│ │ │ │ │ │ │ │базе Bi2 Te3, │
│ │ │ │ │ │ │ │Sb2 Te3 и │
│ │ │ │ │ │ │ │твердых │
│ │ │ │ │ │ │ │растворов Bi - │
│ │ │ │ │ │ │ │Те- Sе- Sb, в │
│ │ │ │ │ │ │ │том числе с │
│ │ │ │ │ │ │ │использованием │
│ │ │ │ │ │ │ │новых │
│ │ │ │ │ │ │ │квантоворазме- │
│ │ │ │ │ │ │ │рных явлений) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│54. │Разработка │ - │ 0,8 │ │ │ │создание ЭОП │
│ │ультрафиолетового │ │ ────── │ │ │ │на │
│ │ЭОП на основе│ │ 0,4 │ │ │ │спектральный │
│ │фотокатодов с│ │ │ │ │ │диапазон от │
│ │отрицательным │ │ │ │ │ │0,2 мкм до 0,4 │
│ │электронным │ │ │ │ │ │мкм на основе │
│ │сродством │ │ │ │ │ │принципиально │
│ │ │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │фотокатода с │
│ │ │ │ │ │ │ │отрицательным │
│ │ │ │ │ │ │ │электронным │
│ │ │ │ │ │ │ │сродством │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│55. │Разработка │ - │ 1,4 │ 5,2 │ │ │создание │
│ │высокочувствительно-│ │ ────── │ ───── │ │ │инфракрасного │
│ │го │ │ 0,7 │ 2,6 │ │ │фотоэлектриче- │
│ │фотоэлектрического │ │ │ │ │ │ского модуля │
│ │инфракрасного модуля│ │ │ │ │ │на основе ЭОП │
│ │для лазерных систем│ │ │ │ │ │с фотокатодом │
│ │круглосуточного │ │ │ │ │ │на структурах │
│ │видения │ │ │ │ │ │А3В5 с │
│ │ │ │ │ │ │ │барьером │
│ │ │ │ │ │ │ │Шоттки, │
│ │ │ │ │ │ │ │чувствительно- │
│ │ │ │ │ │ │ │го в │
│ │ │ │ │ │ │ │спектральном │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазоне от │
│ │ │ │ │ │ │ │0,9 мкм до 2,0 │
│ │ │ │ │ │ │ │мкм и │
│ │ │ │ │ │ │ │работающего в │
│ │ │ │ │ │ │ │активно-импу- │
│ │ │ │ │ │ │ │льсном режиме │
│ │ │ │ │ │ │ │совместно с │
│ │ │ │ │ │ │ │импульсным │
│ │ │ │ │ │ │ │лазером для │
│ │ │ │ │ │ │ │электронных │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │повышенной │
│ │ │ │ │ │ │ │дальности │
│ │ │ │ │ │ │ │действия, в │
│ │ │ │ │ │ │ │том числе для │
│ │ │ │ │ │ │ │обнаружения и │
│ │ │ │ │ │ │ │распознавания │
│ │ │ │ │ │ │ │воздушных │
│ │ │ │ │ │ │ │объектов на │
│ │ │ │ │ │ │ │дальностях │
│ │ │ │ │ │ │ │свыше 30 км, а │
│ │ │ │ │ │ │ │также для │
│ │ │ │ │ │ │ │медицинской │
│ │ │ │ │ │ │ │техники, │
│ │ │ │ │ │ │ │дифференциаль- │
│ │ │ │ │ │ │ │ной │
│ │ │ │ │ │ │ │диагностики в │
│ │ │ │ │ │ │ │онкологии, │
│ │ │ │ │ │ │ │маммографии, │
│ │ │ │ │ │ │ │оптической │
│ │ │ │ │ │ │ │томографии и │
│ │ │ │ │ │ │ │др. │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│56. │Разработка │ - │ - │ │ 33 │ 34 │создание │
│ │высокоэффективных │ │ │ │ ────── │ ───── │высокоэффекти- │
│ │ЭОП на основе│ │ │ │ 16,5 │ 17 │вного │
│ │фотокатодов, │ │ │ │ │ │инфракрасного │
│ │чувствительных в│ │ │ │ │ │ЭОП с │
│ │спектральном │ │ │ │ │ │квантовой │
│ │диапазоне от 0,9 мкм│ │ │ │ │ │эффективностью │
│ │до 1,65 мкм │ │ │ │ │ │более 5% на │
│ │ │ │ │ │ │ │длине волны │
│ │ │ │ │ │ │ │лямбда = 1,54 │
│ │ │ │ │ │ │ │мкм для оптико-│
│ │ │ │ │ │ │ │элект- ронных │
│ │ │ │ │ │ │ │ систем с │
│ │ │ │ │ │ │ │повышенной │
│ │ │ │ │ │ │ │помехозащищен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ностью и │
│ │ │ │ │ │ │ │обнаружитель- │
│ │ │ │ │ │ │ │ной │
│ │ │ │ │ │ │ │способностью, │
│ │ │ │ │ │ │ │дальность │
│ │ │ │ │ │ │ │действия │
│ │ │ │ │ │ │ │которых в │
│ │ │ │ │ │ │ │ночных │
│ │ │ │ │ │ │ │условиях на │
│ │ │ │ │ │ │ │60% больше, │
│ │ │ │ │ │ │ │чем у │
│ │ │ │ │ │ │ │аналогичных │
│ │ │ │ │ │ │ │систем на │
│ │ │ │ │ │ │ │основе ЭОП │
│ │ │ │ │ │ │ │третьего │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения для │
│ │ │ │ │ │ │ │создания │
│ │ │ │ │ │ │ │принципиально │
│ │ │ │ │ │ │ │нового класса │
│ │ │ │ │ │ │ │приборных │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов и │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │двойного │
│ │ │ │ │ │ │ │назначения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│57. │Создание │ - │ 1,8 │ 5,2 │ 5,6 │ 5,8 │разработка │
│ │межотраслевой │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │методологии │
│ │интегрированной базы│ │ 0,9 │ 2,6 │ 2,8 │ 2,9 │оценки │
│ │данных по│ │ │ │ │ │перспективнос- │
│ │исследованиям и│ │ │ │ │ │ти │
│ │разработкам │ │ │ │ │ │исследований и │
│ │ИК-систем и приборов│ │ │ │ │ │разработок, │
│ │двойного назначения │ │ │ │ │ │проводимых в │
│ │ │ │ │ │ │ │рамках │
│ │ │ │ │ │ │ │межведомствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ной целевой │
│ │ │ │ │ │ │ │программы │
│ │ │ │ │ │ │ │"Развитие │
│ │ │ │ │ │ │ │инфракрасной │
│ │ │ │ │ │ │ │техники на │
│ │ │ │ │ │ │ │2002 - 2006 │
│ │ │ │ │ │ │ │годы", │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │информационно- │
│ │ │ │ │ │ │ │аналитической │
│ │ │ │ │ │ │ │базы данных, │
│ │ │ │ │ │ │ │имеющихся в │
│ │ │ │ │ │ │ │данной области │
│ │ │ │ │ │ │ │разработок │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│58. │Разработка и│ 0,8 │ 1 │ 1,4 │ 1,4 │ 1,8 │разработка МКП │
│ │освоение технологии │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │с повышенной │
│ │мелкоструктурных МКП│ 0,4 │ 0,5 │ 0,7 │ 0,7 │ 0,9 │информативно- │
│ │с повышенной│ │ │ │ │ │стью свыше 80 │
│ │информативностью │ │ │ │ │ │штр/мм, │
│ │для ЭОПов четвертого│ │ │ │ │ │улучшенными │
│ │поколения, │ │ │ │ │ │пороговыми │
│ │предназначенных для│ │ │ │ │ │характеристи- │
│ │перспективной │ │ │ │ │ │ками (фактор │
│ │техники ночного│ │ │ │ │ │шума - не │
│ │видения │ │ │ │ │ │более 1,5), │
│ │ │ │ │ │ │ │долговечностью │
│ │ │ │ │ │ │ │более 5 тыс. │
│ │ │ │ │ │ │ │ч., │
│ │ │ │ │ │ │ │термостойкос- │
│ │ │ │ │ │ │ │тью более 550 С│
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│59. │Разработка базовой│ 1 │ 1 │ │ │ │создание │
│ │технологии │ ───── │ ────── │ │ │ │нового │
│ │производства │ 0,5 │ 0,5 │ │ │ │поколения │
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │высокоэффекти- │
│ │индикаторов нового│ │ │ │ │ │вных │
│ │поколения в широкой│ │ │ │ │ │индикаторов │
│ │видимой области│ │ │ │ │ │мирового │
│ │спектра на основе│ │ │ │ │ │уровня │
│ │антистоксовых │ │ │ │ │ │расширенного │
│ │люминофоров │ │ │ │ │ │диапазона │
│ │ │ │ │ │ │ │свечения для │
│ │ │ │ │ │ │ │широкого │
│ │ │ │ │ │ │ │применения в │
│ │ │ │ │ │ │ │народнохозяйс- │
│ │ │ │ │ │ │ │твенной и │
│ │ │ │ │ │ │ │специальной │
│ │ │ │ │ │ │ │аппаратуре │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│60. │Разработка новых│ 9 │ 9 │ │ │ │разработка │
│ │технологий фотоники│ ───── │ ────── │ │ │ │принципиально │
│ │и оптоэлектроники на│ 4,5 │ 4,5 │ │ │ │новых систем │
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │фотонной │
│ │гетероструктурах │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │информации с │
│ │ │ │ │ │ │ │производитель- │
│ │ │ │ │ │ │ │ностью, │
│ │ │ │ │ │ │ │многократно │
│ │ │ │ │ │ │ │превышающей │
│ │ │ │ │ │ │ │предельную │
│ │ │ │ │ │ │ │производитель- │
│ │ │ │ │ │ │ │ность │
│ │ │ │ │ │ │ │электронных │
│ │ │ │ │ │ │ │информационно- │
│ │ │ │ │ │ │ │обрабатывающих │
│ │ │ │ │ │ │ │систем (в том │
│ │ │ │ │ │ │ │числе │
│ │ │ │ │ │ │ │разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │выращивания │
│ │ │ │ │ │ │ │функциональ- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных │
│ │ │ │ │ │ │ │полупроводни- │
│ │ │ │ │ │ │ │ковых │
│ │ │ │ │ │ │ │гетерострук- │
│ │ │ │ │ │ │ │тур, │
│ │ │ │ │ │ │ │диагностика и │
│ │ │ │ │ │ │ │сертификация │
│ │ │ │ │ │ │ │функциональных │
│ │ │ │ │ │ │ │параметров, │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │образцов │
│ │ │ │ │ │ │ │систем); │
│ │ │ │ │ │ │ │создание на │
│ │ │ │ │ │ │ │основе │
│ │ │ │ │ │ │ │полупроводни- │
│ │ │ │ │ │ │ │ковых │
│ │ │ │ │ │ │ │гетероструктур │
│ │ │ │ │ │ │ │новых типов │
│ │ │ │ │ │ │ │оптоэлектрон- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных │
│ │ │ │ │ │ │ │компонентов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│61. │Разработка │ 10,8 │ 12,8 │ 8,6 │ 12 │ 12 │создание │
│ │охлаждаемых │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │светочувстви- │
│ │полупроводниковых │ 5,4 │ 6,4 │ 4,3 │ 6 │ 6 │тельных │
│ │структур и устройств│ │ │ │ │ │многоэлемент- │
│ │на их основе,│ │ │ │ │ │ных структур, │
│ │технологий │ │ │ │ │ │охлаждаемых │
│ │производства │ │ │ │ │ │фотоприемных │
│ │крупноформатных │ │ │ │ │ │устройств, в │
│ │матричных │ │ │ │ │ │том числе │
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │двухцветных │
│ │комплексов на основе│ │ │ │ │ │субматричных │
│ │фотодиодов из│ │ │ │ │ │фотоприемни- │
│ │теллурида │ │ │ │ │ │ков; │
│ │кадмия-ртути, │ │ │ │ │ │создание │
│ │двухцветных │ │ │ │ │ │базовой │
│ │матричных │ │ │ │ │ │системы │
│ │фотоприемников на│ │ │ │ │ │автоматизиро- │
│ │гетероструктурах с│ │ │ │ │ │ванного │
│ │квантовыми ямами│ │ │ │ │ │проектирования │
│ │ИК-диапазона спектра│ │ │ │ │ │охлаждаемых │
│ │(3...5 и 8..12 мкм).│ │ │ │ │ │матричных │
│ │Разработка │ │ │ │ │ │фотоприемных │
│ │базовой системы │ │ │ │ │ │устройств │
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │ │
│ │проектирования │ │ │ │ │ │ │
│ │охлаждаемых │ │ │ │ │ │ │
│ │матричных │ │ │ │ │ │ │
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │ │
│ │устройств │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│62. │Разработка │ 1 │ 1 │ 1,8 │ 1,8 │ 2 │организация │
│ │гетероэпитаксиальных│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │серийного │
│ │структур │ 0,5 │ 0,5 │ 0,9 │ 0,9 │ 1 │производства │
│ │фоточувствительных │ │ │ │ │ │типового ряда │
│ │слоев полноформатной│ │ │ │ │ │тепловизионной │
│ │ИК-матрицы и│ │ │ │ │ │техники │
│ │производственно-тех-│ │ │ │ │ │двойного │
│ │нологического базиса│ │ │ │ │ │назначения в │
│ │создания │ │ │ │ │ │спектральной │
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │области 3...5 │
│ │устройств с│ │ │ │ │ │мкм с │
│ │использованием │ │ │ │ │ │чувствительно- │
│ │современных │ │ │ │ │ │стью на уровне │
│ │кремниевых │ │ │ │ │ │лучших │
│ │мультиплексоров │ │ │ │ │ │зарубежных │
│ │ │ │ │ │ │ │аналогов (не │
│ │ │ │ │ │ │ │более 5х10(7) │
│ │ │ │ │ │ │ │Вт/см2) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│63. │Разработка │ - │ 1,4 │ │ │ │развитие │
│ │МОС-гидридных │ │ ────── │ │ │ │МОС-гидридной │
│ │эпитаксиальных │ │ 0,7 │ │ │ │эпитаксии │
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │позволит │
│ │гетероструктур │ │ │ │ │ │наладить │
│ │ │ │ │ │ │ │выпуск │
│ │ │ │ │ │ │ │высококачест- │
│ │ │ │ │ │ │ │венных │
│ │ │ │ │ │ │ │гетероструктур │
│ │ │ │ │ │ │ │на соединениях │
│ │ │ │ │ │ │ │InGaAlAs(P) с │
│ │ │ │ │ │ │ │толщинами │
│ │ │ │ │ │ │ │квантовых ям │
│ │ │ │ │ │ │ │до 10 Е и │
│ │ │ │ │ │ │ │планарной │
│ │ │ │ │ │ │ │однородностью │
│ │ │ │ │ │ │ │электрофизи- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческих и │
│ │ │ │ │ │ │ │оптических │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристик │
│ │ │ │ │ │ │ │на уровне 1% │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │на их основе │
│ │ │ │ │ │ │ │квантовокас- │
│ │ │ │ │ │ │ │кадных лазеров │
│ │ │ │ │ │ │ │среднего │
│ │ │ │ │ │ │ │ИК-диапазона, │
│ │ │ │ │ │ │ │фотокатодов │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │электронно-оп- │
│ │ │ │ │ │ │ │тических │
│ │ │ │ │ │ │ │преобразовате- │
│ │ │ │ │ │ │ │лей │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│64. │Разработка │ - │ 0,6 │ │ │ │создание │
│ │протяженных активных│ │ ────── │ │ │ │активных │
│ │элементов длиной до│ │ 0,3 │ │ │ │элементов │
│ │120 мм из кристаллов│ │ │ │ │ │длиной 120 мм, │
│ │KYW:Tm │ │ │ │ │ │генерирующих в │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазоне │
│ │ │ │ │ │ │ │1,85-1,95 мкм │
│ │ │ │ │ │ │ │из кристаллов │
│ │ │ │ │ │ │ │KYW:Tm в │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасном для │
│ │ │ │ │ │ │ │глаз диапазоне │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│65. │Разработка │ - │ 0,6 │ │ │ │разработка │
│ │нелинейно-оптиче- │ │ ────── │ │ │ │нелинейно-оп- │
│ │ского материала на│ │ 0,3 │ │ │ │тического │
│ │основе │ │ │ │ │ │материала на │
│ │монокристаллов │ │ │ │ │ │основе │
│ │(Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 │ │ │ │ │ │монокристаллов │
│ │ │ │ │ │ │ │(Cd-Hg)Ga2(S-S │
│ │ │ │ │ │ │ │e)4 заданной │
│ │ │ │ │ │ │ │концентрации с │
│ │ │ │ │ │ │ │оптимизирован- │
│ │ │ │ │ │ │ │ными │
│ │ │ │ │ │ │ │свойствами для │
│ │ │ │ │ │ │ │конкретных │
│ │ │ │ │ │ │ │заданных типов │
│ │ │ │ │ │ │ │взаимодействия │
│ │ │ │ │ │ │ │с целью │
│ │ │ │ │ │ │ │разработки │
│ │ │ │ │ │ │ │генераторов │
│ │ │ │ │ │ │ │суммарной │
│ │ │ │ │ │ │ │частоты и │
│ │ │ │ │ │ │ │параметричес- │
│ │ │ │ │ │ │ │ких │
│ │ │ │ │ │ │ │преобразовате- │
│ │ │ │ │ │ │ │лей частоты │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│66. │Разработка мощных│ - │ 3,8 │ 11 │ │ │создание │
│ │одиночных │ │ ────── │ ───── │ │ │мощных │
│ │полупроводниковых │ │ 1,9 │ 5,5 │ │ │источников │
│ │лазеров (до 10 Вт),│ │ │ │ │ │накачки │
│ │лазерных линеек│ │ │ │ │ │лазерных │
│ │(50-150 Вт) и матриц│ │ │ │ │ │кристаллов на │
│ │(свыше 1 кВт),│ │ │ │ │ │диапазон длин │
│ │работающих в│ │ │ │ │ │волн 0,78-1,06 │
│ │непрерывном режиме │ │ │ │ │ │мкм с КПД ~50% │
│ │ │ │ │ │ │ │для систем │
│ │ │ │ │ │ │ │специального │
│ │ │ │ │ │ │ │назначения, а │
│ │ │ │ │ │ │ │также для │
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │в промышленных │
│ │ │ │ │ │ │ │технологичес- │
│ │ │ │ │ │ │ │ких установках │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│67. │Создание мощного│ - │ 4,6 │ 4 │ 4 │ 4 │создание │
│ │широкодиапазонного │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │фемтосекундно- │
│ │фемтосекундного │ │ 2,3 │ 2 │ 2 │ 2 │го лазерного │
│ │лазерного излучателя│ │ │ │ │ │излучателя с │
│ │на твердотельных│ │ │ │ │ │диодной │
│ │активных средах с│ │ │ │ │ │накачкой, │
│ │диодной накачкой │ │ │ │ │ │энергией в │
│ │ │ │ │ │ │ │импульсе до │
│ │ │ │ │ │ │ │100 мДж при │
│ │ │ │ │ │ │ │длительности │
│ │ │ │ │ │ │ │20-30 фс │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│68. │Создание │ - │ 1,6 │ 4,6 │ 5 │ 5,2 │разработка │
│ │твердотельных │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │высокоэффекти- │
│ │лазерных модулей с│ │ 0,8 │ 2,3 │ 2,5 │ 2,6 │вных │
│ │полупроводниковой │ │ │ │ │ │высокоресурс- │
│ │накачкой │ │ │ │ │ │ных │
│ │непрерывного │ │ │ │ │ │многоцветных │
│ │излучения мощностью│ │ │ │ │ │(видимого │
│ │до 10 Вт с длинами│ │ │ │ │ │диапазона) │
│ │волн 0,4-0,7 мкм │ │ │ │ │ │лазерных │
│ │ │ │ │ │ │ │модулей с │
│ │ │ │ │ │ │ │полупроводни- │
│ │ │ │ │ │ │ │ковой накачкой │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │информационных │
│ │ │ │ │ │ │ │, │
│ │ │ │ │ │ │ │технологичес- │
│ │ │ │ │ │ │ │ких и │
│ │ │ │ │ │ │ │медицинских │
│ │ │ │ │ │ │ │целей, а также │
│ │ │ │ │ │ │ │в интересах │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов │
│ │ │ │ │ │ │ │специального │
│ │ │ │ │ │ │ │назначения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│69. │Разработка и│ - │ 1,6 │ 4,6 │ 5 │ 5,2 │создание │
│ │создание типового│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │модульной │
│ │ряда непрерывных│ │ 0,8 │ 2,3 │ 2,5 │ 2,6 │конструкции │
│ │твердотельных │ │ │ │ │ │излучателя, │
│ │лазеров с накачкой│ │ │ │ │ │позволяющей │
│ │линейками лазерных│ │ │ │ │ │наращивать │
│ │диодов средней│ │ │ │ │ │мощность от 10 │
│ │мощностью до 100 Вт │ │ │ │ │ │до 100 Вт │
│ │ │ │ │ │ │ │выходного │
│ │ │ │ │ │ │ │излучения на │
│ │ │ │ │ │ │ │осевом типе │
│ │ │ │ │ │ │ │колебаний с │
│ │ │ │ │ │ │ │дифракционной │
│ │ │ │ │ │ │ │расходимостью │
│ │ │ │ │ │ │ │КПД излучателя │
│ │ │ │ │ │ │ │- более 50% от │
│ │ │ │ │ │ │ │мощности │
│ │ │ │ │ │ │ │накачки │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│70. │Разработка и│ - │ 2,6 │ 7,8 │ 3,6 │ 3,6 │создание │
│ │создание базовой│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │экономичных │
│ │модели │ │ 1,3 │ 3,9 │ 1,8 │ 1,8 │мощных │
│ │технологического │ │ │ │ │ │кристалличес- │
│ │лазерного │ │ │ │ │ │ких источников │
│ │излучателя средней│ │ │ │ │ │лазерного │
│ │мощностью 1 кВт на │ │ │ │ │ │излучения │
│ │основе │ │ │ │ │ │мощностью до 1 │
│ │кристаллических │ │ │ │ │ │кВт с │
│ │активных сред с│ │ │ │ │ │полупроводни- │
│ │накачкой │ │ │ │ │ │ковой накачкой │
│ │полупроводниковыми │ │ │ │ │ │для применения │
│ │лазерами │ │ │ │ │ │в различных │
│ │ │ │ │ │ │ │технологиях │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│71. │Разработка │ - │ 0,6 │ 1,8 │ │ │разработка │
│ │микролазеров на│ │ ────── │ ───── │ │ │микролазеров │
│ │основе │ │ 0,3 │ 0,9 │ │ │для диапазонов │
│ │активированных │ │ │ │ │ │1,3-1,5 мкм и │
│ │монокристаллических │ │ │ │ │ │3.0 мкм с │
│ │оптических волокон и│ │ │ │ │ │диодной │
│ │пленочных структур │ │ │ │ │ │накачкой с │
│ │ │ │ │ │ │ │целью │
│ │ │ │ │ │ │ │применения в │
│ │ │ │ │ │ │ │медицине, │
│ │ │ │ │ │ │ │технике и │
│ │ │ │ │ │ │ │телекоммуника- │
│ │ │ │ │ │ │ │циях │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│72. │Создание ряда│ - │ - │ │ │ │создание: │
│ │высокоэффективных │ │ ────── │ │ │ │эксимерных │
│ │непрерывных и│ │ │ │ │ │лазеров │
│ │импульсно-периодиче-│ │ │ │ │ │ультрафиолето- │
│ │ских газовых лазеров│ │ │ │ │ │вого диапазона │
│ │УФ-, видимого и ИК-│ │ │ │ │ │спектра на │
│ │диапазонов для│ │ │ │ │ │длинах волн │
│ │использования в│ │ │ │ │ │157 нм, 193 │
│ │лазерных технологиях│ │ │ │ │ │нм, 248 нм и │
│ │различного │ │ │ │ │ │308 нм с │
│ │назначения. │ │ │ │ │ │энергией в │
│ │Разработка │ │ │ │ │ │импульсе до │
│ │нормативной базы │ │ │ │ │ │200 МДж для │
│ │ │ │ │ │ │ │отжига и │
│ │ │ │ │ │ │ │кристаллизации │
│ │ │ │ │ │ │ │поверхностей │
│ │ │ │ │ │ │ │полупроводни- │
│ │ │ │ │ │ │ │ковых │
│ │ │ │ │ │ │ │материалов; │
│ │ │ │ │ │ │ │микроструктур, │
│ │ │ │ │ │ │ │а также │
│ │ │ │ │ │ │ │реализации │
│ │ │ │ │ │ │ │новых методов │
│ │ │ │ │ │ │ │лечения │
│ │ │ │ │ │ │ │заболеваний в │
│ │ │ │ │ │ │ │области │
│ │ │ │ │ │ │ │кардиохирур- │
│ │ │ │ │ │ │ │гии, │
│ │ │ │ │ │ │ │дерматологии, │
│ │ │ │ │ │ │ │офтальмологии │
│ │ │ │ │ │ │ │и др.; │
│ │ │ │ │ │ │ │опытных │
│ │ │ │ │ │ │ │образцов │
│ │ │ │ │ │ │ │цельнометалли- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческих │
│ │ │ │ │ │ │ │компактных │
│ │ │ │ │ │ │ │отпаянных │
│ │ │ │ │ │ │ │СО2-лазеров с │
│ │ │ │ │ │ │ │ресурсом не │
│ │ │ │ │ │ │ │менее 10000 │
│ │ │ │ │ │ │ │часов, в том │
│ │ │ │ │ │ │ │числе │
│ │ │ │ │ │ │ │волноводных │
│ │ │ │ │ │ │ │лазеров с │
│ │ │ │ │ │ │ │планарной │
│ │ │ │ │ │ │ │геометрией с │
│ │ │ │ │ │ │ │ВЧ разрядом с │
│ │ │ │ │ │ │ │мощностью до 1 │
│ │ │ │ │ │ │ │кВт для │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии и │
│ │ │ │ │ │ │ │медицины и │
│ │ │ │ │ │ │ │перестраивае- │
│ │ │ │ │ │ │ │мых лазеров с │
│ │ │ │ │ │ │ │ВЧ разрядом с │
│ │ │ │ │ │ │ │компьютерным │
│ │ │ │ │ │ │ │управлением │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │спектроскопи- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческих │
│ │ │ │ │ │ │ │применений, │
│ │ │ │ │ │ │ │включая лидары │
│ │ │ │ │ │ │ │(аналоги │
│ │ │ │ │ │ │ │отсутствуют); │
│ │ │ │ │ │ │ │ряда щелевых │
│ │ │ │ │ │ │ │отпаянных │
│ │ │ │ │ │ │ │СО2-лазеров с │
│ │ │ │ │ │ │ │уровнем │
│ │ │ │ │ │ │ │выходной │
│ │ │ │ │ │ │ │мощности от │
│ │ │ │ │ │ │ │0,1 до 1,5 │
│ │ │ │ │ │ │ │кВт, ряда │
│ │ │ │ │ │ │ │образцов │
│ │ │ │ │ │ │ │лазеров на │
│ │ │ │ │ │ │ │парах меди с │
│ │ │ │ │ │ │ │уровнем │
│ │ │ │ │ │ │ │выходной │
│ │ │ │ │ │ │ │мощности от 10 │
│ │ │ │ │ │ │ │до 100 Вт и │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии их │
│ │ │ │ │ │ │ │изготовления, │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │образцов │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерных │
│ │ │ │ │ │ │ │технологичес- │
│ │ │ │ │ │ │ │ких комплексов │
│ │ │ │ │ │ │ │на основе │
│ │ │ │ │ │ │ │щелевых │
│ │ │ │ │ │ │ │СО2-лазеров и │
│ │ │ │ │ │ │ │лазеров на │
│ │ │ │ │ │ │ │парах меди; │
│ │ │ │ │ │ │ │типового ряда │
│ │ │ │ │ │ │ │СО2-лазеров с │
│ │ │ │ │ │ │ │ВЧ-накачкой │
│ │ │ │ │ │ │ │активной среды │
│ │ │ │ │ │ │ │с мощностью │
│ │ │ │ │ │ │ │1,5; 2,5 и 5 │
│ │ │ │ │ │ │ │кВт, ресурсом │
│ │ │ │ │ │ │ │работы более │
│ │ │ │ │ │ │ │5000 часов, │
│ │ │ │ │ │ │ │стабильностью │
│ │ │ │ │ │ │ │излучения не │
│ │ │ │ │ │ │ │менее 2% и │
│ │ │ │ │ │ │ │расходимостью │
│ │ │ │ │ │ │ │дифракционного │
│ │ │ │ │ │ │ │качества │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│73. │Разработка │ - │ 5,8 │ 9,2 │ 5 │ 5 │разработка │
│ │перспективной │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │базовых │
│ │элементной базы для│ │ 2,9 │ 4,6 │ 2,5 │ 2,5 │модулей, │
│ │лазерных локаторов│ │ │ │ │ │определяющих │
│ │дальнего действия │ │ │ │ │ │основные │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристики │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерных │
│ │ │ │ │ │ │ │локаторов и │
│ │ │ │ │ │ │ │информационных │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерных │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов, в │
│ │ │ │ │ │ │ │том числе: │
│ │ │ │ │ │ │ │3-координатных │
│ │ │ │ │ │ │ │приемных │
│ │ │ │ │ │ │ │модулей с │
│ │ │ │ │ │ │ │чувствительно- │
│ │ │ │ │ │ │ │стью до │
│ │ │ │ │ │ │ │3х10-17 Дж; │
│ │ │ │ │ │ │ │гибридных │
│ │ │ │ │ │ │ │телевизионных │
│ │ │ │ │ │ │ │приемных │
│ │ │ │ │ │ │ │модулей с │
│ │ │ │ │ │ │ │чувствительно- │
│ │ │ │ │ │ │ │стью до │
│ │ │ │ │ │ │ │3х10-18 Дж на │
│ │ │ │ │ │ │ │элемент; │
│ │ │ │ │ │ │ │быстродейству- │
│ │ │ │ │ │ │ │ющих │
│ │ │ │ │ │ │ │сканирующих │
│ │ │ │ │ │ │ │устройств с │
│ │ │ │ │ │ │ │полосой │
│ │ │ │ │ │ │ │пропускания не │
│ │ │ │ │ │ │ │менее 1 кГц и │
│ │ │ │ │ │ │ │апертурой │
│ │ │ │ │ │ │ │20-200 млм; │
│ │ │ │ │ │ │ │модулей │
│ │ │ │ │ │ │ │усиления │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерного │
│ │ │ │ │ │ │ │сигнала с │
│ │ │ │ │ │ │ │энергией в │
│ │ │ │ │ │ │ │импульсе │
│ │ │ │ │ │ │ │10-14-10-12 до │
│ │ │ │ │ │ │ │значения 1 Дж │
│ │ │ │ │ │ │ │на основе │
│ │ │ │ │ │ │ │явления │
│ │ │ │ │ │ │ │вынужденного │
│ │ │ │ │ │ │ │рассеивания в │
│ │ │ │ │ │ │ │нелинейных │
│ │ │ │ │ │ │ │средах. │
│ │ │ │ │ │ │ │Внедрение │
│ │ │ │ │ │ │ │создаваемых │
│ │ │ │ │ │ │ │ключевых │
│ │ │ │ │ │ │ │элементов в │
│ │ │ │ │ │ │ │новые │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексы │
│ │ │ │ │ │ │ │позволит в │
│ │ │ │ │ │ │ │5...10 раз │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшить │
│ │ │ │ │ │ │ │ошибки │
│ │ │ │ │ │ │ │слежения │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов за │
│ │ │ │ │ │ │ │динамическими │
│ │ │ │ │ │ │ │объектами, │
│ │ │ │ │ │ │ │сократить │
│ │ │ │ │ │ │ │время обзора │
│ │ │ │ │ │ │ │контролируемо- │
│ │ │ │ │ │ │ │го │
│ │ │ │ │ │ │ │пространства, │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличить │
│ │ │ │ │ │ │ │дальность │
│ │ │ │ │ │ │ │наблюдения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│74. │Разработка лазерных│ - │ 2,2 │ 6,4 │ 6,6 │ 6,6 │создание │
│ │стереодатчиков для│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │лазерных │
│ │робототехнических │ │ 1,1 │ 3,2 │ 3,3 │ 3,3 │стереодатчиков │
│ │комплексов, лазерных│ │ │ │ │ │с точностью │
│ │дальномеров │ │ │ │ │ │измерения │
│ │ │ │ │ │ │ │дальности │
│ │ │ │ │ │ │ │0,1-0,3% │
│ │ │ │ │ │ │ │позволит на │
│ │ │ │ │ │ │ │порядок │
│ │ │ │ │ │ │ │сократить │
│ │ │ │ │ │ │ │время │
│ │ │ │ │ │ │ │измерительных │
│ │ │ │ │ │ │ │операций в │
│ │ │ │ │ │ │ │машинострое- │
│ │ │ │ │ │ │ │нии, на │
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │магистралях, в │
│ │ │ │ │ │ │ │медицине │
│ │ │ │ │ │ │ │(например, при │
│ │ │ │ │ │ │ │изготовлении │
│ │ │ │ │ │ │ │ортопедических │
│ │ │ │ │ │ │ │изделий), │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечить │
│ │ │ │ │ │ │ │автоматизацию │
│ │ │ │ │ │ │ │управления │
│ │ │ │ │ │ │ │полетов │
│ │ │ │ │ │ │ │летательных │
│ │ │ │ │ │ │ │аппаратов на │
│ │ │ │ │ │ │ │сверхмалых │
│ │ │ │ │ │ │ │высотах и при │
│ │ │ │ │ │ │ │посадке │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│75. │Разработка новых│ - │ 1,6 │ 4,6 │ 5 │ 5,2 │создание │
│ │высокоэффективных │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │нового класса │
│ │оптических сред на│ │ 0,8 │ 2,3 │ 2,5 │ 2,6 │кристаллов для │
│ │основе кристаллов│ │ │ │ │ │крупногабарит- │
│ │германия, двойных│ │ │ │ │ │ных оптических │
│ │вольфраматов и│ │ │ │ │ │окон, │
│ │боратов, алюминиевой│ │ │ │ │ │проходной │
│ │шпинели, нелинейного│ │ │ │ │ │оптики, │
│ │кристалла КРТ,│ │ │ │ │ │работающей в │
│ │халькогенидных │ │ │ │ │ │экстремальных │
│ │стекол и стекол на│ │ │ │ │ │условиях, для │
│ │основе сульфидов│ │ │ │ │ │видимого и │
│ │цинка и свинца │ │ │ │ │ │ИК-диапазонов │
│ │ │ │ │ │ │ │и микролазеров │
│ │ │ │ │ │ │ │с диодной │
│ │ │ │ │ │ │ │накачкой │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│76. │Совершенствование │ 8,4 │ 8,4 │ 3,6 │ │ │создание │
│ │технологии │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │промышленных │
│ │производства │ 4,2 │ 4,2 │ 1,8 │ │ │образцов │
│ │оптического волокна│ │ │ │ │ │оптического │
│ │и оптоволоконных│ │ │ │ │ │волокна для │
│ │датчиков, в том│ │ │ │ │ │линий связи со │
│ │числе активного│ │ │ │ │ │сверхнизкими │
│ │волокна, волноводных│ │ │ │ │ │потерями и │
│ │планарных и│ │ │ │ │ │оптических │
│ │канальных структур│ │ │ │ │ │линий передачи │
│ │на различных│ │ │ │ │ │информации; │
│ │материалах │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │образцов │
│ │ │ │ │ │ │ │датчиков │
│ │ │ │ │ │ │ │физических │
│ │ │ │ │ │ │ │величин для │
│ │ │ │ │ │ │ │контроля │
│ │ │ │ │ │ │ │производствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных процессов │
│ │ │ │ │ │ │ │в │
│ │ │ │ │ │ │ │машинострое- │
│ │ │ │ │ │ │ │нии, атомной │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетике, │
│ │ │ │ │ │ │ │химической │
│ │ │ │ │ │ │ │промышленнос- │
│ │ │ │ │ │ │ │ти; разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │базовой │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │получения │
│ │ │ │ │ │ │ │активного │
│ │ │ │ │ │ │ │волокна, │
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющего │
│ │ │ │ │ │ │ │усиливать │
│ │ │ │ │ │ │ │оптические │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналы в │
│ │ │ │ │ │ │ │магистральных │
│ │ │ │ │ │ │ │линиях связи, │
│ │ │ │ │ │ │ │что позволит │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличить │
│ │ │ │ │ │ │ │расстояния │
│ │ │ │ │ │ │ │между │
│ │ │ │ │ │ │ │ретранслятора- │
│ │ │ │ │ │ │ │ми до 200 км │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│77. │Разработка гаммы│ - │ - │ │ │ │создание │
│ │оптических волокон с│ │ │ │ │ │двулучепрелом- │
│ │повышенными │ │ │ │ │ │ляющего │
│ │оптическими и│ │ │ │ │ │одномодового │
│ │механическими │ │ │ │ │ │волокна с │
│ │характеристиками │ │ │ │ │ │повышенной │
│ │ │ │ │ │ │ │устойчивостью │
│ │ │ │ │ │ │ │к изгибам и │
│ │ │ │ │ │ │ │высокопрозрач- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного в │
│ │ │ │ │ │ │ │УФ-области │
│ │ │ │ │ │ │ │низкодисперси- │
│ │ │ │ │ │ │ │онного волокна │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │диагностики │
│ │ │ │ │ │ │ │плазмы │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│78. │Разработка │ - │ - │ 4,6 │ │ │разработка │
│ │радиационно-стойких │ │ │ ───── │ │ │номенклатуры │
│ │стекол с особыми│ │ │ 2,3 │ │ │стекол, │
│ │оптическими и│ │ │ │ │ │необходимой │
│ │термооптическими │ │ │ │ │ │для создания │
│ │свойствами для│ │ │ │ │ │космической │
│ │высокоразрешающих │ │ │ │ │ │оптики; │
│ │аэрокосмических │ │ │ │ │ │расширение │
│ │фотографических │ │ │ │ │ │номенклатуры │
│ │объективов │ │ │ │ │ │атермальных │
│ │ │ │ │ │ │ │стекол для │
│ │ │ │ │ │ │ │упрощения │
│ │ │ │ │ │ │ │конструкции │
│ │ │ │ │ │ │ │изделия, │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшения │
│ │ │ │ │ │ │ │требований по │
│ │ │ │ │ │ │ │термостабили- │
│ │ │ │ │ │ │ │зации │
│ │ │ │ │ │ │ │космического │
│ │ │ │ │ │ │ │комплекса в │
│ │ │ │ │ │ │ │целом │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│79. │Разработка особо│ - │ 2,2 │ │ 6,8 │ 7 │создание новых │
│ │чистых веществ для│ │ ────── │ │ ────── │ ───── │химических │
│ │новых марок│ │ 1,1 │ │ 3,4 │ 3,5 │продуктов для │
│ │оптических стекол │ │ │ │ │ │получения │
│ │ │ │ │ │ │ │оптических │
│ │ │ │ │ │ │ │стекол с │
│ │ │ │ │ │ │ │повышенными │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристи- │
│ │ │ │ │ │ │ │ками │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│80. │Разработка образцов│ - │ 1,2 │ │ 3,6 │ 3,6 │разработка и │
│ │сравнения и лазерных│ │ ────── │ │ ────── │ ───── │опытное │
│ │отражателей с│ │ 0,6 │ │ 1,8 │ 1,8 │производство │
│ │высокими │ │ │ │ │ │образцов │
│ │эксплуатационными │ │ │ │ │ │высокоэффекти- │
│ │свойствами в УФ-,│ │ │ │ │ │вных │
│ │видимой и ИК-│ │ │ │ │ │отражателей │
│ │областях спектра на│ │ │ │ │ │для │
│ │базе │ │ │ │ │ │твердотельных │
│ │высокоотражающих │ │ │ │ │ │лазеров │
│ │диффузионных │ │ │ │ │ │видимого и │
│ │материалов │ │ │ │ │ │ближнего │
│ │ │ │ │ │ │ │ИК-диапазонов │
│ │ │ │ │ │ │ │и элементной │
│ │ │ │ │ │ │ │базы │
│ │ │ │ │ │ │ │оптико-элект- │
│ │ │ │ │ │ │ │ронных │
│ │ │ │ │ │ │ │приборов │
│ │ │ │ │ │ │ │(интегрирующие │
│ │ │ │ │ │ │ │сферы, │
│ │ │ │ │ │ │ │ламбертовские │
│ │ │ │ │ │ │ │ослабители, │
│ │ │ │ │ │ │ │стандартные │
│ │ │ │ │ │ │ │образцы │
│ │ │ │ │ │ │ │сравнения и │
│ │ │ │ │ │ │ │т.д.); │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │эффективности │
│ │ │ │ │ │ │ │твердотельных │
│ │ │ │ │ │ │ │лазеров, │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличение │
│ │ │ │ │ │ │ │ресурса их │
│ │ │ │ │ │ │ │работы, │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │себестоимости │
│ │ │ │ │ │ │ │и возможность │
│ │ │ │ │ │ │ │создания │
│ │ │ │ │ │ │ │фотометричес- │
│ │ │ │ │ │ │ │ких и │
│ │ │ │ │ │ │ │спектрофотоме- │
│ │ │ │ │ │ │ │трических │
│ │ │ │ │ │ │ │приборов │
│ │ │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│81. │Разработка │ - │ 1,2 │ │ │ │создание │
│ │одномодового волокна│ │ ────── │ │ │ │фотоннокриста- │
│ │на основе│ │ 0,6 │ │ │ │ллических │
│ │фотоннокристалличес-│ │ │ │ │ │структур и │
│ │ких структур │ │ │ │ │ │разработка на │
│ │ │ │ │ │ │ │их основе │
│ │ │ │ │ │ │ │оптического │
│ │ │ │ │ │ │ │волокна, │
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющего │
│ │ │ │ │ │ │ │реализовать │
│ │ │ │ │ │ │ │одномодовый │
│ │ │ │ │ │ │ │режим │
│ │ │ │ │ │ │ │распределения │
│ │ │ │ │ │ │ │в широком │
│ │ │ │ │ │ │ │спектральном │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазоне │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│82. │Создание │ - │ 3,2 │ 9,6 │ 9,8 │ 10,6 │разработка │
│ │фотолитографического│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │объективов на │
│ │объектива для│ │ 1,6 │ 4,8 │ 4,9 │ 5,3 │основе │
│ │тиражирования │ │ │ │ │ │отечественного │
│ │сверхбольших │ │ │ │ │ │флюорита для │
│ │интегральных схем с│ │ │ │ │ │формирования │
│ │элементами │ │ │ │ │ │изображения на │
│ │разрешения 0,15-0,18│ │ │ │ │ │длине волны │
│ │мкм и стенда для его│ │ │ │ │ │193 нм │
│ │сборки, юстировки и│ │ │ │ │ │(эксимерный │
│ │испытаний │ │ │ │ │ │лазер) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│83. │Разработка │ - │ 1,2 │ 3,6 │ │ │создание │
│ │управляемых │ │ ────── │ ───── │ │ │управляемых │
│ │интерференционных │ │ 0,6 │ 1,8 │ │ │интерференцио- │
│ │тонкопленочных │ │ │ │ │ │нных покрытий │
│ │элементов на основе│ │ │ │ │ │и элементов на │
│ │явления фазового│ │ │ │ │ │их основе, │
│ │перехода │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │полупроводник-металл│ │ │ │ │ │исключение │
│ │в тонких слоях│ │ │ │ │ │возможной │
│ │оксида ванадия и их│ │ │ │ │ │взаимной │
│ │модификациях, │ │ │ │ │ │диффузии и │
│ │полученных за счет│ │ │ │ │ │химических │
│ │интегрирования с│ │ │ │ │ │реакций между │
│ │другими родственными│ │ │ │ │ │слоями и │
│ │материалами │ │ │ │ │ │подложкой в │
│ │ │ │ │ │ │ │условиях │
│ │ │ │ │ │ │ │высоких │
│ │ │ │ │ │ │ │температур и с │
│ │ │ │ │ │ │ │глубоким │
│ │ │ │ │ │ │ │подавлением │
│ │ │ │ │ │ │ │мешающего │
│ │ │ │ │ │ │ │излучения в │
│ │ │ │ │ │ │ │видимой и │
│ │ │ │ │ │ │ │ближней │
│ │ │ │ │ │ │ │ИК-областях │
│ │ │ │ │ │ │ │спектра │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│84. │Разработка новых│ - │ 1,6 │ 4,6 │ │ │восстановление │
│ │оптических клеев для│ │ ────── │ ───── │ │ │производства │
│ │склеивания │ │ 0,8 │ 2,3 │ │ │оптических │
│ │оптических элементов│ │ │ │ │ │клеев, не │
│ │между собой и с│ │ │ │ │ │уступающих │
│ │элементами │ │ │ │ │ │зарубежным │
│ │конструкций приборов│ │ │ │ │ │аналогам │
│ │назначения │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│85. │Разработка │ - │ 1,6 │ │ 5 │ 5,2 │разработка │
│ │оптоэлектронных │ │ ────── │ │ ────── │ ───── │средств │
│ │модулей с│ │ 0,8 │ │ 2,5 │ 2,6 │контроля и │
│ │использованием │ │ │ │ │ │мониторинга │
│ │методов │ │ │ │ │ │атмосферы │
│ │Фурье-спектрометрии,│ │ │ │ │ │земной и │
│ │в том числе│ │ │ │ │ │водной │
│ │многоканальных │ │ │ │ │ │поверхности по │
│ │ │ │ │ │ │ │выявлению │
│ │ │ │ │ │ │ │выбросов │
│ │ │ │ │ │ │ │опасных, в том │
│ │ │ │ │ │ │ │числе │
│ │ │ │ │ │ │ │отравляющих, │
│ │ │ │ │ │ │ │газов в │
│ │ │ │ │ │ │ │чрезвычайных │
│ │ │ │ │ │ │ │ситуациях, │
│ │ │ │ │ │ │ │утечек │
│ │ │ │ │ │ │ │газопроводов, │
│ │ │ │ │ │ │ │аномалий │
│ │ │ │ │ │ │ │распределения │
│ │ │ │ │ │ │ │природных │
│ │ │ │ │ │ │ │газов и др. │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│86. │Разработка стенда│ - │ 1,6 │ │ 5 │ 5,2 │разработка │
│ │метрологии │ │ ────── │ │ ────── │ ───── │методов и │
│ │функциональных │ │ 0,8 │ │ 2,5 │ 2,6 │создание │
│ │характеристик │ │ │ │ │ │аппаратуры для │
│ │элементов │ │ │ │ │ │измерения │
│ │терагерцовой │ │ │ │ │ │функциональных │
│ │фотоники, │ │ │ │ │ │характеристик │
│ │спинтроники и│ │ │ │ │ │полупроводни- │
│ │ИК-оптоэлектроники │ │ │ │ │ │ковых │
│ │на полупроводниковых│ │ │ │ │ │гетероструктур │
│ │гетероструктурах │ │ │ │ │ │и системного │
│ │ │ │ │ │ │ │моделирования │
│ │ │ │ │ │ │ │функций: (i) - │
│ │ │ │ │ │ │ │параллельной │
│ │ │ │ │ │ │ │оптической │
│ │ │ │ │ │ │ │логики, (ii) - │
│ │ │ │ │ │ │ │квантовой │
│ │ │ │ │ │ │ │(фотонной) │
│ │ │ │ │ │ │ │логики, (iii) │
│ │ │ │ │ │ │ │- оперативной │
│ │ │ │ │ │ │ │оптической │
│ │ │ │ │ │ │ │памяти, │
│ │ │ │ │ │ │ │основанной на │
│ │ │ │ │ │ │ │оптической │
│ │ │ │ │ │ │ │ориентации │
│ │ │ │ │ │ │ │спинов, (iv) - │
│ │ │ │ │ │ │ │чтения битовых │
│ │ │ │ │ │ │ │и аналоговых │
│ │ │ │ │ │ │ │(в т. ч. │
│ │ │ │ │ │ │ │тепловых) │
│ │ │ │ │ │ │ │изображений и │
│ │ │ │ │ │ │ │(v) - │
│ │ │ │ │ │ │ │квантовой │
│ │ │ │ │ │ │ │голографичес- │
│ │ │ │ │ │ │ │кой │
│ │ │ │ │ │ │ │телепортации │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│87. │Разработка │ - │ 2 │ 4,6 │ 6,4 │ 5,2 │создание │
│ │акустически │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │оптоволоконных │
│ │управляемых │ │ 1 │ 2,3 │ 3,2 │ 2,6 │устройств │
│ │оптоволоконных │ │ │ │ │ │(модуляторов, │
│ │устройств, электро-│ │ │ │ │ │перестраивае- │
│ │и светоуправляемых│ │ │ │ │ │мых фильтров) │
│ │жидкокристаллических│ │ │ │ │ │с акустическим │
│ │устройств для│ │ │ │ │ │управлением │
│ │недисплейных │ │ │ │ │ │параметрами │
│ │применений, а также│ │ │ │ │ │пропускаемого │
│ │голографических │ │ │ │ │ │через волокно │
│ │технологий создания│ │ │ │ │ │света на │
│ │нейроподобных систем│ │ │ │ │ │основе │
│ │ │ │ │ │ │ │пьезоэлектри- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческих пленок │
│ │ │ │ │ │ │ │ZnO со │
│ │ │ │ │ │ │ │значительно │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшенными │
│ │ │ │ │ │ │ │оптическими │
│ │ │ │ │ │ │ │потерями и │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличенными │
│ │ │ │ │ │ │ │функциональны- │
│ │ │ │ │ │ │ │ми │
│ │ │ │ │ │ │ │возможностями; │
│ │ │ │ │ │ │ │применение │
│ │ │ │ │ │ │ │устройств в │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудовании │
│ │ │ │ │ │ │ │связи, │
│ │ │ │ │ │ │ │волоконных │
│ │ │ │ │ │ │ │интерферомет- │
│ │ │ │ │ │ │ │рах, │
│ │ │ │ │ │ │ │гироскопах, │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │дальнометрии, │
│ │ │ │ │ │ │ │нелинейной │
│ │ │ │ │ │ │ │оптики и др.; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии и │
│ │ │ │ │ │ │ │изготовление │
│ │ │ │ │ │ │ │пространствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │но-временных │
│ │ │ │ │ │ │ │модуляторов │
│ │ │ │ │ │ │ │света на │
│ │ │ │ │ │ │ │основе новых │
│ │ │ │ │ │ │ │материалов, а │
│ │ │ │ │ │ │ │также │
│ │ │ │ │ │ │ │быстродейству- │
│ │ │ │ │ │ │ │ющих │
│ │ │ │ │ │ │ │ЖК-модуляторов │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │в системах │
│ │ │ │ │ │ │ │оптической │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │информации, в │
│ │ │ │ │ │ │ │т. ч. для │
│ │ │ │ │ │ │ │записи │
│ │ │ │ │ │ │ │динамических │
│ │ │ │ │ │ │ │голограмм │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│88. │Разработка │ - │ 1,6 │ 4,6 │ 5 │ 5,2 │создание │
│ │многослойных │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │многослойных │
│ │оптических покрытий│ │ 0,8 │ 2,3 │ 2,5 │ 2,6 │оптических │
│ │на оптические│ │ │ │ │ │покрытий │
│ │элементы из│ │ │ │ │ │деталей из │
│ │материалов, │ │ │ │ │ │германия, │
│ │работающих в│ │ │ │ │ │кремния, │
│ │ИК-области спектра│ │ │ │ │ │лейкосапфира, │
│ │для нового поколения│ │ │ │ │ │оптической │
│ │тепловизионных │ │ │ │ │ │керамики и │
│ │приборов и приборов│ │ │ │ │ │др., │
│ │ночного видения │ │ │ │ │ │работающих в │
│ │ │ │ │ │ │ │ИК-области │
│ │ │ │ │ │ │ │спектра │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ 8. Радиокомпоненты и ЭВП │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│89. │Разработка типового│ - │ 6 │ 20 │ 20,8 │ 21,6 │создание │
│ │ряда │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │перспективных │
│ │электровакуумных │ │ 3 │ 10 │ 10,4 │ 10,8 │электровакуум- │
│ │приборов, │ │ │ │ │ │ных приборов, │
│ │коммутационных и│ │ │ │ │ │коммутационных │
│ │пассивных │ │ │ │ │ │и пассивных │
│ │радиоэлектронных │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │компонентов, │ │ │ │ │ │ных │
│ │необходимых для│ │ │ │ │ │компонентов, │
│ │комплектации и│ │ │ │ │ │позволяющих │
│ │модернизации серийно│ │ │ │ │ │провести │
│ │выпускаемых образцов│ │ │ │ │ │модернизацию │
│ │ВВСТ, в том числе: │ │ │ │ │ │существующих │
│ │импульсные, │ │ │ │ │ │образцов ВВСТ │
│ │модуляторные, │ │ │ │ │ │с применением │
│ │генераторные и│ │ │ │ │ │современной │
│ │приемоусилительные │ │ │ │ │ │электронной │
│ │лампы; │ │ │ │ │ │компонентной │
│ │тиратроны; │ │ │ │ │ │базы и │
│ │разрядники; │ │ │ │ │ │возможность │
│ │фотоэлектронные │ │ │ │ │ │разработки │
│ │умножители; │ │ │ │ │ │электронных │
│ │электронно-лучевые │ │ │ │ │ │систем пятого │
│ │трубки; │ │ │ │ │ │поколения │
│ │магнитоуправляемые │ │ │ │ │ │ │
│ │контакты │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│90. │Разработка типового│ - │ 6 │ 4,4 │ │ │создание │
│ │ряда перспективных│ │ ────── │ ───── │ │ │ферритовых │
│ │приборов, │ │ 3 │ 2,2 │ │ │приборов, │
│ │трансформаторов, │ │ │ │ │ │устройств на │
│ │устройств на│ │ │ │ │ │МСВ и │
│ │магнитостатических │ │ │ │ │ │трансформато- │
│ │волнах и│ │ │ │ │ │ров │
│ │магнитоэлектрических│ │ │ │ │ │радиодиапазо- │
│ │приборов │ │ │ │ │ │на, позволяю- │
│ │микроволнового и│ │ │ │ │ │щих проводить │
│ │радиодиапазона, в│ │ │ │ │ │модернизацию │
│ │том числе: │ │ │ │ │ │существующих │
│ │высокодобротных │ │ │ │ │ │электронных │
│ │резонаторов; │ │ │ │ │ │систем и воз- │
│ │фазовращателей и│ │ │ │ │ │можность раз- │
│ │циркуляторов; │ │ │ │ │ │работки систем │
│ │вентилей и│ │ │ │ │ │пятого поколе- │
│ │ограничителей; │ │ │ │ │ │ния │
│ │перестраиваемых │ │ │ │ │ │ │
│ │фильтров; │ │ │ │ │ │ │
│ │переключателей │ │ │ │ │ │ │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ 9. Обеспечивающие работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│91. │Разработка │ - │ 13 │ 16 │ 4,2 │ 3 │создание баз│
│ │информационной среды│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │данных, │
│ │автоматизированного │ │ 6,5 │ 8 │ 2,1 │ 1,5 │содержащих │
│ │проектирования СБИС│ │ │ │ │ │библиотеки │
│ │"система на│ │ │ │ │ │моделей для│
│ │кристалле" и│ │ │ │ │ │всех уровней│
│ │СФ-блоков │ │ │ │ │ │проектирования,│
│ │ │ │ │ │ │ │в том числе и│
│ │ │ │ │ │ │ │библиотеки │
│ │ │ │ │ │ │ │СФ-блоков, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │ │ │ │ │ │ │процесс │
│ │ │ │ │ │ │ │сквозного │
│ │ │ │ │ │ │ │проектирования │
│ │ │ │ │ │ │ │СБИС │
│ │ │ │ │ │ │ │специального и│
│ │ │ │ │ │ │ │коммерческого │
│ │ │ │ │ │ │ │применения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│92. │Разработка │ - │ 8 │ 10 │ 27,8 │ 28 │обеспечение │
│ │межведомственной │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │межведомствен- │
│ │информационно-анали-│ │ 4 │ 5 │ 13,9 │ 14 │ной координации│
│ │тической и│ │ │ │ │ │по вопросам│
│ │справочной системы│ │ │ │ │ │разработки, │
│ │по: │ │ │ │ │ │производства и│
│ │вопросам разработки,│ │ │ │ │ │развития │
│ │производства и│ │ │ │ │ │перспективной │
│ │развития ЭКБ; │ │ │ │ │ │ЭКБ, в том│
│ │технологическим │ │ │ │ │ │числе │
│ │маршрутам │ │ │ │ │ │унифицированной│
│ │отечественных и│ │ │ │ │ │базы данных по│
│ │иностранных │ │ │ │ │ │технологическим│
│ │производителей ЭКБ,│ │ │ │ │ │маршрутам │
│ │библиотек элементов│ │ │ │ │ │отечественных и│
│ │и СФ-блоков; │ │ │ │ │ │иностранных │
│ │продукции, │ │ │ │ │ │производителей │
│ │производимой на│ │ │ │ │ │ЭКБ, библиотек│
│ │иностранных │ │ │ │ │ │элементов и│
│ │предприятиях на│ │ │ │ │ │СФ-блоков, │
│ │основе отечественных│ │ │ │ │ │порядку учета и│
│ │разработок │ │ │ │ │ │использованию │
│ │(фотошаблонов); │ │ │ │ │ │библиотек, │
│ │контролю и│ │ │ │ │ │разработанных │
│ │определению │ │ │ │ │ │Центрами │
│ │потребностей в│ │ │ │ │ │проектирования,│
│ │закупках иностранной│ │ │ │ │ │в том числе для│
│ │ЭКБ и обеспечению│ │ │ │ │ │продукции, │
│ │централизованных │ │ │ │ │ │производимой на│
│ │закупок │ │ │ │ │ │иностранных │
│ │ │ │ │ │ │ │предприятиях на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе │
│ │ │ │ │ │ │ │отечественных │
│ │ │ │ │ │ │ │разработок │
│ │ │ │ │ │ │ │(фотошаблонов) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│93. │Создание комплекса│ - │ 7 │ 8 │ 11,6 │ 11,6 │прямое │
│ │основополагающих │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │внедрение │
│ │стандартов по│ │ 3,5 │ 4 │ 5,8 │ 5,8 │международных │
│ │обеспечению │ │ │ │ │ │стандартов и│
│ │качества, надежности│ │ │ │ │ │актуализации │
│ │и │ │ │ │ │ │действующего │
│ │конкурентоспособнос-│ │ │ │ │ │фонда │
│ │ти перспективных ЭРИ│ │ │ │ │ │нормативных │
│ │на основе│ │ │ │ │ │документов. │
│ │сопоставительного │ │ │ │ │ │Комплекс │
│ │анализа требований│ │ │ │ │ │основополагаю- │
│ │российских и│ │ │ │ │ │щих стандартов,│
│ │международных │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │стандартов (MIL STD,│ │ │ │ │ │создание нового│
│ │НАТО, МЭК, ИСО и│ │ │ │ │ │поколения │
│ │др.) на электронные│ │ │ │ │ │документов на│
│ │компоненты │ │ │ │ │ │поставку ЭРИ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│94. │Разработка комплекса│ - │ - │ 8 │ │ │создание │
│ │средств измерений и│ │ │ ───── │ │ │средств │
│ │эталонов, │ │ │ 4 │ │ │измерений и│
│ │реализующих │ │ │ │ │ │эталонов на│
│ │требования │ │ │ │ │ │базе │
│ │российских и│ │ │ │ │ │перспективных │
│ │международных │ │ │ │ │ │технологий, │
│ │стандартов на ЭРИ, в│ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │том числе стандартов│ │ │ │ │ │требуемую │
│ │MIL STD, НАТО, МЭК и│ │ │ │ │ │точность, │
│ │ИСО │ │ │ │ │ │сходимость и│
│ │ │ │ │ │ │ │воспроизводи- │
│ │ │ │ │ │ │ │мость │
│ │ │ │ │ │ │ │результатов │
│ │ │ │ │ │ │ │измерений и│
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│95. │Разработка новых и│ - │ - │ │ │ │комплекс │
│ │совершенствование │ │ │ │ │ │нормативных │
│ │существующих методов│ │ │ │ │ │документов, │
│ │испытаний на ВВФ и│ │ │ │ │ │регламентирую- │
│ │контроля качества│ │ │ │ │ │щих методы│
│ │ЭРИ нового│ │ │ │ │ │испытаний и│
│ │поколения, в том│ │ │ │ │ │контроля ЭРИ│
│ │числе субмикронной и│ │ │ │ │ │нового │
│ │нанотехнологии, │ │ │ │ │ │поколения и│
│ │акустоэлектроники, │ │ │ │ │ │критерии оценки│
│ │оптоэлектроники, │ │ │ │ │ │их годности по│
│ │твердотельных │ │ │ │ │ │результатам │
│ │СВЧ-изделий. │ │ │ │ │ │испытаний │
│ │Разработка критериев│ │ │ │ │ │ │
│ │оценки годности│ │ │ │ │ │ │
│ │изделий с│ │ │ │ │ │ │
│ │применением │ │ │ │ │ │ │
│ │современных методов│ │ │ │ │ │ │
│ │и средств│ │ │ │ │ │ │
│ │физико-технического │ │ │ │ │ │ │
│ │анализа и│ │ │ │ │ │ │
│ │неразрушающего │ │ │ │ │ │ │
│ │контроля │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│96. │Создание и внедрение│ - │ 5 │ 8 │ │ │нормативно-тех-│
│ │нового поколения│ │ ────── │ ───── │ │ │ническое │
│ │основополагающих │ │ 2,5 │ 4 │ │ │обеспечение │
│ │стандартов, в том│ │ │ │ │ │электронной │
│ │числе по: │ │ │ │ │ │компонентной │
│ │проектированию СБИС│ │ │ │ │ │базы и систем│
│ │"система на│ │ │ │ │ │на ее основе, в│
│ │кристалле" на основе│ │ │ │ │ │том числе: │
│ │СФ-блоков, в том│ │ │ │ │ │описание │
│ │числе и на основе│ │ │ │ │ │характеристик и│
│ │международной │ │ │ │ │ │форматов │
│ │кооперации; │ │ │ │ │ │передачи; │
│ │надежности и│ │ │ │ │ │тестирование │
│ │качеству; │ │ │ │ │ │СФ-блоков в│
│ │экологической │ │ │ │ │ │составе СБИС│
│ │безопасности; │ │ │ │ │ │"система на│
│ │экономической │ │ │ │ │ │кристалле"; │
│ │рентабельности │ │ │ │ │ │защита │
│ │производства; │ │ │ │ │ │интеллектуаль- │
│ │CALS-технологии │ │ │ │ │ │ной │
│ │ │ │ │ │ │ │собственности; │
│ │ │ │ │ │ │ │порядок │
│ │ │ │ │ │ │ │включения в│
│ │ │ │ │ │ │ │состав СБИС│
│ │ │ │ │ │ │ │"система на│
│ │ │ │ │ │ │ │кристалле" │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│97. │Организация │ - │ - │ 5,5 │ 15,6 │ 38,6 │освоение │
│ │серийного │ │ │ ───── │ ────── │ ───── │выпуска │
│ │производства │ │ │ 5,5 │ 15,6 │ 38,6 │световозрастаю-│
│ │световозвращающих │ │ │ │ │ │щих пленок│
│ │пленок в ГУП "НПО│ │ │ │ │ │двойного │
│ │"Астрофизика", │ │ │ │ │ │применения, не│
│ │г.Москва │ │ │ │ │ │уступающих по│
│ │ │ │ │ │ │ │техническому │
│ │ │ │ │ │ │ │уровню лучшим│
│ │ │ │ │ │ │ │мировым │
│ │ │ │ │ │ │ │аналогам. │
│ │ │ │ │ │ │ │Планируемый │
│ │ │ │ │ │ │ │годовой объем│
│ │ │ │ │ │ │ │выпуска - 1,5│
│ │ │ │ │ │ │ │млн. кв. м │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│98. │Техническое │ - │ - │ │ │ │выпуск │
│ │перевооружение │ │ │ │ │ │оптоэлектронных│
│ │производства │ │ │ │ │ │систем │
│ │оптоэлектронных │ │ │ │ │ │наблюдения │
│ │систем и элементов,│ │ │ │ │ │высокого │
│ │работающих в│ │ │ │ │ │пространствен- │
│ │спектральном │ │ │ │ │ │ного и│
│ │диапазоне от│ │ │ │ │ │спектрального │
│ │ультрафиолетового до│ │ │ │ │ │разрешения │
│ │инфракрасного в ГУП│ │ │ │ │ │аэрокосмическо-│
│ │"ВНЦ "ГОИ им. С.И.│ │ │ │ │ │го базирования│
│ │Вавилова", │ │ │ │ │ │с ресурсом│
│ │г.Санкт-Петербург │ │ │ │ │ │эксплуатации до│
│ │ │ │ │ │ │ │10 лет │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│99. │Создание │ │ 10,1 │ - │ - │ - │создание │
│ │производственных │ │ ────── │ │ │ │сверхчистого │
│ │мощностей под выпуск│ │ 10,1 │ │ │ │производства │
│ │сверхбыстродействую-│ │ │ │ │ │для обеспечения│
│ │щих интегральных│ │ │ │ │ │потребности │
│ │схем в ОАО│ │ │ │ │ │отечественного │
│ │"Ангстрем-2М", │ │ │ │ │ │рынка в│
│ │г.Москва │ │ │ │ │ │сверхбольших │
│ │ │ │ │ │ │ │интегральных │
│ │ │ │ │ │ │ │схемах с│
│ │ │ │ │ │ │ │топологическими│
│ │ │ │ │ │ │ │нормами │
│ │ │ │ │ │ │ │0,35-0,5 │
│ │ │ │ │ │ │ │микрона для│
│ │ │ │ │ │ │ │использования в│
│ │ │ │ │ │ │ │специальных │
│ │ │ │ │ │ │ │видах │
│ │ │ │ │ │ │ │электронной │
│ │ │ │ │ │ │ │техники и в│
│ │ │ │ │ │ │ │различных │
│ │ │ │ │ │ │ │отраслях │
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности │
│ │ │ │ │ │ │ │и народного│
│ │ │ │ │ │ │ │хозяйства │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│100. │Создание │ - │ - │ │ │ │ускоренная │
│ │межотраслевого │ │ │ │ │ │разработка │
│ │центра │ │ │ │ │ │основной │
│ │проектирования СБИС│ │ │ │ │ │номенклатуры │
│ │"система на│ │ │ │ │ │СБИС "система│
│ │кристалле" с│ │ │ │ │ │на кристалле" │
│ │последующей │ │ │ │ │ │ │
│ │организацией │ │ │ │ │ │ │
│ │распределенной │ │ │ │ │ │ │
│ │структуры сети│ │ │ │ │ │ │
│ │отраслевых центров│ │ │ │ │ │ │
│ │проектирования │ │ │ │ │ │ │
│ │системного уровня в│ │ │ │ │ │ │
│ │ФГУП "НИИМА│ │ │ │ │ │ │
│ │"Прогресс", г.Москва│ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│101. │Создание центра│ - │ - │ │ │ │обеспечение │
│ │изготовления │ │ │ │ │ │национальной │
│ │фотошаблонов для│ │ │ │ │ │безопасности │
│ │субмикронного │ │ │ │ │ │страны при│
│ │производства СБИС на│ │ │ │ │ │разработке и│
│ │отечественных и│ │ │ │ │ │модернизации │
│ │зарубежных │ │ │ │ │ │стратегически │
│ │"кремниевых │ │ │ │ │ │значимых систем│
│ │мастерских" в ОАО│ │ │ │ │ │ВВСТ │
│ │"Российская │ │ │ │ │ │ │
│ │электроника", │ │ │ │ │ │ │
│ │г.Москва │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│102. │Создание центра│ - │ - │ │ │ │ускоренная │
│ │проектирования │ │ │ │ │ │разработка │
│ │перспективной │ │ │ │ │ │основной │
│ │электронной │ │ │ │ │ │номенклатуры │
│ │компонентной базы в│ │ │ │ │ │СФ-блоков │
│ │ГП "НИИ ЭТ",│ │ │ │ │ │ │
│ │г.Воронеж │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│103. │Создание центра│ - │ - │ │ │ │создание │
│ │проектирования │ │ │ │ │ │государственно-│
│ │перспективной │ │ │ │ │ │го центра по│
│ │электронной │ │ │ │ │ │регулированию и│
│ │компонентной базы в│ │ │ │ │ │контролю для│
│ │ГУП "НПЦ "Элвис",│ │ │ │ │ │определения │
│ │г.Москва │ │ │ │ │ │потребности в│
│ │ │ │ │ │ │ │закупках │
│ │ │ │ │ │ │ │иностранной │
│ │ │ │ │ │ │ │ЭКБ, │
│ │ │ │ │ │ │ │осуществлению │
│ │ │ │ │ │ │ │закупок и│
│ │ │ │ │ │ │ │применению ЭКБ│
│ │ │ │ │ │ │ │в ГУП НПЦ│
│ │ │ │ │ │ │ │"Элвис" │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│103.1. │Техническое │ - │ - │ - │ - │ 166,4 │создание │
│ │перевооружение и│ │ │ │ │ ────── │центра новых│
│ │реконструкция ФГУП│ │ │ │ │ 166,4 │технологий │
│ │"НИИМА "Прогресс",│ │ │ │ │ │проектирования│
│ │г. Москва, с целью│ │ │ │ │ │и разработки│
│ │создания на│ │ │ │ │ │высокоинтегри-│
│ │предприятии │ │ │ │ │ │рованной ЭКБ,│
│ │высокопроизводитель-│ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ного центра│ │ │ │ │ │эффективного │
│ │проектирования и│ │ │ │ │ │научно-техни- │
│ │разработки │ │ │ │ │ │ческого │
│ │высокоинтегрирован- │ │ │ │ │ │руководства и│
│ │ной ЭКБ │ │ │ │ │ │координации │
│ │(исполнитель проекта│ │ │ │ │ │работ по│
│ │определяется по│ │ │ │ │ │созданию сети│
│ │конкурсу) │ │ │ │ │ │базовых │
│ │ │ │ │ │ │ │центров САПР │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼──────────────┤
│103.2. │Техническое │ - │ - │ - │ │ 55,9 │создание │
│ │перевооружение │ │ │ │ │ ───── │базовых │
│ │производства │ │ │ │ │ 55,9 │центров по│
│ │ОАО "Концерн │ │ │ │ │ │проектированию│
│ │радиостроения │ │ │ │ │ │радиоэлектрон-│
│ │"Вега", г. Москва, с│ │ │ │ │ │ной │
│ │целью создания на│ │ │ │ │ │аппаратуры, │
│ │предприятии базовых│ │ │ │ │ │организация │
│ │центров │ │ │ │ │ │единой │
│ │проектирования │ │ │ │ │ │вычислительной│
│ │радиоэлектронной │ │ │ │ │ │сети для│
│ │аппаратуры на базе│ │ │ │ │ │организации │
│ │СБИС "система на│ │ │ │ │ │центра │
│ │кристалле" │ │ │ │ │ │автоматизиро- │
│ │(исполнитель проекта│ │ │ │ │ │ванного │
│ │определяется по│ │ │ │ │ │проектирования│
│ │конкурсу) │ │ │ │ │ │СБИС "система│
│ │ │ │ │ │ │ │на кристалле"│
│ │ │ │ │ │ │ │системного │
│ │ │ │ │ │ │ │уровня │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼──────────────┤
│103.3. │Реконструкция и│ - │ - │ - │ │ 49,5 │организация │
│ │техническое │ │ │ │ │ ───── │производства │
│ │перевооружение │ │ │ │ │ 49,5 │по выпуску│
│ │участка выращивания│ │ │ │ │ │цилиндров │
│ │монокристаллов │ │ │ │ │ │лейкосапфира │
│ │сапфира в│ │ │ │ │ │диаметром │
│ │ОАО "Элма", │ │ │ │ │ │150 мм для│
│ │г. Москва, для│ │ │ │ │ │последующего │
│ │производства │ │ │ │ │ │изготовления │
│ │КНС-структур │ │ │ │ │ │структур │
│ │радиационно стойких│ │ │ │ │ │"кремний на│
│ │СБИС (исполнитель│ │ │ │ │ │сапфире" │
│ │проекта определяется│ │ │ │ │ │ │
│ │по конкурсу) │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼──────────────┤
│103.4. │Реконструкция и│ - │ - │ - │ │ 108,2 │проведение │
│ │техническое │ │ │ │ │ ────── │реконструкции │
│ │перевооружение │ │ │ │ │ 108,2 │и технического│
│ │производства │ │ │ │ │ │перевооружения│
│ │кристаллов для│ │ │ │ │ │производства │
│ │быстродействующих │ │ │ │ │ │современных │
│ │интегральных │ │ │ │ │ │цифровых, │
│ │микросхем в ОАО "НИИ│ │ │ │ │ │аналого-цифро-│
│ │молекулярной │ │ │ │ │ │вых и│
│ │электроники и завод│ │ │ │ │ │гибридных СБИС│
│ │"Микрон", г. Москва│ │ │ │ │ │общего и│
│ │( исполнитель │ │ │ │ │ │специального │
│ │проекта определяется│ │ │ │ │ │применения с│
│ │по конкурсу) │ │ │ │ │ │проектными │
│ │ │ │ │ │ │ │нормами │
│ │ │ │ │ │ │ │0,5 - 0,35 мкм│
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ III. Технологии вычислительных систем │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│104. │Разработка │ 12,8 │ 9,6 │ 13 │ 4 │ 4 │создание │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │производствен- │
│ │производства и│ 6,4 │ 4,8 │ 6,5 │ 2 │ 2 │ных участков│
│ │монтажа электронных│ │ │ │ │ │для выпуска│
│ │модулей на частоте│ │ │ │ │ │электронных │
│ │800-1200 МГц │ │ │ │ │ │модулей на│
│ │ │ │ │ │ │ │частоте │
│ │ │ │ │ │ │ │800-1200 МГц,│
│ │ │ │ │ │ │ │необходимых для│
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │современных │
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собных │
│ │ │ │ │ │ │ │электронных │
│ │ │ │ │ │ │ │устройств │
│ │ │ │ │ │ │ │вычислительной │
│ │ │ │ │ │ │ │техники и│
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
│ │ │ │ │ │ │ │автоматизации; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │качества годных│
│ │ │ │ │ │ │ │МПП и модулей,│
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющих │
│ │ │ │ │ │ │ │снизить их│
│ │ │ │ │ │ │ │себестоимость; │
│ │ │ │ │ │ │ │экономический │
│ │ │ │ │ │ │ │эффект - сотни│
│ │ │ │ │ │ │ │миллионов │
│ │ │ │ │ │ │ │рублей, в том│
│ │ │ │ │ │ │ │числе за счет│
│ │ │ │ │ │ │ │отказа от│
│ │ │ │ │ │ │ │импорта готовых│
│ │ │ │ │ │ │ │электронных │
│ │ │ │ │ │ │ │устройств; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │технологической│
│ │ │ │ │ │ │ │независимости │
│ │ │ │ │ │ │ │страны │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│105. │Развитие технологий│ 11,4 │ 4,6 │ 20 │ 31,6 │ 28 │создание задела│
│ │разработки │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │по │
│ │системного и│ 5,7 │ 2,3 │ 10 │ 15,8 │ 14 │направлениям: │
│ │прикладного │ │ │ │ │ │1) технологии│
│ │программного │ │ │ │ │ │представления │
│ │обеспечения │ │ │ │ │ │спецификаций │
│ │ │ │ │ │ │ │параллельных и│
│ │ │ │ │ │ │ │распределенных │
│ │ │ │ │ │ │ │компьютерных │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов, │
│ │ │ │ │ │ │ │операционных │
│ │ │ │ │ │ │ │систем и│
│ │ │ │ │ │ │ │предметных │
│ │ │ │ │ │ │ │областей для│
│ │ │ │ │ │ │ │основных │
│ │ │ │ │ │ │ │классов │
│ │ │ │ │ │ │ │компьютерных │
│ │ │ │ │ │ │ │приложений; │
│ │ │ │ │ │ │ │2) технологии│
│ │ │ │ │ │ │ │баз знаний; │
│ │ │ │ │ │ │ │3) технологии│
│ │ │ │ │ │ │ │параллельного │
│ │ │ │ │ │ │ │программирова- │
│ │ │ │ │ │ │ │ния; │
│ │ │ │ │ │ │ │4) технологии│
│ │ │ │ │ │ │ │взаимодействия │
│ │ │ │ │ │ │ │"человек -│
│ │ │ │ │ │ │ │компьютер", │
│ │ │ │ │ │ │ │включая │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │виртуальной │
│ │ │ │ │ │ │ │реальности. │
│ │ │ │ │ │ │ │Создание │
│ │ │ │ │ │ │ │интегрированных│
│ │ │ │ │ │ │ │открытых │
│ │ │ │ │ │ │ │компьютерных │
│ │ │ │ │ │ │ │сред для│
│ │ │ │ │ │ │ │проектирования │
│ │ │ │ │ │ │ │системных и│
│ │ │ │ │ │ │ │прикладных │
│ │ │ │ │ │ │ │программных │
│ │ │ │ │ │ │ │продуктов, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │ │ │ │ │ │ │поддержку │
│ │ │ │ │ │ │ │концептуального│
│ │ │ │ │ │ │ │проектирования │
│ │ │ │ │ │ │ │программ, │
│ │ │ │ │ │ │ │методологии │
│ │ │ │ │ │ │ │RAD, │
│ │ │ │ │ │ │ │коллективного │
│ │ │ │ │ │ │ │проектирования,│
│ │ │ │ │ │ │ │а также│
│ │ │ │ │ │ │ │реализации в│
│ │ │ │ │ │ │ │программных │
│ │ │ │ │ │ │ │продуктах │
│ │ │ │ │ │ │ │технологий баз│
│ │ │ │ │ │ │ │знаний и│
│ │ │ │ │ │ │ │новейших │
│ │ │ │ │ │ │ │моделей │
│ │ │ │ │ │ │ │взаимодействия │
│ │ │ │ │ │ │ │"человек -│
│ │ │ │ │ │ │ │компьютер"; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексной │
│ │ │ │ │ │ │ │технологической│
│ │ │ │ │ │ │ │оснастки │
│ │ │ │ │ │ │ │российской │
│ │ │ │ │ │ │ │индустрии │
│ │ │ │ │ │ │ │программного │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечения, │
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющего │
│ │ │ │ │ │ │ │создавать │
│ │ │ │ │ │ │ │программные │
│ │ │ │ │ │ │ │продукты миро-│
│ │ │ │ │ │ │ │вого уровня; │
│ │ │ │ │ │ │ │экономический │
│ │ │ │ │ │ │ │эффект - сотни│
│ │ │ │ │ │ │ │миллионов │
│ │ │ │ │ │ │ │рублей. │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│106. │Исследование │ 11,4 │ 6,2 │ 3,6 │ 15 │ 15,8 │в результате│
│ │архитектур, │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │выполнения │
│ │разработка и│ 5,7 │ 3,1 │ 1,8 │ 7,5 │ 7,9 │работ будет│
│ │подготовка │ │ │ │ │ │актуализирована│
│ │производства │ │ │ │ │ │технология │
│ │микропроцессоров и│ │ │ │ │ │проектирования │
│ │микропроцессорных │ │ │ │ │ │СБИС и получена│
│ │СБИС для│ │ │ │ │ │технологическая│
│ │высокопроизводите- │ │ │ │ │ │документация │
│ │льных компьютеров и│ │ │ │ │ │для │
│ │вычислительных │ │ │ │ │ │производства │
│ │комплексов │ │ │ │ │ │комплектов СБИС│
│ │ │ │ │ │ │ │и │
│ │ │ │ │ │ │ │микропроцессо- │
│ │ │ │ │ │ │ │ров для│
│ │ │ │ │ │ │ │компьютеров, в│
│ │ │ │ │ │ │ │том числе│
│ │ │ │ │ │ │ │комплекта СБИС│
│ │ │ │ │ │ │ │для обработки│
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов и│
│ │ │ │ │ │ │ │изображений, │
│ │ │ │ │ │ │ │процессоров │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов, СБИС│
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │нейрокомпьюте- │
│ │ │ │ │ │ │ │ров, │
│ │ │ │ │ │ │ │микропроцессо- │
│ │ │ │ │ │ │ │ров реального│
│ │ │ │ │ │ │ │времени, СБИС│
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │межпроцессорных│
│ │ │ │ │ │ │ │коммутаторов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│107. │Разработка │ 46 │ 59 │ 12,2 │ 50 │ 38,2 │разработка │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │кластерных │
│ │компьютеров и│ 23 │ 29,5 │ 6,1 │ 25 │ 19,1 │компьютерных │
│ │вычислительных │ │ │ │ │ │систем на│
│ │комплексов высокой и│ │ │ │ │ │основе │
│ │сверхвысокой │ │ │ │ │ │электронных и│
│ │производительности, │ │ │ │ │ │оптоэлектронных│
│ │нейрокомпьютеров и│ │ │ │ │ │коммутаторов, │
│ │адаптивных │ │ │ │ │ │бинарных │
│ │вычислительных │ │ │ │ │ │компьютеров на│
│ │систем │ │ │ │ │ │базе │
│ │ │ │ │ │ │ │эмуляционных │
│ │ │ │ │ │ │ │комплектов │
│ │ │ │ │ │ │ │СБИС; │
│ │ │ │ │ │ │ │суперкомпьюте- │
│ │ │ │ │ │ │ │ров и рабочих│
│ │ │ │ │ │ │ │станций на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе │
│ │ │ │ │ │ │ │сигнальных │
│ │ │ │ │ │ │ │микропроцессо- │
│ │ │ │ │ │ │ │ров с│
│ │ │ │ │ │ │ │быстродействием│
│ │ │ │ │ │ │ │до 100 Тфлопс│
│ │ │ │ │ │ │ │на │
│ │ │ │ │ │ │ │универсальных │
│ │ │ │ │ │ │ │микропроцессо- │
│ │ │ │ │ │ │ │рах и 10 млрд.│
│ │ │ │ │ │ │ │оп/сек на│
│ │ │ │ │ │ │ │сигнальных; │
│ │ │ │ │ │ │ │нейрокомпьютеры│
│ │ │ │ │ │ │ │на основе│
│ │ │ │ │ │ │ │аналого-цифро- │
│ │ │ │ │ │ │ │вых и цифровых│
│ │ │ │ │ │ │ │нейрочипов; │
│ │ │ │ │ │ │ │ряда │
│ │ │ │ │ │ │ │управляющих │
│ │ │ │ │ │ │ │микросупер-ЭВМ │
│ │ │ │ │ │ │ │для адаптивных│
│ │ │ │ │ │ │ │ИВС с│
│ │ │ │ │ │ │ │элементами │
│ │ │ │ │ │ │ │искусственного │
│ │ │ │ │ │ │ │интеллекта, │
│ │ │ │ │ │ │ │высокопроизво- │
│ │ │ │ │ │ │ │дительных │
│ │ │ │ │ │ │ │вычислительных │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов с│
│ │ │ │ │ │ │ │самоорганизую- │
│ │ │ │ │ │ │ │щимися ОС на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе │
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │виртуальной │
│ │ │ │ │ │ │ │сенсорики; │
│ │ │ │ │ │ │ │реализация │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │LONWORKS, │
│ │ │ │ │ │ │ │разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │программно-тех-│
│ │ │ │ │ │ │ │нического │
│ │ │ │ │ │ │ │комплекса │
│ │ │ │ │ │ │ │(ПТК), │
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющего │
│ │ │ │ │ │ │ │сократить │
│ │ │ │ │ │ │ │затраты на│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленную │
│ │ │ │ │ │ │ │разведку и│
│ │ │ │ │ │ │ │освоение │
│ │ │ │ │ │ │ │нефтегазовых │
│ │ │ │ │ │ │ │залежей за счет│
│ │ │ │ │ │ │ │реализации │
│ │ │ │ │ │ │ │трехмерных │
│ │ │ │ │ │ │ │моделей; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание ПТК│
│ │ │ │ │ │ │ │для сетевой│
│ │ │ │ │ │ │ │структуры │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │управления │
│ │ │ │ │ │ │ │воздушными и│
│ │ │ │ │ │ │ │морскими судами│
│ │ │ │ │ │ │ │по технологии│
│ │ │ │ │ │ │ │автоматического│
│ │ │ │ │ │ │ │наблюдения с│
│ │ │ │ │ │ │ │системой │
│ │ │ │ │ │ │ │"ГЛОНАСС /GPS";│
│ │ │ │ │ │ │ │разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │многоканального│
│ │ │ │ │ │ │ │регистратора с│
│ │ │ │ │ │ │ │использованием │
│ │ │ │ │ │ │ │активной защиты│
│ │ │ │ │ │ │ │и │
│ │ │ │ │ │ │ │твердотельного │
│ │ │ │ │ │ │ │накопителя, │
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющего в│
│ │ │ │ │ │ │ │малых габаритах│
│ │ │ │ │ │ │ │осуществить │
│ │ │ │ │ │ │ │сохранность │
│ │ │ │ │ │ │ │информации при│
│ │ │ │ │ │ │ │воздействии │
│ │ │ │ │ │ │ │высоких │
│ │ │ │ │ │ │ │температур (t =│
│ │ │ │ │ │ │ │11000  С) и│
│ │ │ │ │ │ │ │больших ударных│
│ │ │ │ │ │ │ │нагрузок; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │базовых │
│ │ │ │ │ │ │ │модульных │
│ │ │ │ │ │ │ │вычислительных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств для│
│ │ │ │ │ │ │ │построения │
│ │ │ │ │ │ │ │сверхпроизводи-│
│ │ │ │ │ │ │ │тельных │
│ │ │ │ │ │ │ │вычислительных │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов │
│ │ │ │ │ │ │ │гидроакустичес-│
│ │ │ │ │ │ │ │ких систем│
│ │ │ │ │ │ │ │подводных и│
│ │ │ │ │ │ │ │надводных │
│ │ │ │ │ │ │ │кораблей │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│108. │Создание и развитие│ 7,8 │ 10 │ 12 │ 22,8 │ 22,8 │создание │
│ │перспективных │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │операционных │
│ │операционных систем│ 3,9 │ 5 │ 6 │ 11,4 │ 11,4 │систем для│
│ │и СУБД │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │ │ │ │ │ │ │аппаратных │
│ │ │ │ │ │ │ │платформ, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │ │ │ │ │ │ │высокую степень│
│ │ │ │ │ │ │ │защиты │
│ │ │ │ │ │ │ │информации и│
│ │ │ │ │ │ │ │обладающие │
│ │ │ │ │ │ │ │следующими │
│ │ │ │ │ │ │ │свойствами: │
│ │ │ │ │ │ │ │мобильность, │
│ │ │ │ │ │ │ │поддержка │
│ │ │ │ │ │ │ │Интернет-техно-│
│ │ │ │ │ │ │ │логий и режима│
│ │ │ │ │ │ │ │реального │
│ │ │ │ │ │ │ │времени, │
│ │ │ │ │ │ │ │реализация │
│ │ │ │ │ │ │ │многопроцессор-│
│ │ │ │ │ │ │ │ного и│
│ │ │ │ │ │ │ │многопотокового│
│ │ │ │ │ │ │ │режимов работы,│
│ │ │ │ │ │ │ │в том числе│
│ │ │ │ │ │ │ │унифицированная│
│ │ │ │ │ │ │ │гибконастраива-│
│ │ │ │ │ │ │ │емая │
│ │ │ │ │ │ │ │операционная │
│ │ │ │ │ │ │ │система для│
│ │ │ │ │ │ │ │адаптивных │
│ │ │ │ │ │ │ │вычислительных │
│ │ │ │ │ │ │ │систем с│
│ │ │ │ │ │ │ │элементами │
│ │ │ │ │ │ │ │искусственного │
│ │ │ │ │ │ │ │интеллекта; │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │лицензионной │
│ │ │ │ │ │ │ │чистоты │
│ │ │ │ │ │ │ │программных │
│ │ │ │ │ │ │ │продуктов и│
│ │ │ │ │ │ │ │воспроизведения│
│ │ │ │ │ │ │ │международных │
│ │ │ │ │ │ │ │стандартов на│
│ │ │ │ │ │ │ │программные │
│ │ │ │ │ │ │ │интерфейсы и│
│ │ │ │ │ │ │ │интерфейсы │
│ │ │ │ │ │ │ │представления │
│ │ │ │ │ │ │ │данных │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ IV. Технологии телекоммуникаций │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│109. │Разработка │ 64,0 │ 58 │ 33 │ 27,6 │ 28 │обеспечение │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │взаимодействия │
│ │перспективных │ 32,0 │ 29 │ 16,5 │ 13,8 │ 14 │систем и│
│ │интегрированных │ │ │ │ │ │комплексов │
│ │систем и комплексов│ │ │ │ │ │спутниковой (с│
│ │связи (спутниковой,│ │ │ │ │ │цифровой │
│ │радиорелейной │ │ │ │ │ │обработкой │
│ │радиосвязи) и│ │ │ │ │ │информации и│
│ │передачи данных для│ │ │ │ │ │многолучевыми │
│ │стационарных и│ │ │ │ │ │антеннами на│
│ │подвижных объектов│ │ │ │ │ │борту │
│ │(авиационных, │ │ │ │ │ │космических │
│ │морских и│ │ │ │ │ │аппаратов), │
│ │сухопутных) │ │ │ │ │ │цифровой и│
│ │ │ │ │ │ │ │аналого-цифро- │
│ │ │ │ │ │ │ │вой │
│ │ │ │ │ │ │ │радиорелейной и│
│ │ │ │ │ │ │ │радиосвязи, в│
│ │ │ │ │ │ │ │том числе на│
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │средствах │
│ │ │ │ │ │ │ │сухопутного, │
│ │ │ │ │ │ │ │воздушного, │
│ │ │ │ │ │ │ │морского │
│ │ │ │ │ │ │ │базирования; │
│ │ │ │ │ │ │ │разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │локальных │
│ │ │ │ │ │ │ │бортовых │
│ │ │ │ │ │ │ │информационных │
│ │ │ │ │ │ │ │сетей на базе│
│ │ │ │ │ │ │ │ВОЛС (в│
│ │ │ │ │ │ │ │международном │
│ │ │ │ │ │ │ │стандарте │
│ │ │ │ │ │ │ │АRING636); │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собного │
│ │ │ │ │ │ │ │отечественного │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования, │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности │
│ │ │ │ │ │ │ │полетов; │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшение │
│ │ │ │ │ │ │ │номенклатуры │
│ │ │ │ │ │ │ │программно-ап- │
│ │ │ │ │ │ │ │паратных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств в 1,5│
│ │ │ │ │ │ │ │раза; снижение│
│ │ │ │ │ │ │ │массогабаритных│
│ │ │ │ │ │ │ │характеристик и│
│ │ │ │ │ │ │ │энергопотребле-│
│ │ │ │ │ │ │ │ния в 1,5-2│
│ │ │ │ │ │ │ │раза; внедрение│
│ │ │ │ │ │ │ │низкоэнергети- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческих станций│
│ │ │ │ │ │ │ │спутниковой │
│ │ │ │ │ │ │ │связи, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │информационной │
│ │ │ │ │ │ │ │совместимости │
│ │ │ │ │ │ │ │стационарных и│
│ │ │ │ │ │ │ │подвижных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств связи,│
│ │ │ │ │ │ │ │в том числе на│
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │средствах │
│ │ │ │ │ │ │ │сухопутного, │
│ │ │ │ │ │ │ │воздушного и│
│ │ │ │ │ │ │ │морского │
│ │ │ │ │ │ │ │базирования; │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацион- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных расходов на│
│ │ │ │ │ │ │ │обслуживание │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования; │
│ │ │ │ │ │ │ │сохранение │
│ │ │ │ │ │ │ │существующих и│
│ │ │ │ │ │ │ │создание новых│
│ │ │ │ │ │ │ │(2,5-3 тыс.)│
│ │ │ │ │ │ │ │рабочих мест │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│110. │Разработка │ 60,0 │ 60,0 │ 45,2 │ 70,0 │ 9 │разработка (в│
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │соответствии с│
│ │цифровых │ 30,0 │ 30,0 │ 22,6 │ 35,0 │ 4,5 │утвержденной │
│ │высокоскоростных │ │ │ │ │ │Правительством │
│ │систем и комплексов│ │ │ │ │ │Российской │
│ │передачи информации│ │ │ │ │ │Федерации │
│ │по │ │ │ │ │ │Концепцией │
│ │волоконно-оптическим│ │ │ │ │ │развития рынка│
│ │линиям связи, систем│ │ │ │ │ │телекоммуника- │
│ │связи на основе│ │ │ │ │ │ционных │
│ │АТМ-технологий, │ │ │ │ │ │услуг │
│ │аппаратно-программ- │ │ │ │ │ │Российской │
│ │ных средств│ │ │ │ │ │Федерации на│
│ │адаптивных │ │ │ │ │ │2001-2010 годы)│
│ │звукотехнических │ │ │ │ │ │оборудования │
│ │комплексов с│ │ │ │ │ │для применения│
│ │использованием │ │ │ │ │ │на │
│ │средств мультимедиа │ │ │ │ │ │взаимоувязанной│
│ │ │ │ │ │ │ │сети связи│
│ │ │ │ │ │ │ │России и│
│ │ │ │ │ │ │ │ведомственных │
│ │ │ │ │ │ │ │сетях с учетом│
│ │ │ │ │ │ │ │поэтапного │
│ │ │ │ │ │ │ │перевода │
│ │ │ │ │ │ │ │существующих │
│ │ │ │ │ │ │ │сетей на новые│
│ │ │ │ │ │ │ │технологии, в│
│ │ │ │ │ │ │ │том числе│
│ │ │ │ │ │ │ │технических │
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
│ │ │ │ │ │ │ │подвижной │
│ │ │ │ │ │ │ │транкинговой │
│ │ │ │ │ │ │ │радиосвязи для│
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │ │ │ │ │ │ │связи │
│ │ │ │ │ │ │ │муниципальных │
│ │ │ │ │ │ │ │служб, скорой│
│ │ │ │ │ │ │ │помощи, │
│ │ │ │ │ │ │ │аварийных служб│
│ │ │ │ │ │ │ │и т.п.;│
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │комплекса │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │широкополосных │
│ │ │ │ │ │ │ │цифровых сетей│
│ │ │ │ │ │ │ │интегрального │
│ │ │ │ │ │ │ │обслуживания на│
│ │ │ │ │ │ │ │базе │
│ │ │ │ │ │ │ │АТМ-технологий │
│ │ │ │ │ │ │ │как одного из│
│ │ │ │ │ │ │ │стратегических │
│ │ │ │ │ │ │ │направлений │
│ │ │ │ │ │ │ │развития сетей│
│ │ │ │ │ │ │ │связи общего│
│ │ │ │ │ │ │ │пользования, │
│ │ │ │ │ │ │ │корпоративных и│
│ │ │ │ │ │ │ │ведомственных │
│ │ │ │ │ │ │ │сетей, средств│
│ │ │ │ │ │ │ │абонентского │
│ │ │ │ │ │ │ │доступа, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │требований их│
│ │ │ │ │ │ │ │информационной │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности; │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │импорто-замеще-│
│ │ │ │ │ │ │ │ния; создание│
│ │ │ │ │ │ │ │новых рабочих│
│ │ │ │ │ │ │ │мест: 0,5 тыс.│
│ │ │ │ │ │ │ │человек - в│
│ │ │ │ │ │ │ │науке, 2,5 тыс.│
│ │ │ │ │ │ │ │человек - в│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│111. │Разработка │ 68,0 │ 48 │ 33,8 │ 38 │ 36 │разработка │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │профессиональ- │
│ │систем и комплексов│ 34,0 │ 24 │ 16,9 │ 19 │ 18 │ной студийной│
│ │цифрового │ │ │ │ │ │передающей │
│ │телевизионного и│ │ │ │ │ │аппаратуры и│
│ │радиовещания │ │ │ │ │ │абонентского │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования │
│ │ │ │ │ │ │ │для работы в│
│ │ │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │ │ │ │ │ │ │сетях │
│ │ │ │ │ │ │ │телевизионного │
│ │ │ │ │ │ │ │и радиовещания,│
│ │ │ │ │ │ │ │соответствующих│
│ │ │ │ │ │ │ │общеевропейским│
│ │ │ │ │ │ │ │стандартам. │
│ │ │ │ │ │ │ │В 2002-2004 │
│ │ │ │ │ │ │ │годах -│
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │опытных зон│
│ │ │ │ │ │ │ │(гг.Нижний │
│ │ │ │ │ │ │ │Новгород, │
│ │ │ │ │ │ │ │Санкт-Петер- │
│ │ │ │ │ │ │ │бург, Москва), │
│ │ │ │ │ │ │ │2005-2006 годах│
│ │ │ │ │ │ │ │в - интеграция│
│ │ │ │ │ │ │ │опытных зон в│
│ │ │ │ │ │ │ │общероссийскую │
│ │ │ │ │ │ │ │сеть и в│
│ │ │ │ │ │ │ │международные │
│ │ │ │ │ │ │ │сети цифрового│
│ │ │ │ │ │ │ │телевизионного │
│ │ │ │ │ │ │ │вещания; │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │интерактивного │
│ │ │ │ │ │ │ │режима в целях│
│ │ │ │ │ │ │ │предоставления │
│ │ │ │ │ │ │ │нового вида│
│ │ │ │ │ │ │ │услуг населению│
│ │ │ │ │ │ │ │(многопрограмм-│
│ │ │ │ │ │ │ │ность, │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │качества │
│ │ │ │ │ │ │ │изображения и│
│ │ │ │ │ │ │ │звука, │
│ │ │ │ │ │ │ │Интернет, заказ│
│ │ │ │ │ │ │ │программ, │
│ │ │ │ │ │ │ │электронные │
│ │ │ │ │ │ │ │платежи и др.);│
│ │ │ │ │ │ │ │адаптация │
│ │ │ │ │ │ │ │международных │
│ │ │ │ │ │ │ │стандартов к│
│ │ │ │ │ │ │ │условиям │
│ │ │ │ │ │ │ │России; │
│ │ │ │ │ │ │ │передача │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов по│
│ │ │ │ │ │ │ │линиям связи в│
│ │ │ │ │ │ │ │едином цифровом│
│ │ │ │ │ │ │ │стандарте │
│ │ │ │ │ │ │ │независимо от│
│ │ │ │ │ │ │ │функционального│
│ │ │ │ │ │ │ │назначения │
│ │ │ │ │ │ │ │(телефония, │
│ │ │ │ │ │ │ │передача │
│ │ │ │ │ │ │ │данных, │
│ │ │ │ │ │ │ │телевидение, │
│ │ │ │ │ │ │ │звуковое │
│ │ │ │ │ │ │ │вещание, │
│ │ │ │ │ │ │ │мультимедиа и│
│ │ │ │ │ │ │ │др.) и за счет│
│ │ │ │ │ │ │ │этого повышение│
│ │ │ │ │ │ │ │эффективности │
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │любых линий│
│ │ │ │ │ │ │ │связи; экономия│
│ │ │ │ │ │ │ │частотного │
│ │ │ │ │ │ │ │ресурса в 3-4│
│ │ │ │ │ │ │ │раза; │
│ │ │ │ │ │ │ │организация │
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │нового сектора│
│ │ │ │ │ │ │ │массового │
│ │ │ │ │ │ │ │телевизионного │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│112. │Разработка базовых│ - │ 2 │ 10 │ 22 │ 16 │разработка │
│ │технологий создания│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │массовых │
│ │массовых абонентских│ │ 1 │ 5 │ 11 │ 8 │мультимедийных │
│ │терминалов на основе│ │ │ │ │ │абонентских │
│ │серийных телевизоров│ │ │ │ │ │терминалов на│
│ │для интерактивного│ │ │ │ │ │базе российских│
│ │цифрового │ │ │ │ │ │унифицированных│
│ │телевидения с│ │ │ │ │ │телевизоров -│
│ │возможностью работы│ │ │ │ │ │мультимедийных │
│ │в сети Интернет │ │ │ │ │ │абонентских │
│ │ │ │ │ │ │ │терминалов для│
│ │ │ │ │ │ │ │представления │
│ │ │ │ │ │ │ │населению │
│ │ │ │ │ │ │ │широкого │
│ │ │ │ │ │ │ │спектра услуг в│
│ │ │ │ │ │ │ │интерактивном │
│ │ │ │ │ │ │ │режиме, в том│
│ │ │ │ │ │ │ │числе: │
│ │ │ │ │ │ │ │- прием│
│ │ │ │ │ │ │ │аналоговых и│
│ │ │ │ │ │ │ │цифровых │
│ │ │ │ │ │ │ │программ │
│ │ │ │ │ │ │ │вещательного │
│ │ │ │ │ │ │ │телевидения; │
│ │ │ │ │ │ │ │- получение│
│ │ │ │ │ │ │ │мультимедийной │
│ │ │ │ │ │ │ │информации, │
│ │ │ │ │ │ │ │передаваемой по│
│ │ │ │ │ │ │ │каналам │
│ │ │ │ │ │ │ │цифрового │
│ │ │ │ │ │ │ │телевидения и│
│ │ │ │ │ │ │ │сети Интернет; │
│ │ │ │ │ │ │ │- электронная│
│ │ │ │ │ │ │ │почта, заказ│
│ │ │ │ │ │ │ │билетов, │
│ │ │ │ │ │ │ │товаров и│
│ │ │ │ │ │ │ │услуг, видео по│
│ │ │ │ │ │ │ │заказу и другие│
│ │ │ │ │ │ │ │виды │
│ │ │ │ │ │ │ │информационного│
│ │ │ │ │ │ │ │сервиса; │
│ │ │ │ │ │ │ │- дистанционный│
│ │ │ │ │ │ │ │мониторинг │
│ │ │ │ │ │ │ │жилища, │
│ │ │ │ │ │ │ │интеграция │
│ │ │ │ │ │ │ │охранных систем│
│ │ │ │ │ │ │ │и системы│
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности │
│ │ │ │ │ │ │ │жилища │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│113. │Разработка │ - │ 6 │ 8 │ 27 │ 28 │разработка │
│ │технологии создания│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │цифровых │
│ │цифровых передвижных│ │ 3 │ 4 │ 13,5 │ 14 │передвижных │
│ │телевизионных │ │ │ │ │ │телевизионных │
│ │комплексов для│ │ │ │ │ │комплексов для│
│ │оперативного сбора,│ │ │ │ │ │работы в│
│ │обработки, │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │формирования │ │ │ │ │ │сетях │
│ │вещательных программ│ │ │ │ │ │телевизионного │
│ │с мест событий и│ │ │ │ │ │вещания по│
│ │передачи по│ │ │ │ │ │европейским │
│ │интегрированным │ │ │ │ │ │стандартам с│
│ │цифровым каналам│ │ │ │ │ │применением │
│ │связи (спутниковым,│ │ │ │ │ │современных │
│ │радиорелейным, │ │ │ │ │ │отечественных │
│ │кабельным) │ │ │ │ │ │технических │
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │аудио- │
│ │ │ │ │ │ │ │видеоинформа- │
│ │ │ │ │ │ │ │ции, │
│ │ │ │ │ │ │ │каналообразую- │
│ │ │ │ │ │ │ │щих средств,│
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │электропитания,│
│ │ │ │ │ │ │ │технологий │
│ │ │ │ │ │ │ │термоизоляции, │
│ │ │ │ │ │ │ │звукоизоляции и│
│ │ │ │ │ │ │ │т.д. │
│ │ │ │ │ │ │ │Соответствие │
│ │ │ │ │ │ │ │создаваемых │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов │
│ │ │ │ │ │ │ │международным │
│ │ │ │ │ │ │ │стандартам, в│
│ │ │ │ │ │ │ │том числе: │
│ │ │ │ │ │ │ │- цифровая│
│ │ │ │ │ │ │ │обработка │
│ │ │ │ │ │ │ │видеосигналов в│
│ │ │ │ │ │ │ │соответствии с│
│ │ │ │ │ │ │ │рекомендациями │
│ │ │ │ │ │ │ │SMPTE 259-С│
│ │ │ │ │ │ │ │(SDI); │
│ │ │ │ │ │ │ │- возможность│
│ │ │ │ │ │ │ │передачи │
│ │ │ │ │ │ │ │сформированных │
│ │ │ │ │ │ │ │программ как по│
│ │ │ │ │ │ │ │аналоговым, так│
│ │ │ │ │ │ │ │и по цифровым│
│ │ │ │ │ │ │ │каналам связи│
│ │ │ │ │ │ │ │(DVB, MPEG-2); │
│ │ │ │ │ │ │ │количество │
│ │ │ │ │ │ │ │одновременно │
│ │ │ │ │ │ │ │работающих │
│ │ │ │ │ │ │ │телевизионных │
│ │ │ │ │ │ │ │видеокамер до│
│ │ │ │ │ │ │ │двадцати; │
│ │ │ │ │ │ │ │- широкий набор│
│ │ │ │ │ │ │ │изобразительных│
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
│ │ │ │ │ │ │ │(видеоэффектов,│
│ │ │ │ │ │ │ │титров и др.) │
│ │ │ │ │ │ │ │- применение│
│ │ │ │ │ │ │ │дисковой │
│ │ │ │ │ │ │ │видеозаписи; │
│ │ │ │ │ │ │ │- цифровая│
│ │ │ │ │ │ │ │обработка звука│
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│114. │Разработка базовых│ - │ 2 │ 4 │ 4 │ 6 │создание нового│
│ │технологий создания│ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │поколения │
│ │цифровых систем│ │ 1 │ 2 │ 2 │ 3 │конкурентоспо- │
│ │технологического │ │ │ │ │ │собного │
│ │телевидения для│ │ │ │ │ │российского │
│ │различных отраслей│ │ │ │ │ │оборудования │
│ │экономики │ │ │ │ │ │цифровых систем│
│ │ │ │ │ │ │ │технологическо-│
│ │ │ │ │ │ │ │го телевидения,│
│ │ │ │ │ │ │ │в том числе для│
│ │ │ │ │ │ │ │управления │
│ │ │ │ │ │ │ │производствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ными процессами│
│ │ │ │ │ │ │ │в различных│
│ │ │ │ │ │ │ │отраслях │
│ │ │ │ │ │ │ │экономики; │
│ │ │ │ │ │ │ │импортозамеще- │
│ │ │ │ │ │ │ │ние, сохранение│
│ │ │ │ │ │ │ │научно-техниче-│
│ │ │ │ │ │ │ │ского │
│ │ │ │ │ │ │ │потенциала │
│ │ │ │ │ │ │ │российских │
│ │ │ │ │ │ │ │разработчиков и│
│ │ │ │ │ │ │ │производителей │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│115. │Разработка │ 5,0 │ 11,0 │ 27,6 │ 18,4 │ 44,6 │разработка и│
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │производство │
│ │метрологического │ 2,5 │ 5,5 │ 13,8 │ 9,2 │ 22,3 │автоматизирова-│
│ │радиоизмерительного │ │ │ │ │ │нного │
│ │оборудования, в том│ │ │ │ │ │радиоизмерите- │
│ │числе универсальных│ │ │ │ │ │льного │
│ │автоматизированных │ │ │ │ │ │метрологическо-│
│ │комплексов на основе│ │ │ │ │ │го оборудования│
│ │магистрально-модуль-│ │ │ │ │ │общего │
│ │ной архитектуры и│ │ │ │ │ │применения для│
│ │аппаратуры для│ │ │ │ │ │использования │
│ │контроля параметров│ │ │ │ │ │как в процессе│
│ │и оценки качества│ │ │ │ │ │создания │
│ │каналов связи │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │ │ │ │ │ │ │ной аппаратуры│
│ │ │ │ │ │ │ │(научные и│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленные │
│ │ │ │ │ │ │ │предприятия), │
│ │ │ │ │ │ │ │так и в│
│ │ │ │ │ │ │ │процессе │
│ │ │ │ │ │ │ │эксплуатации │
│ │ │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных систем и│
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов; │
│ │ │ │ │ │ │ │сохранение │
│ │ │ │ │ │ │ │отечественного │
│ │ │ │ │ │ │ │сектора │
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │современного │
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собного │
│ │ │ │ │ │ │ │радиоизмерите- │
│ │ │ │ │ │ │ │льного │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования с│
│ │ │ │ │ │ │ │ориентацией на│
│ │ │ │ │ │ │ │создание нового│
│ │ │ │ │ │ │ │поколения │
│ │ │ │ │ │ │ │автоматизирова-│
│ │ │ │ │ │ │ │нных │
│ │ │ │ │ │ │ │измерительных и│
│ │ │ │ │ │ │ │диагностических│
│ │ │ │ │ │ │ │систем на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе │
│ │ │ │ │ │ │ │модульного │
│ │ │ │ │ │ │ │принципа │
│ │ │ │ │ │ │ │построения и│
│ │ │ │ │ │ │ │приборов для│
│ │ │ │ │ │ │ │контроля │
│ │ │ │ │ │ │ │параметров и│
│ │ │ │ │ │ │ │оценки качества│
│ │ │ │ │ │ │ │каналов связи;│
│ │ │ │ │ │ │ │снижение объема│
│ │ │ │ │ │ │ │закупок │
│ │ │ │ │ │ │ │импортной │
│ │ │ │ │ │ │ │измерительной │
│ │ │ │ │ │ │ │техники │
│ │ │ │ │ │ │ │(импортозамеще-│
│ │ │ │ │ │ │ │ние); │
│ │ │ │ │ │ │ │сокращение в│
│ │ │ │ │ │ │ │1,5-2 раза│
│ │ │ │ │ │ │ │трудоемкости │
│ │ │ │ │ │ │ │контрольно-по- │
│ │ │ │ │ │ │ │верочных и│
│ │ │ │ │ │ │ │регулировочных │
│ │ │ │ │ │ │ │работ при│
│ │ │ │ │ │ │ │производстве │
│ │ │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │качества │
│ │ │ │ │ │ │ │выпускаемой │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции; │
│ │ │ │ │ │ │ │экономия │
│ │ │ │ │ │ │ │электроэнергии │
│ │ │ │ │ │ │ │в 1,5-2 раза;│
│ │ │ │ │ │ │ │сохранение │
│ │ │ │ │ │ │ │квалифицирован-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных кадров │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│116. │Модернизации │ 0,3 │ 3 │ 1,4 │ 1,97 │ - │значительное │
│ │стендовой базы для│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ │расширение │
│ │обеспечения │ 0,3 │ 3 │ 1,4 │ 1,97 │ │использования │
│ │испытаний │ │ │ │ │ │волоконно-опти-│
│ │волоконно-оптических│ │ │ │ │ │ческих линий│
│ │линий связи в ГУП│ │ │ │ │ │связи с│
│ │"СПО "Арктика",│ │ │ │ │ │одновременным │
│ │г.Северодвинск │ │ │ │ │ │улучшением их│
│ │ │ │ │ │ │ │технических, │
│ │ │ │ │ │ │ │экономических и│
│ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацион- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристик │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ V. Технологии радиотехнических систем │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│117. │Разработка и│ - │ 4,6 │ 2,8 │ 3 │ 7 │создание │
│ │совершенствование │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │элементов │
│ │цифровых методов и│ │ 2,3 │ 1,4 │ 1,5 │ 3,5 │системы, │
│ │систем обработки│ │ │ │ │ │эксперименталь-│
│ │сверхширокополосных │ │ │ │ │ │ных образцов,│
│ │СВЧ-сигналов в│ │ │ │ │ │программного │
│ │реальном масштабе│ │ │ │ │ │алгоритмическо-│
│ │времени для РТР, РЭП│ │ │ │ │ │го обеспечения│
│ │на основе│ │ │ │ │ │САПР, │
│ │перспективных │ │ │ │ │ │совместимых с│
│ │цифровых, │ │ │ │ │ │CALS-технологи-│
│ │нейрокомпьютерных и│ │ │ │ │ │ями │
│ │нанотехнологий │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│118. │Разработка │ 6 │ 5,6 │ 3 │ 8,4 │ 8,4 │создание │
│ │технологии создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │технологий │
│ │радиолокационных и│ 3 │ 2,8 │ 1,5 │ 4,2 │ 4,2 │разработки │
│ │радиотехнических │ │ │ │ │ │радиотехничес- │
│ │адаптивных систем,│ │ │ │ │ │ких систем с│
│ │функционирующих в│ │ │ │ │ │улучшенными │
│ │сверхширокополосном │ │ │ │ │ │характеристика-│
│ │диапазоне частот и│ │ │ │ │ │ми углового и│
│ │обеспечивающих │ │ │ │ │ │спектрального │
│ │обработку, │ │ │ │ │ │разрешения для│
│ │запоминание и│ │ │ │ │ │аппаратуры и│
│ │формирование │ │ │ │ │ │приборов │
│ │сигналов по пеленгу│ │ │ │ │ │измерительной │
│ │и несущей частоте │ │ │ │ │ │техники, систем│
│ │ │ │ │ │ │ │ближней │
│ │ │ │ │ │ │ │навигации, для│
│ │ │ │ │ │ │ │комплексной │
│ │ │ │ │ │ │ │системы │
│ │ │ │ │ │ │ │воздействия на│
│ │ │ │ │ │ │ │каналы │
│ │ │ │ │ │ │ │распространения│
│ │ │ │ │ │ │ │электромагнит- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного излучения│
│ │ │ │ │ │ │ │сверхширокопо- │
│ │ │ │ │ │ │ │лосного │
│ │ │ │ │ │ │ │диапазона, │
│ │ │ │ │ │ │ │защиты объектов│
│ │ │ │ │ │ │ │от террористов│
│ │ │ │ │ │ │ │путем │
│ │ │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного подавления│
│ │ │ │ │ │ │ │радиоканалов │
│ │ │ │ │ │ │ │дистанционного │
│ │ │ │ │ │ │ │подрыва, для│
│ │ │ │ │ │ │ │информационной │
│ │ │ │ │ │ │ │защиты │
│ │ │ │ │ │ │ │объектов; │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │защиты ЛА на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе │
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │пространствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │но-помехового │
│ │ │ │ │ │ │ │комплекса │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│119. │Разработка и│ - │ 5 │ 6,2 │ 7,4 │ 7,6 │разработка │
│ │совершенствование │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │новых принципов│
│ │базовых технологий│ │ 2,5 │ 3,1 │ 3,7 │ 3,8 │синтеза систем│
│ │(аппаратурно-техни- │ │ │ │ │ │РЭРП на базе│
│ │ческих и│ │ │ │ │ │новейших │
│ │технологических │ │ │ │ │ │технологий │
│ │решений), создание│ │ │ │ │ │обработки │
│ │эффективных систем и│ │ │ │ │ │сигналов, │
│ │комплексов │ │ │ │ │ │конформных │
│ │радиоэлектронной │ │ │ │ │ │антенных │
│ │разведки и│ │ │ │ │ │решеток, микро-│
│ │подавления │ │ │ │ │ │и │
│ │радиоэлектронных │ │ │ │ │ │СВЧ-технологий,│
│ │средств (РЭРП) в│ │ │ │ │ │цифровой │
│ │целях обеспечения│ │ │ │ │ │техники, │
│ │защиты наземных,│ │ │ │ │ │разработка │
│ │морских, воздушных и│ │ │ │ │ │эксперименталь-│
│ │космических объектов│ │ │ │ │ │ных образцов по│
│ │ │ │ │ │ │ │наиболее важным│
│ │ │ │ │ │ │ │направлениям │
│ │ │ │ │ │ │ │техники │
│ │ │ │ │ │ │ │(разрабатывае- │
│ │ │ │ │ │ │ │мые средства не│
│ │ │ │ │ │ │ │имеют аналогов│
│ │ │ │ │ │ │ │в мире) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│120. │Создание технологии│ 4 │ 2 │ 2 │ │ │создание │
│ │поиска │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │технологий │
│ │неоднородности в│ 2 │ 1 │ 1 │ │ │разработки │
│ │верхнем слое Земли│ │ │ │ │ │комплексной │
│ │до глубины 100 м на│ │ │ │ │ │радиоакустичес-│
│ │основе │ │ │ │ │ │кой системы│
│ │комплексирования │ │ │ │ │ │повышенной │
│ │информации радио- и│ │ │ │ │ │мощности │
│ │акустических каналов│ │ │ │ │ │панорамного │
│ │поверхностно-распре-│ │ │ │ │ │просмотра │
│ │деленных датчиков │ │ │ │ │ │грунта для│
│ │ │ │ │ │ │ │обнаружения и│
│ │ │ │ │ │ │ │визуализации │
│ │ │ │ │ │ │ │неоднородностей│
│ │ │ │ │ │ │ │в грунте,│
│ │ │ │ │ │ │ │обнаружения с│
│ │ │ │ │ │ │ │высоким │
│ │ │ │ │ │ │ │разрешением │
│ │ │ │ │ │ │ │малоразмерных │
│ │ │ │ │ │ │ │неоднородностей│
│ │ │ │ │ │ │ │(< 0,5 м) с│
│ │ │ │ │ │ │ │поверхности │
│ │ │ │ │ │ │ │Земли без│
│ │ │ │ │ │ │ │предварительно-│
│ │ │ │ │ │ │ │го бурения│
│ │ │ │ │ │ │ │каротажных │
│ │ │ │ │ │ │ │скважин │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│121. │Исследование свойств│ - │ 5,6 │ 6,8 │ 21 │ 20 │обеспечение │
│ │технологии │ │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │решения │
│ │сверхкороткоимпульс-│ │ 2,8 │ 3,4 │ 10,5 │ 10 │проблемы │
│ │ной радиолокации с│ │ │ │ │ │обнаружения │
│ │зондирующими │ │ │ │ │ │объектов с│
│ │сигналами │ │ │ │ │ │малой ЭПР на│
│ │длительностью 5-10│ │ │ │ │ │фоне │
│ │нс, разработка,│ │ │ │ │ │интенсивных │
│ │изготовление и│ │ │ │ │ │отражений от│
│ │испытание образцов│ │ │ │ │ │местности при│
│ │аппаратуры │ │ │ │ │ │однозначном │
│ │ │ │ │ │ │ │измерении │
│ │ │ │ │ │ │ │координат │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│122. │Исследование путей│ 9,2 │ 7,4 │ 9,2 │ 10 │ 15,6 │создание │
│ │создания │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │научно-техниче-│
│ │видеоимпульсных │ 4,6 │ 3,7 │ 4,6 │ 5 │ 7,8 │ского задела│
│ │сканирующих антенных│ │ │ │ │ │для нового│
│ │решеток │ │ │ │ │ │направления в│
│ │применительно к│ │ │ │ │ │радиолокации, │
│ │бортовым │ │ │ │ │ │основанного на│
│ │радиолокационным │ │ │ │ │ │современных │
│ │системам │ │ │ │ │ │достижениях │
│ │ │ │ │ │ │ │полупроводнико-│
│ │ │ │ │ │ │ │вых генераторов│
│ │ │ │ │ │ │ │мощных │
│ │ │ │ │ │ │ │сверхкоротких │
│ │ │ │ │ │ │ │импульсов и│
│ │ │ │ │ │ │ │сверхбыстрой │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│123. │Разработка и│ 2 │ 4,6 │ 2,4 │ │ │создание ряда│
│ │совершенствование │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │радиолокацион- │
│ │базовых технологий│ 1 │ 2,3 │ 1,2 │ │ │ных средств│
│ │(аппаратурно-техни- │ │ │ │ │ │ММДВ; создание│
│ │ческих, │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │технологических │ │ │ │ │ │собной │
│ │решений и│ │ │ │ │ │продукции │
│ │программно-алгорит- │ │ │ │ │ │ │
│ │мического │ │ │ │ │ │ │
│ │обеспечения) для│ │ │ │ │ │ │
│ │создания нового│ │ │ │ │ │ │
│ │поколения │ │ │ │ │ │ │
│ │высокоточных │ │ │ │ │ │ │
│ │помехозащищенных │ │ │ │ │ │ │
│ │радиоэлектронных │ │ │ │ │ │ │
│ │средств │ │ │ │ │ │ │
│ │высокочастотных │ │ │ │ │ │ │
│ │диапазонов волн │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│124. │Разработка │ 0,8 │ 1,6 │ 2 │ 2,4 │ 2,4 │повышение │
│ │конструкторских │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │эффективности │
│ │решений, │ 0,4 │ 0,8 │ 1 │ 1,2 │ 1,2 │РЛС с│
│ │программно-алгорит- │ │ │ │ │ │твердотельной │
│ │мического │ │ │ │ │ │активной ФАР│
│ │обеспечения ЦАФАР │ │ │ │ │ │при обнаружении│
│ │ │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │ │ │ │ │ │ │скоростных, │
│ │ │ │ │ │ │ │высотных, │
│ │ │ │ │ │ │ │малоразмерных │
│ │ │ │ │ │ │ │целей; │
│ │ │ │ │ │ │ │существенное │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │стоимости │
│ │ │ │ │ │ │ │разработки и│
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │наземных и│
│ │ │ │ │ │ │ │бортовых РЛС │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│125. │Разработка │ 8 │ 9,6 │ │ │ │создание единой│
│ │технологии создания│ ───── │ ────── │ │ │ │информационной │
│ │единой │ 4 │ 4,8 │ │ │ │сети для│
│ │интегрированной сети│ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │сбора, объединения и│ │ │ │ │ │круглосуточной │
│ │предоставления │ │ │ │ │ │информацией о│
│ │радиолокационной │ │ │ │ │ │воздушной, │
│ │информации от│ │ │ │ │ │метеорологичес-│
│ │обзорных РЛС│ │ │ │ │ │кой и надводной│
│ │различного │ │ │ │ │ │обстановке │
│ │назначения и│ │ │ │ │ │заинтересован- │
│ │диапазона волн │ │ │ │ │ │ные организации│
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│126. │Исследование и│ 21,8 │ 14,6 │ 7,6 │ 13 │ 13,2 │создание │
│ │разработка │ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │принципиально │
│ │технологии создания│ 10,9 │ 7,3 │ 3,8 │ 6,5 │ 6,6 │новой системы,│
│ │радиоэлектронного │ │ │ │ │ │использующей │
│ │комплекса │ │ │ │ │ │радиолокацион- │
│ │высокомобильных и│ │ │ │ │ │ные, лазерные,│
│ │стационарных систем│ │ │ │ │ │магнитно-ядер- │
│ │обнаружения │ │ │ │ │ │ные, │
│ │транспортных средств│ │ │ │ │ │резонансные и│
│ │и пресечения│ │ │ │ │ │другие │
│ │незаконного │ │ │ │ │ │средства, │
│ │перемещения │ │ │ │ │ │развертывание │
│ │наркотиков в│ │ │ │ │ │которой на│
│ │интересах различных│ │ │ │ │ │одном из│
│ │потребителей │ │ │ │ │ │направлений │
│ │ │ │ │ │ │ │нелегальной │
│ │ │ │ │ │ │ │транспортировки│
│ │ │ │ │ │ │ │наркотиков │
│ │ │ │ │ │ │ │может привести│
│ │ │ │ │ │ │ │к выводу из│
│ │ │ │ │ │ │ │начального │
│ │ │ │ │ │ │ │оборота │
│ │ │ │ │ │ │ │наркотиков на│
│ │ │ │ │ │ │ │сумму около│
│ │ │ │ │ │ │ │1 млрд. │
│ │ │ │ │ │ │ │долларов США │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│127. │Исследования и│ 15,2 │ 6,4 │ 7,4 │ 9 │ 9,2 │разработка │
│ │разработка базовой│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │комплекса │
│ │технологии создания│ 7,6 │ 3,2 │ 3,7 │ 4,5 │ 4,6 │государственных│
│ │и обеспечения│ │ │ │ │ │стандартов, │
│ │функционирования │ │ │ │ │ │определяющих │
│ │единой │ │ │ │ │ │порядок │
│ │унифицированной │ │ │ │ │ │выполнения │
│ │системы мониторинга│ │ │ │ │ │НИОКР по│
│ │окружающей среды на│ │ │ │ │ │созданию │
│ │базе комплексов, в│ │ │ │ │ │унифицированной│
│ │том числе с│ │ │ │ │ │системы │
│ │беспилотными │ │ │ │ │ │мониторинга │
│ │летательными │ │ │ │ │ │окружающей │
│ │аппаратами │ │ │ │ │ │среды на базе│
│ │ │ │ │ │ │ │комплексов с│
│ │ │ │ │ │ │ │беспилотными │
│ │ │ │ │ │ │ │летательными │
│ │ │ │ │ │ │ │аппаратами; │
│ │ │ │ │ │ │ │разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │базовой │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │создания и│
│ │ │ │ │ │ │ │совершенствова-│
│ │ │ │ │ │ │ │ния │
│ │ │ │ │ │ │ │программного │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечения для│
│ │ │ │ │ │ │ │создания │
│ │ │ │ │ │ │ │системы │
│ │ │ │ │ │ │ │мониторинга │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│128. │Разработка │ 6 │ 6 │ 7,2 │ 7,6 │ 8,8 │разработка │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ────── │ ───── │фрагмента │
│ │новых │ 3 │ 3 │ 3,6 │ 3,8 │ 4,4 │гидроакустичес-│
│ │высокоэффективных │ │ │ │ │ │кой системы для│
│ │систем подводного│ │ │ │ │ │национальной и│
│ │наблюдения, в том│ │ │ │ │ │международной │
│ │числе с│ │ │ │ │ │системы │
│ │использованием │ │ │ │ │ │мониторинга; │
│ │гидроакустических │ │ │ │ │ │внедрение │
│ │антенн нового│ │ │ │ │ │национального │
│ │поколения и│ │ │ │ │ │фрагмента в│
│ │подводного │ │ │ │ │ │международную │
│ │телевидения │ │ │ │ │ │систему в│
│ │ │ │ │ │ │ │рамках Договора│
│ │ │ │ │ │ │ │о всеобъемлющем│
│ │ │ │ │ │ │ │запрещении │
│ │ │ │ │ │ │ │ядерных │
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │опытных │
│ │ │ │ │ │ │ │образцов │
│ │ │ │ │ │ │ │базовых морских│
│ │ │ │ │ │ │ │и береговых│
│ │ │ │ │ │ │ │элементов │
│ │ │ │ │ │ │ │системы и│
│ │ │ │ │ │ │ │основных │
│ │ │ │ │ │ │ │отечественных │
│ │ │ │ │ │ │ │компонентов: │
│ │ │ │ │ │ │ │туннельных │
│ │ │ │ │ │ │ │датчиков │
│ │ │ │ │ │ │ │давления, │
│ │ │ │ │ │ │ │комбинированных│
│ │ │ │ │ │ │ │высокочастотных│
│ │ │ │ │ │ │ │морских │
│ │ │ │ │ │ │ │кабелей, │
│ │ │ │ │ │ │ │приборов │
│ │ │ │ │ │ │ │предварительной│
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │сигналов на│
│ │ │ │ │ │ │ │базе │
│ │ │ │ │ │ │ │МКМ-технологии;│
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │информационной │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности; │
│ │ │ │ │ │ │ │поддержание │
│ │ │ │ │ │ │ │технологическо-│
│ │ │ │ │ │ │ │го паритета с│
│ │ │ │ │ │ │ │ведущими │
│ │ │ │ │ │ │ │иностранными │
│ │ │ │ │ │ │ │государствами в│
│ │ │ │ │ │ │ │области │
│ │ │ │ │ │ │ │создания систем│
│ │ │ │ │ │ │ │подводного │
│ │ │ │ │ │ │ │наблюдения │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│129. │Создание мощностей│ 10 │ 10,5 │ │ │ │производство │
│ │по выпуску│ ───── │ ────── │ │ │ │отечественных │
│ │газоразрядных │ 10 │ 10,5 │ │ │ │больших │
│ │индикаторных панелей│ │ │ │ │ │плазменных │
│ │для телевизоров с│ │ │ │ │ │панелей на базе│
│ │плоским экраном на│ │ │ │ │ │новых │
│ │базе ОАО "Плазма",│ │ │ │ │ │технологий для│
│ │г.Рязань │ │ │ │ │ │телевизоров с│
│ │ │ │ │ │ │ │большим экраном│
│ │ │ │ │ │ │ │и других│
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
│ │ │ │ │ │ │ │отображения │
│ │ │ │ │ │ │ │информации │
│ │ │ │ │ │ │ │коллективного │
│ │ │ │ │ │ │ │пользования с│
│ │ │ │ │ │ │ │равномерным │
│ │ │ │ │ │ │ │цветным │
│ │ │ │ │ │ │ │изображением и│
│ │ │ │ │ │ │ │высокой │
│ │ │ │ │ │ │ │разрешающей │
│ │ │ │ │ │ │ │способностью │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ VI. Технологии оптоэлектронных, лазерных и инфракрасных систем │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│130. │Исследования и│ 18,6 │ 18,6 │ 21,4 │ │ │создание │
│ │разработка │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │технологий │
│ │технологий │ 9,3 │ 9,3 │ 10,7 │ │ │производства │
│ │производства │ │ │ │ │ │приборов и│
│ │твердотельных │ │ │ │ │ │систем на│
│ │лазеров с диодной│ │ │ │ │ │основе │
│ │накачкой │ │ │ │ │ │высокоэффектив-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных │
│ │ │ │ │ │ │ │твердотельных │
│ │ │ │ │ │ │ │лазеров нового│
│ │ │ │ │ │ │ │поколения с КПД│
│ │ │ │ │ │ │ │не ниже │
│ │ │ │ │ │ │ │10 процентов,│
│ │ │ │ │ │ │ │уровнем │
│ │ │ │ │ │ │ │мощности до│
│ │ │ │ │ │ │ │1 кВт для│
│ │ │ │ │ │ │ │использования в│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности,│
│ │ │ │ │ │ │ │медицине, связи│
│ │ │ │ │ │ │ │и в различных│
│ │ │ │ │ │ │ │информационных │
│ │ │ │ │ │ │ │системах │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│131. │Отработка базовых│ 13,8 │ 13,8 │ 14 │ 8,2 │ 9 │создание │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │─────── │ ───── │базовых │
│ │производства новых│ 6,9 │ 6,9 │ 7 │ 4,1 │ 4,5 │технологий │
│ │марок оптического│ │ │ │ │ │производства │
│ │стекла с заранее│ │ │ │ │ │новых │
│ │заданными │ │ │ │ │ │оптических │
│ │свойствами, лазерных│ │ │ │ │ │сред, внедрение│
│ │стекол, оптических│ │ │ │ │ │в производство│
│ │кристаллов, │ │ │ │ │ │новых типов│
│ │получения оптических│ │ │ │ │ │оптических │
│ │керамики и│ │ │ │ │ │покрытий в│
│ │полимерных │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │материалов, │ │ │ │ │ │разработок и│
│ │отработка технологий│ │ │ │ │ │производства │
│ │оптических покрытий │ │ │ │ │ │оптических, │
│ │ │ │ │ │ │ │оптоэлектрон- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных, лазерных и│
│ │ │ │ │ │ │ │инфракрасных │
│ │ │ │ │ │ │ │приборов и│
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│132. │Разработка на основе│ 11,8 │ 11,8 │ 13,6 │ 20,2 │ 20,4 │создание нового│
│ │прогрессивных │ ───── │ ────── │ ───── │─────── │ ───── │поколения │
│ │технологий │ 5,9 │ 5,9 │ 6,8 │ 10,1 │ 10,2 │спектрофотомет-│
│ │аналитических │ │ │ │ │ │ров, │
│ │оптических приборов│ │ │ │ │ │спектрометров с│
│ │для решения широкого│ │ │ │ │ │повышенным │
│ │спектра задач│ │ │ │ │ │разрешением, │
│ │общепромышленного и│ │ │ │ │ │световых │
│ │научного характера в│ │ │ │ │ │микроскопов, │
│ │базовых отраслях:│ │ │ │ │ │рефрактометров,│
│ │металлургии, │ │ │ │ │ │поляриметров, │
│ │нефтехимии, │ │ │ │ │ │автоматизирова-│
│ │машиностроении, │ │ │ │ │ │нных оптических│
│ │лесопромышленном и│ │ │ │ │ │приборов и│
│ │аграрном комплексах,│ │ │ │ │ │систем и др. │
│ │а также для│ │ │ │ │ │ │
│ │обеспечения контроля│ │ │ │ │ │ │
│ │за окружающей средой│ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│133. │Создание │ 10,6 │ 10,6 │ 11,2 │ 11,2 │ 12 │разработка ряда│
│ │прогрессивных │ ───── │ ────── │ ───── │─────── │ ───── │специального │
│ │технологий и│ 5,3 │ 5,3 │ 5,6 │ 5,6 │ 6 │оборудования, │
│ │оборудования для│ │ │ │ │ │включающего │
│ │обработки кристаллов│ │ │ │ │ │специальное │
│ │и асферической│ │ │ │ │ │механизирован- │
│ │оптики │ │ │ │ │ │ное и│
│ │ │ │ │ │ │ │автоматизирова-│
│ │ │ │ │ │ │ │нное │
│ │ │ │ │ │ │ │заготовительное│
│ │ │ │ │ │ │ │оборудование; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования │
│ │ │ │ │ │ │ │для обработки и│
│ │ │ │ │ │ │ │контроля │
│ │ │ │ │ │ │ │параметров │
│ │ │ │ │ │ │ │заготовок │
│ │ │ │ │ │ │ │оптических │
│ │ │ │ │ │ │ │деталей, │
│ │ │ │ │ │ │ │полирования и│
│ │ │ │ │ │ │ │доводки, │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │кристаллов, │
│ │ │ │ │ │ │ │асферической │
│ │ │ │ │ │ │ │оптики, │
│ │ │ │ │ │ │ │прецизионной │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │оптических │
│ │ │ │ │ │ │ │деталей из│
│ │ │ │ │ │ │ │нетрадиционных │
│ │ │ │ │ │ │ │материалов; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание новых│
│ │ │ │ │ │ │ │видов │
│ │ │ │ │ │ │ │шлифовальных и│
│ │ │ │ │ │ │ │полировочных │
│ │ │ │ │ │ │ │материалов и│
│ │ │ │ │ │ │ │инструментов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│134. │Разработка │ 4 │ 4 │ 4,4 │ │ │создание нового│
│ │технологии создания│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │поколения │
│ │сложных │ 2 │ 2 │ 2,2 │ │ │высокоэффектив-│
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │ных, │
│ │композиций с низкими│ │ │ │ │ │компактных, │
│ │оптическими │ │ │ │ │ │высоконадежных │
│ │потерями, │ │ │ │ │ │твердотельных и│
│ │многоэлементных │ │ │ │ │ │полупроводнико-│
│ │интегральных │ │ │ │ │ │вых лазеров, а│
│ │управляемых │ │ │ │ │ │также │
│ │излучателей матриц и│ │ │ │ │ │высокоточных │
│ │диэлектрических │ │ │ │ │ │лазерных │
│ │отражающих и│ │ │ │ │ │гироскопов с│
│ │просветляющих │ │ │ │ │ │круговой и│
│ │покрытий │ │ │ │ │ │линейной │
│ │ │ │ │ │ │ │поляризацией │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│135. │Разработка │ 0,8 │ 0,8 │ 0,8 │ │ │разработка │
│ │технологии улучшения│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │методов и│
│ │угловой расходимости│ 0,4 │ 0,4 │ 0,4 │ │ │аппаратуры │
│ │излучения мощных│ │ │ │ │ │линейной и│
│ │лазеров на основе│ │ │ │ │ │нелинейной │
│ │методов линейной и│ │ │ │ │ │адаптации │
│ │нелинейной │ │ │ │ │ │излучения │
│ │адаптивной оптики │ │ │ │ │ │мощных │
│ │ │ │ │ │ │ │ИК-лазеров, │
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющих │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечить │
│ │ │ │ │ │ │ │расходимость │
│ │ │ │ │ │ │ │луча более │
│ │ │ │ │ │ │ │10(-5)рад; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │возможности │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерных систем│
│ │ │ │ │ │ │ │различного │
│ │ │ │ │ │ │ │назначения и│
│ │ │ │ │ │ │ │существенное │
│ │ │ │ │ │ │ │расширение │
│ │ │ │ │ │ │ │области │
│ │ │ │ │ │ │ │применения │
│ │ │ │ │ │ │ │передовых │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерных │
│ │ │ │ │ │ │ │технологий │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│136. │Проведение │ 6,8 │ 6,8 │ 7 │ 7,6 │ 7,8 │анализ и│
│ │аналитических и│ ───── │ ────── │ ───── │ ──────│ ───── │прогнозирование│
│ │прогнозных │ 3,4 │ 3,4 │ 3,5 │ 3,8 │ 3,9 │тенденций │
│ │исследований по│ │ │ │ │ │развития опто- │
│ │обоснованию │ │ │ │ │ │электронных, │
│ │перспективных │ │ │ │ │ │лазерных и│
│ │направлений развития│ │ │ │ │ │ИК-технологий │
│ │оптоэлектронных, │ │ │ │ │ │на основе│
│ │лазерных и│ │ │ │ │ │изучения │
│ │инфракрасных │ │ │ │ │ │состояния и│
│ │технологий │ │ │ │ │ │уровня развития│
│ │ │ │ │ │ │ │отечественной │
│ │ │ │ │ │ │ │технологической│
│ │ │ │ │ │ │ │базы и мировых│
│ │ │ │ │ │ │ │тенденций │
│ │ │ │ │ │ │ │развития │
│ │ │ │ │ │ │ │указанных │
│ │ │ │ │ │ │ │технологий; │
│ │ │ │ │ │ │ │разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │предложений по│
│ │ │ │ │ │ │ │приоритетным │
│ │ │ │ │ │ │ │направлениям │
│ │ │ │ │ │ │ │развития │
│ │ │ │ │ │ │ │критических │
│ │ │ │ │ │ │ │технологий │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│137. │Организация │ 40,4 │ 54,24 │ 15,4 │ 55,1 │ 22,5 │масштабное │
│ │серийного │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │производство │
│ │производства │ 40,4 │ 54,24 │ 15,4 │ 55,1 │ 22,5 │фотоприемников │
│ │фотоприемников на│ │ │ │ │ │нового │
│ │основе p-i-n│ │ │ │ │ │поколения на│
│ │фотодиодов на базе│ │ │ │ │ │базе новых│
│ │ГУП "НПО "Орион",│ │ │ │ │ │технологий; │
│ │г.Москва │ │ │ │ │ │удовлетворение │
│ │ │ │ │ │ │ │потребностей │
│ │ │ │ │ │ │ │отечественного │
│ │ │ │ │ │ │ │рынка в│
│ │ │ │ │ │ │ │фотоприемниках │
│ │ │ │ │ │ │ │на основе p-i-n│
│ │ │ │ │ │ │ │фотодиодов, │
│ │ │ │ │ │ │ │применяемых при│
│ │ │ │ │ │ │ │производстве │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерных │
│ │ │ │ │ │ │ │дальномеров, │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │наведения, │
│ │ │ │ │ │ │ │дистанционных │
│ │ │ │ │ │ │ │оптических │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │управления в│
│ │ │ │ │ │ │ │космических │
│ │ │ │ │ │ │ │системах │
│ │ │ │ │ │ │ │мониторинга │
│ │ │ │ │ │ │ │природных │
│ │ │ │ │ │ │ │ресурсов, │
│ │ │ │ │ │ │ │охранных │
│ │ │ │ │ │ │ │системах и│
│ │ │ │ │ │ │ │системах │
│ │ │ │ │ │ │ │оптической │
│ │ │ │ │ │ │ │связи │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│138. │Создание │ 1 │ 7,8 │ 10,1 │ 36,8 │ - │обеспечение │
│ │модернизированного │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ │испытаний и│
│ │комплекса для│ 1 │ 7,8 │ 10,1 │ 36,8 │ │отработка │
│ │светотехнических │ │ │ │ │ │крупногабарит- │
│ │испытаний на базе│ │ │ │ │ │ных оптических│
│ │ФГУП "НИИКИ ОЭП",│ │ │ │ │ │и │
│ │г.Сосновый бор,│ │ │ │ │ │оптико-электро-│
│ │Ленинградская │ │ │ │ │ │нных приборов и│
│ │область │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │космических │
│ │ │ │ │ │ │ │аппаратов │
│ │ │ │ │ │ │ │двойного │
│ │ │ │ │ │ │ │назначения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│139. │Модернизация и│ 4,4 │ 7,8 │ 14,3 │ 20 │ 80 │завершение │
│ │техперевооружение │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ────── │модернизации │
│ │научно-производстве-│ 4,4 │ 7,8 │ 14,3 │ 20 │ 80 │уникальной │
│ │нной и опытной базы│ │ │ │ │ │испытательной │
│ │в ГУП│ │ │ │ │ │трассы │
│ │"Государственный │ │ │ │ │ │(единственной в│
│ │научно-исследовате- │ │ │ │ │ │России и в│
│ │льский испытательный│ │ │ │ │ │Европе) │
│ │лазерный центр│ │ │ │ │ │протяженностью │
│ │(полигон) "Радуга",│ │ │ │ │ │20 км для│
│ │г.Радужный, │ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │Владимирская область│ │ │ │ │ │натурных │
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерной │
│ │ │ │ │ │ │ │техники нового│
│ │ │ │ │ │ │ │поколения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│140. │Техническое │ 4,5 │ 4,5 │ - │ - │ - │организация │
│ │перевооружение │ ───── │ ────── │ │ │ │серийного │
│ │опытного │ 4,5 │ 4,5 │ │ │ │производства │
│ │производства ФГУП│ │ │ │ │ │высокоэффектив-│
│ │"ЦНИИточмаш", │ │ │ │ │ │ных магнитных│
│ │г.Климовск, │ │ │ │ │ │сепараторов │
│ │Московская область,│ │ │ │ │ │клеток костного│
│ │для выпуска│ │ │ │ │ │мозга и│
│ │магнитных │ │ │ │ │ │отечественного │
│ │сепараторов клеток│ │ │ │ │ │высокоспецифич-│
│ │костного мозга МСК-1│ │ │ │ │ │ного │
│ │и компонентов для│ │ │ │ │ │иммуносорбента │
│ │сепарации │ │ │ │ │ │для лечения│
│ │ │ │ │ │ │ │онкологических │
│ │ │ │ │ │ │ │и │
│ │ │ │ │ │ │ │гематологичес- │
│ │ │ │ │ │ │ │ких заболеваний│
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ VII. Технологии информационных систем │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│141. │Разработка базовых│ 17,6 │ 38,2 │ 22 │ │ │обеспечение │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │экономичного и│
│ │мониторинга, │ 8,8 │ 19,1 │ 11 │ │ │оперативного │
│ │дистанционного │ │ │ │ │ │составления │
│ │зондирования и│ │ │ │ │ │ресурсных │
│ │геоинформационных │ │ │ │ │ │кадастров с│
│ │систем │ │ │ │ │ │высокой │
│ │ │ │ │ │ │ │точностью, │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │высокоэффектив-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных │
│ │ │ │ │ │ │ │информационных │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│142. │Разработка базовых│ 31,2 │ 31,2 │ 24,4 │ 4,8 │ 6,2 │создание │
│ │технологий обработки│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ────── │технологий │
│ │сигналов и│ 15,6 │ 15,6 │ 12,2 │ 2,4 │ 3,1 │высокопроизво- │
│ │видеоинформации для│ │ │ │ │ │дительных │
│ │систем машинного│ │ │ │ │ │высокоточных │
│ │зрения, цифровой│ │ │ │ │ │бесконтактных │
│ │фотограмметрии и│ │ │ │ │ │измерений, │
│ │информационной │ │ │ │ │ │технологий │
│ │робототехники │ │ │ │ │ │машинного │
│ │ │ │ │ │ │ │зрения и│
│ │ │ │ │ │ │ │информационной │
│ │ │ │ │ │ │ │робототехники │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│143. │Разработка базовых│ 24,8 │ 41,8 │ 70,6 │ 58,6 │ 61,4 │комплексы │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ────── │программных │
│ │имитационного │ 12,4 │ 20,9 │ 35,3 │ 29,3 │ 30,7 │средств для│
│ │моделирования │ │ │ │ │ │использования в│
│ │сложных │ │ │ │ │ │системах │
│ │социально-техничес- │ │ │ │ │ │управления, │
│ │ких систем │ │ │ │ │ │моделирования, │
│ │ │ │ │ │ │ │эксперименталь-│
│ │ │ │ │ │ │ │ной обработки и│
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающие │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшение или│
│ │ │ │ │ │ │ │исключение │
│ │ │ │ │ │ │ │дорогостоящих │
│ │ │ │ │ │ │ │или опасных│
│ │ │ │ │ │ │ │натурных │
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│144. │Разработка базовых│ 13,8 │ 13,8 │ 16,2 │ 16,6 │ 17,6 │создание │
│ │информационных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ────── │базовых │
│ │технологий │ 6,9 │ 6,9 │ 8,1 │ 8,3 │ 8,8 │технологий │
│ │взаимодействия │ │ │ │ │ │нового │
│ │"человек - машина"│ │ │ │ │ │поколения │
│ │на основе систем│ │ │ │ │ │тренажеров, │
│ │виртуальной │ │ │ │ │ │высокоэффектив-│
│ │реальности │ │ │ │ │ │ных обучающих│
│ │ │ │ │ │ │ │систем широкого│
│ │ │ │ │ │ │ │применения │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│145. │Разработка │ 27 │ 37,4 │ 31,2 │ 52 │ 54 │создание │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ────── │комплекса │
│ │автоматизированных │ 13,5 │ 18,7 │ 15,6 │ 26 │ 27 │программных │
│ │систем │ │ │ │ │ │средств для│
│ │проектирования и│ │ │ │ │ │внедрения в│
│ │производства │ │ │ │ │ │промышленность │
│ │наукоемкой техники,│ │ │ │ │ │безбумажных │
│ │основанных на│ │ │ │ │ │технологий │
│ │безбумажных │ │ │ │ │ │проектирования │
│ │технологиях │ │ │ │ │ │и производства,│
│ │(CALS-технологиях) │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │ │ │ │ │ │ │резкое │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшение │
│ │ │ │ │ │ │ │затрат и сроков│
│ │ │ │ │ │ │ │создания │
│ │ │ │ │ │ │ │сложных │
│ │ │ │ │ │ │ │технических │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│146. │Разработка базовых│ 19 │ 46,8 │ 47,6 │ 62,4 │ 64,2 │создание │
│ │информационных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ────── │макетных │
│ │технологий для│ 9,5 │ 23,4 │ 23,8 │ 31,2 │ 32,1 │образцов систем│
│ │создания систем│ │ │ │ │ │на основе новых│
│ │анализа различных│ │ │ │ │ │информационных │
│ │ситуаций, контроля│ │ │ │ │ │технологий │
│ │процессов и│ │ │ │ │ │ │
│ │объектов, систем│ │ │ │ │ │ │
│ │принятия оперативных│ │ │ │ │ │ │
│ │решений, │ │ │ │ │ │ │
│ │планирования, │ │ │ │ │ │ │
│ │прогнозирования, │ │ │ │ │ │ │
│ │управления │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│147. │Разработка базовых│ 20,2 │ 20,2 │ 23,6 │ 10,2 │ 10,4 │создание │
│ │информационных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ────── │комплексов │
│ │технологий систем│ 10,1 │ 10,1 │ 11,8 │ 5,1 │ 5,2 │программно-тех-│
│ │сжатия, кодирования│ │ │ │ │ │нических │
│ │и защиты информации │ │ │ │ │ │средств для│
│ │ │ │ │ │ │ │использования в│
│ │ │ │ │ │ │ │информационно- │
│ │ │ │ │ │ │ │управляющих │
│ │ │ │ │ │ │ │устройствах │
│ │ │ │ │ │ │ │технических │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестицион (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│148. │Техническое │ 120 │ 30,7 │ 19,7 │ 30,88 │ 33 │обеспечение ор-│
│ │перевооружение и│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │ганизации круп-│
│ │реконструкция │ 120 │ 30,7 │ 19,7 │ 30,88 │ 33 │номасштабного │
│ │производства │ │ │ │ │ │серийного про-│
│ │спутниковых │ │ │ │ │ │изводства спут-│
│ │навигационных │ │ │ │ │ │никовых навига-│
│ │приемоизмерителей на│ │ │ │ │ │ционных приемо-│
│ │ФГУП "РИРВ",│ │ │ │ │ │измерителей │
│ │г.Санкт-Петербург │ │ │ │ │ │"ГЛОНАСС/GPS" │
│ │ │ │ │ │ │ │К-161 для об-│
│ │ │ │ │ │ │ │ъектов наземно-│
│ │ │ │ │ │ │ │го, воздушного│
│ │ │ │ │ │ │ │и морского ба-│
│ │ │ │ │ │ │ │зирования │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ VIII. Ядерные технологии нового поколения │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│149. │Разработка │ 32,2 │ 21,6 │ 22 │ 24 │ 25,8 │улучшение │
│ │безопасных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │экологической │
│ │технологий ядерного│ 16,1 │ 10,8 │ 11 │ 12 │ 12,9 │обстановки, │
│ │топливного цикла и│ │ │ │ │ │экономических │
│ │получения │ │ │ │ │ │показателей │
│ │уранплутониевого │ │ │ │ │ │плутониевого │
│ │топлива на основе│ │ │ │ │ │производства и│
│ │оксидов и нитридов│ │ │ │ │ │решение │
│ │для реакторов│ │ │ │ │ │проблемы │
│ │различного │ │ │ │ │ │утилизации │
│ │назначения │ │ │ │ │ │накопленного │
│ │ │ │ │ │ │ │плутония │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│150. │Создание базовых│ 25,8 │ 17,2 │ 12,4 │ 12,2 │ 12,2 │повышение │
│ │технологий новых│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │эксплуатацион- │
│ │видов ядерного│ 12,9 │ 8,6 │ 6,2 │ 6,1 │ 6,1 │ных │
│ │топлива для│ │ │ │ │ │характеристик и│
│ │реакторов различного│ │ │ │ │ │безопасности │
│ │назначения │ │ │ │ │ │ядерных │
│ │ │ │ │ │ │ │реакторов │
│ │ │ │ │ │ │ │различного │
│ │ │ │ │ │ │ │назначения; │
│ │ │ │ │ │ │ │использование │
│ │ │ │ │ │ │ │нового топлива,│
│ │ │ │ │ │ │ │что позволит в│
│ │ │ │ │ │ │ │энергетических │
│ │ │ │ │ │ │ │реакторах │
│ │ │ │ │ │ │ │достигнуть │
│ │ │ │ │ │ │ │глубины │
│ │ │ │ │ │ │ │выгорания │
│ │ │ │ │ │ │ │(80-90)10(3) │
│ │ │ │ │ │ │ │кВт.сут./т, и│
│ │ │ │ │ │ │ │повысить │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасность │
│ │ │ │ │ │ │ │реакторов АЭС│
│ │ │ │ │ │ │ │при возможных│
│ │ │ │ │ │ │ │авариях, решить│
│ │ │ │ │ │ │ │задачу │
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │в исследовате- │
│ │ │ │ │ │ │ │льских │
│ │ │ │ │ │ │ │реакторах │
│ │ │ │ │ │ │ │низкообогащен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного урана до│
│ │ │ │ │ │ │ │20 процентов; в│
│ │ │ │ │ │ │ │реакторах │
│ │ │ │ │ │ │ │двухцелевого │
│ │ │ │ │ │ │ │назначения │
│ │ │ │ │ │ │ │повысить на│
│ │ │ │ │ │ │ │20 процентов │
│ │ │ │ │ │ │ │энерговыработ- │
│ │ │ │ │ │ │ │ку; применение│
│ │ │ │ │ │ │ │плутония │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетического│
│ │ │ │ │ │ │ │качества в│
│ │ │ │ │ │ │ │ВВЭР-1000 │
│ │ │ │ │ │ │ │позволит │
│ │ │ │ │ │ │ │осуществить │
│ │ │ │ │ │ │ │замкнутый цикл│
│ │ │ │ │ │ │ │ядерной │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетики │
│ │ │ │ │ │ │ │России без│
│ │ │ │ │ │ │ │воспроизводства│
│ │ │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │плутония; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │отечественной │
│ │ │ │ │ │ │ │безотходной и│
│ │ │ │ │ │ │ │экологически │
│ │ │ │ │ │ │ │чистой │
│ │ │ │ │ │ │ │плазменной │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │позволит │
│ │ │ │ │ │ │ │получить │
│ │ │ │ │ │ │ │порошки оксидов│
│ │ │ │ │ │ │ │урана, │
│ │ │ │ │ │ │ │пригодные как│
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │изготовления │
│ │ │ │ │ │ │ │таблеток │
│ │ │ │ │ │ │ │керамического │
│ │ │ │ │ │ │ │сорта, так и│
│ │ │ │ │ │ │ │для получения│
│ │ │ │ │ │ │ │гексафторида │
│ │ │ │ │ │ │ │урана; создание│
│ │ │ │ │ │ │ │опытно-промыш- │
│ │ │ │ │ │ │ │ленной │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │изготовления │
│ │ │ │ │ │ │ │твэлов для│
│ │ │ │ │ │ │ │реакторов │
│ │ │ │ │ │ │ │различного │
│ │ │ │ │ │ │ │назначения; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │участка для│
│ │ │ │ │ │ │ │изготовления │
│ │ │ │ │ │ │ │топлива и│
│ │ │ │ │ │ │ │опытных твэлов;│
│ │ │ │ │ │ │ │модернизация │
│ │ │ │ │ │ │ │установки и│
│ │ │ │ │ │ │ │выдача исходных│
│ │ │ │ │ │ │ │данных для│
│ │ │ │ │ │ │ │создания │
│ │ │ │ │ │ │ │промышленного │
│ │ │ │ │ │ │ │аппарата по│
│ │ │ │ │ │ │ │переработке │
│ │ │ │ │ │ │ │плава │
│ │ │ │ │ │ │ │уранилнитрата │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│151. │Создание технологий│ 13,8 │ 9,2 │ 9,2 │ 9,2 │ 9,2 │расширение │
│ │получения природного│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │сырьевой базы│
│ │урана и редких│ 6,9 │ 4,6 │ 4,6 │ 4,6 │ 4,6 │природного │
│ │металлов из│ │ │ │ │ │урана за счет│
│ │российских │ │ │ │ │ │вовлечения в│
│ │источников сырья и│ │ │ │ │ │комплексную │
│ │совершенствование │ │ │ │ │ │переработку │
│ │технических средств,│ │ │ │ │ │месторождений │
│ │обеспечивающих │ │ │ │ │ │способом │
│ │реализацию │ │ │ │ │ │подземного │
│ │разработанных │ │ │ │ │ │выщелачивания │
│ │технологий │ │ │ │ │ │(ПВ), повышение│
│ │ │ │ │ │ │ │уровня │
│ │ │ │ │ │ │ │оснащенности │
│ │ │ │ │ │ │ │объектов ПВ и│
│ │ │ │ │ │ │ │доводка добычи│
│ │ │ │ │ │ │ │урана методом│
│ │ │ │ │ │ │ │ПВ до 1500 тонн│
│ │ │ │ │ │ │ │в 2010 году; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │переработки │
│ │ │ │ │ │ │ │отвального │
│ │ │ │ │ │ │ │гексафторида │
│ │ │ │ │ │ │ │для исключения│
│ │ │ │ │ │ │ │хранения │
│ │ │ │ │ │ │ │больших │
│ │ │ │ │ │ │ │количеств │
│ │ │ │ │ │ │ │обедненного по│
│ │ │ │ │ │ │ │изотопу │
│ │ │ │ │ │ │ │урана-235 │
│ │ │ │ │ │ │ │отвального │
│ │ │ │ │ │ │ │гексафторида │
│ │ │ │ │ │ │ │урана (меньше│
│ │ │ │ │ │ │ │0,1% урана-235)│
│ │ │ │ │ │ │ │за счет│
│ │ │ │ │ │ │ │перевода его в│
│ │ │ │ │ │ │ │безопасную для│
│ │ │ │ │ │ │ │хранения форму;│
│ │ │ │ │ │ │ │возвращение в│
│ │ │ │ │ │ │ │ядерный │
│ │ │ │ │ │ │ │топливный цикл│
│ │ │ │ │ │ │ │дефицитного │
│ │ │ │ │ │ │ │фтора; создание│
│ │ │ │ │ │ │ │на промышленных│
│ │ │ │ │ │ │ │предприятиях │
│ │ │ │ │ │ │ │опытных │
│ │ │ │ │ │ │ │установок для│
│ │ │ │ │ │ │ │конверсии │
│ │ │ │ │ │ │ │отвального │
│ │ │ │ │ │ │ │гексафторида │
│ │ │ │ │ │ │ │урана, │
│ │ │ │ │ │ │ │разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии, │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования и│
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │пилотных │
│ │ │ │ │ │ │ │установок; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │комплексной │
│ │ │ │ │ │ │ │переработки руд│
│ │ │ │ │ │ │ │для увеличения│
│ │ │ │ │ │ │ │минерально-сы- │
│ │ │ │ │ │ │ │рьевой базы│
│ │ │ │ │ │ │ │редких металлов│
│ │ │ │ │ │ │ │(циркония, │
│ │ │ │ │ │ │ │тантала, │
│ │ │ │ │ │ │ │ниобия, фтора,│
│ │ │ │ │ │ │ │бериллия, │
│ │ │ │ │ │ │ │вольфрама, │
│ │ │ │ │ │ │ │молибдена, │
│ │ │ │ │ │ │ │лития, рения и│
│ │ │ │ │ │ │ │др.), │
│ │ │ │ │ │ │ │используемых в│
│ │ │ │ │ │ │ │ЯТЦ; разработка│
│ │ │ │ │ │ │ │и испытание│
│ │ │ │ │ │ │ │технологии и│
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования │
│ │ │ │ │ │ │ │получения │
│ │ │ │ │ │ │ │обогащенных │
│ │ │ │ │ │ │ │редкометальных │
│ │ │ │ │ │ │ │концентратов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│152. │Разработка │ 25,8 │ 17,2 │ 26 │ 23,4 │ 22 │обеспечение │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │экологической │
│ │переработки │ 12,9 │ 8,6 │ 13 │ 11,7 │ 11 │безопасности на│
│ │отработавшего │ │ │ │ │ │всех стадиях│
│ │ядерного топлива,│ │ │ │ │ │обращения с│
│ │других радиоактивных│ │ │ │ │ │отходами и│
│ │материалов и│ │ │ │ │ │отработавшим │
│ │обращения с│ │ │ │ │ │ядерным │
│ │радиоактивными │ │ │ │ │ │топливом на│
│ │отходами │ │ │ │ │ │предприятиях и│
│ │ │ │ │ │ │ │в организациях│
│ │ │ │ │ │ │ │Российской │
│ │ │ │ │ │ │ │Федерации; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │экономичности │
│ │ │ │ │ │ │ │ядерной │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетики за│
│ │ │ │ │ │ │ │счет │
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │замкнутого │
│ │ │ │ │ │ │ │ядерного цикла │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│153. │Разработка │ 24,8 │ 16,6 │ 14,6 │ 14 │ 13,6 │создание │
│ │уникальных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │лазерной │
│ │комплексных ядерных│ 12,4 │ 8,3 │ 7,3 │ 7 │ 6,8 │технологии │
│ │технологий с│ │ │ │ │ │очистки и│
│ │использованием │ │ │ │ │ │дезактивации │
│ │пучков электронов,│ │ │ │ │ │металлоконстру-│
│ │ионов, лазерной│ │ │ │ │ │кций, узлов и│
│ │плазмы и излучений│ │ │ │ │ │элементов │
│ │радиоактивных │ │ │ │ │ │реакторов АЭС│
│ │изотопов для решения│ │ │ │ │ │для уменьшения│
│ │различных задач в│ │ │ │ │ │объема │
│ │сфере экономики │ │ │ │ │ │загрязняющих │
│ │ │ │ │ │ │ │веществ, │
│ │ │ │ │ │ │ │стоимости работ│
│ │ │ │ │ │ │ │по утилизации и│
│ │ │ │ │ │ │ │захоронению │
│ │ │ │ │ │ │ │отходов; │
│ │ │ │ │ │ │ │реализация │
│ │ │ │ │ │ │ │возможности │
│ │ │ │ │ │ │ │дистанционной │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │наиболее │
│ │ │ │ │ │ │ │опасных узлов,│
│ │ │ │ │ │ │ │элементов и│
│ │ │ │ │ │ │ │металлоконстру-│
│ │ │ │ │ │ │ │кций, повышение│
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности │
│ │ │ │ │ │ │ │работ │
│ │ │ │ │ │ │ │(экономический │
│ │ │ │ │ │ │ │эффект от│
│ │ │ │ │ │ │ │применения │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │составит около│
│ │ │ │ │ │ │ │3 млн. рублей в│
│ │ │ │ │ │ │ │год); │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │эксперименталь-│
│ │ │ │ │ │ │ │ного комплекса│
│ │ │ │ │ │ │ │лазерной │
│ │ │ │ │ │ │ │дезактивации, │
│ │ │ │ │ │ │ │новой │
│ │ │ │ │ │ │ │экологически │
│ │ │ │ │ │ │ │чистой и│
│ │ │ │ │ │ │ │энергоэкономич-│
│ │ │ │ │ │ │ │ной технологии│
│ │ │ │ │ │ │ │поверхностной │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │стальных │
│ │ │ │ │ │ │ │серийных │
│ │ │ │ │ │ │ │изделий │
│ │ │ │ │ │ │ │потоками │
│ │ │ │ │ │ │ │высокотемпера- │
│ │ │ │ │ │ │ │турной │
│ │ │ │ │ │ │ │импульсной │
│ │ │ │ │ │ │ │плазмы для│
│ │ │ │ │ │ │ │повышения их│
│ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацион- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных свойств│
│ │ │ │ │ │ │ │(увеличение │
│ │ │ │ │ │ │ │микротвердости │
│ │ │ │ │ │ │ │в 3 раза,│
│ │ │ │ │ │ │ │износостойкости│
│ │ │ │ │ │ │ │в 2-4 раза и│
│ │ │ │ │ │ │ │др.) и ресурса│
│ │ │ │ │ │ │ │изделий; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерной │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │разделения │
│ │ │ │ │ │ │ │изотопов │
│ │ │ │ │ │ │ │средних масс│
│ │ │ │ │ │ │ │(углерод, │
│ │ │ │ │ │ │ │кислород, │
│ │ │ │ │ │ │ │кремний и др.),│
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющей │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличить │
│ │ │ │ │ │ │ │объемы │
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │изотопов для│
│ │ │ │ │ │ │ │применения в│
│ │ │ │ │ │ │ │медицине, │
│ │ │ │ │ │ │ │биологии, химии│
│ │ │ │ │ │ │ │чистых │
│ │ │ │ │ │ │ │материалов и│
│ │ │ │ │ │ │ │других отраслях│
│ │ │ │ │ │ │ │техники; │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшение │
│ │ │ │ │ │ │ │стоимости этих│
│ │ │ │ │ │ │ │изотопов и их│
│ │ │ │ │ │ │ │продажа на│
│ │ │ │ │ │ │ │мировом рынке│
│ │ │ │ │ │ │ │(экономический │
│ │ │ │ │ │ │ │эффект от│
│ │ │ │ │ │ │ │продажи на│
│ │ │ │ │ │ │ │внутреннем и│
│ │ │ │ │ │ │ │внешнем рынках│
│ │ │ │ │ │ │ │изотопа 13С│
│ │ │ │ │ │ │ │составит 0,7│
│ │ │ │ │ │ │ │млн. рублей в│
│ │ │ │ │ │ │ │год); создание│
│ │ │ │ │ │ │ │участка для│
│ │ │ │ │ │ │ │получения │
│ │ │ │ │ │ │ │изотопа 13С│
│ │ │ │ │ │ │ │производитель- │
│ │ │ │ │ │ │ │ностью до 4 кг│
│ │ │ │ │ │ │ │в год; создание│
│ │ │ │ │ │ │ │методов и│
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
│ │ │ │ │ │ │ │радионуклидной │
│ │ │ │ │ │ │ │томографии для│
│ │ │ │ │ │ │ │контроля │
│ │ │ │ │ │ │ │высоконагружен-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных объектов│
│ │ │ │ │ │ │ │техники │
│ │ │ │ │ │ │ │(брикетирован- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных отходов│
│ │ │ │ │ │ │ │атомной │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетики │
│ │ │ │ │ │ │ │перед их│
│ │ │ │ │ │ │ │захоронением, │
│ │ │ │ │ │ │ │деталей и узлов│
│ │ │ │ │ │ │ │летательных │
│ │ │ │ │ │ │ │аппаратов, │
│ │ │ │ │ │ │ │элементов газо-│
│ │ │ │ │ │ │ │и │
│ │ │ │ │ │ │ │нефтепроводов);│
│ │ │ │ │ │ │ │внедрение │
│ │ │ │ │ │ │ │принципиально │
│ │ │ │ │ │ │ │новой │
│ │ │ │ │ │ │ │безотходной, │
│ │ │ │ │ │ │ │безреагентной │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии при│
│ │ │ │ │ │ │ │очистке сточных│
│ │ │ │ │ │ │ │вод; создание│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленной │
│ │ │ │ │ │ │ │установки для│
│ │ │ │ │ │ │ │электронной │
│ │ │ │ │ │ │ │дезинфекции │
│ │ │ │ │ │ │ │питьевой воды и│
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │сточных вод│
│ │ │ │ │ │ │ │(стоимость │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки не│
│ │ │ │ │ │ │ │превысит 0,25│
│ │ │ │ │ │ │ │руб./м3, │
│ │ │ │ │ │ │ │экономический │
│ │ │ │ │ │ │ │эффект составит│
│ │ │ │ │ │ │ │около 30 млн.│
│ │ │ │ │ │ │ │рублей в год);│
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │потребностей │
│ │ │ │ │ │ │ │отраслей │
│ │ │ │ │ │ │ │экономики │
│ │ │ │ │ │ │ │(экологии, │
│ │ │ │ │ │ │ │медицины, │
│ │ │ │ │ │ │ │пищевой │
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности,│
│ │ │ │ │ │ │ │микроэлектрони-│
│ │ │ │ │ │ │ │ки и др.) в│
│ │ │ │ │ │ │ │современных │
│ │ │ │ │ │ │ │фильтрационных │
│ │ │ │ │ │ │ │материалах и│
│ │ │ │ │ │ │ │отказ от их│
│ │ │ │ │ │ │ │импорта; │
│ │ │ │ │ │ │ │сохранение │
│ │ │ │ │ │ │ │уникального │
│ │ │ │ │ │ │ │ускорительного │
│ │ │ │ │ │ │ │комплекса │
│ │ │ │ │ │ │ │(экономический │
│ │ │ │ │ │ │ │эффект при│
│ │ │ │ │ │ │ │производстве ТМ│
│ │ │ │ │ │ │ │в объеме 100│
│ │ │ │ │ │ │ │тыс. м2 в год│
│ │ │ │ │ │ │ │составит около│
│ │ │ │ │ │ │ │6 млн. рублей) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│154. │Совершенствование │ 5,4 │ 4 │ 1,6 │ 3 │ 3 │модернизация │
│ │конструкций и│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │технологической│
│ │технологии │ 2,7 │ 2 │ 0,8 │ 1,5 │ 1,5 │базы │
│ │изготовления систем│ │ │ │ │ │производства │
│ │регулирования │ │ │ │ │ │систем │
│ │ядерных реакторов │ │ │ │ │ │регулирования │
│ │ │ │ │ │ │ │реакторов на│
│ │ │ │ │ │ │ │быстрых │
│ │ │ │ │ │ │ │нейтронах, что│
│ │ │ │ │ │ │ │позволит │
│ │ │ │ │ │ │ │создать │
│ │ │ │ │ │ │ │замкнутый цикл│
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │обогащенного │
│ │ │ │ │ │ │ │карбида бора и│
│ │ │ │ │ │ │ │прекратить его│
│ │ │ │ │ │ │ │импорт, снизить│
│ │ │ │ │ │ │ │себестоимость │
│ │ │ │ │ │ │ │изготовления │
│ │ │ │ │ │ │ │стержней в 2│
│ │ │ │ │ │ │ │раза, создать│
│ │ │ │ │ │ │ │схему │
│ │ │ │ │ │ │ │утилизации │
│ │ │ │ │ │ │ │стержней │
│ │ │ │ │ │ │ │регулирования, │
│ │ │ │ │ │ │ │отработавших в│
│ │ │ │ │ │ │ │реакторах │
│ │ │ │ │ │ │ │БН-600, БН-350│
│ │ │ │ │ │ │ │и БОР-60 │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ IX. Технологии промышленного оборудования │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│155. │Разработка │ 4 │ 7,4 │ 7,6 │ 8 │ 8,2 │будут созданы│
│ │программно-техничес-│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │системы │
│ │ких средств│ 2 │ 3,7 │ 3,8 │ 4 │ 4,1 │автоматизирова-│
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │нного │
│ │проектирования и│ │ │ │ │ │проектирования │
│ │управления │ │ │ │ │ │и оптимизации│
│ │технологическими │ │ │ │ │ │процессов, │
│ │процессами │ │ │ │ │ │включающие в│
│ │формообразования │ │ │ │ │ │себя │
│ │конструкций из│ │ │ │ │ │геометрическое │
│ │полимерных │ │ │ │ │ │моделирование, │
│ │композиционных │ │ │ │ │ │проектирование │
│ │материалов │ │ │ │ │ │технологическо-│
│ │ │ │ │ │ │ │го процесса с│
│ │ │ │ │ │ │ │учетом │
│ │ │ │ │ │ │ │кинематической │
│ │ │ │ │ │ │ │схемы │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования, │
│ │ │ │ │ │ │ │динамического │
│ │ │ │ │ │ │ │моделирования: │
│ │ │ │ │ │ │ │постпроцессоры,│
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающие │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудование с│
│ │ │ │ │ │ │ │ЧПУ- │
│ │ │ │ │ │ │ │управляющими │
│ │ │ │ │ │ │ │процессами, а│
│ │ │ │ │ │ │ │также система│
│ │ │ │ │ │ │ │автоматического│
│ │ │ │ │ │ │ │управления для│
│ │ │ │ │ │ │ │реализации │
│ │ │ │ │ │ │ │спроектирован- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных технологий│
│ │ │ │ │ │ │ │на │
│ │ │ │ │ │ │ │многокоординат-│
│ │ │ │ │ │ │ │ном │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудовании с│
│ │ │ │ │ │ │ │ЧПУ, включающая│
│ │ │ │ │ │ │ │сбор и│
│ │ │ │ │ │ │ │обработку │
│ │ │ │ │ │ │ │информации, │
│ │ │ │ │ │ │ │контроль │
│ │ │ │ │ │ │ │качества и│
│ │ │ │ │ │ │ │изготовления. │
│ │ │ │ │ │ │ │Использование │
│ │ │ │ │ │ │ │этих систем в│
│ │ │ │ │ │ │ │серийном │
│ │ │ │ │ │ │ │производстве │
│ │ │ │ │ │ │ │наукоемкой │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечит │
│ │ │ │ │ │ │ │сертификацию │
│ │ │ │ │ │ │ │производства в│
│ │ │ │ │ │ │ │соответствии с│
│ │ │ │ │ │ │ │международными │
│ │ │ │ │ │ │ │стандартами, │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │высокоточного │
│ │ │ │ │ │ │ │импортозамещаю-│
│ │ │ │ │ │ │ │щего │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования с│
│ │ │ │ │ │ │ │ЧПУ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│156. │Разработка новых│ 6 │ 11,2 │ 11,2 │ │ │техническое │
│ │экологически чистых,│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │перевооружение │
│ │ресурсосберегающих │ 3 │ 5,6 │ 5,6 │ │ │сталеплавильно-│
│ │технологий и│ │ │ │ │ │го производства│
│ │оборудования │ │ │ │ │ │(уменьшение │
│ │металлургического, │ │ │ │ │ │потерь металла│
│ │прокатного и│ │ │ │ │ │на 5-6│
│ │литейного │ │ │ │ │ │процентов, │
│ │производств, в том│ │ │ │ │ │уменьшение │
│ │числе для получения│ │ │ │ │ │пылевыделения в│
│ │высокоточных сложных│ │ │ │ │ │7-10 раз),│
│ │заготовок из│ │ │ │ │ │получение новых│
│ │цветных, титановых и│ │ │ │ │ │марок │
│ │жаропрочных сплавов │ │ │ │ │ │биметаллов, │
│ │ │ │ │ │ │ │листов из│
│ │ │ │ │ │ │ │интербиметалли-│
│ │ │ │ │ │ │ │дов (увеличение│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурса работы│
│ │ │ │ │ │ │ │деталей в 2-4│
│ │ │ │ │ │ │ │раза, │
│ │ │ │ │ │ │ │сокращение │
│ │ │ │ │ │ │ │расхода │
│ │ │ │ │ │ │ │алюминиевых │
│ │ │ │ │ │ │ │сплавов, │
│ │ │ │ │ │ │ │нержавеющих │
│ │ │ │ │ │ │ │сталей), │
│ │ │ │ │ │ │ │улучшение │
│ │ │ │ │ │ │ │качественных │
│ │ │ │ │ │ │ │показателей │
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │литых изделий│
│ │ │ │ │ │ │ │(сокращение │
│ │ │ │ │ │ │ │потерь │
│ │ │ │ │ │ │ │дорогостоящих │
│ │ │ │ │ │ │ │сплавов на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе Ti и Ni)│
│ │ │ │ │ │ │ │и др. │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│157. │Создание новых│ 3,8 │ 13,2 │ 7,4 │ 8 │ 7,8 │техническое │
│ │ресурсосберегающих │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │перевооружение │
│ │технологий и│ 1,9 │ 6,6 │ 3,7 │ 4 │ 3,9 │кузнечно-прес- │
│ │высокопроизводитель-│ │ │ │ │ │сового │
│ │ного оборудования│ │ │ │ │ │производства; │
│ │(объемная, холодная│ │ │ │ │ │повышение КИМ│
│ │листовая штамповка,│ │ │ │ │ │до 0,5-0,8;│
│ │прокатка, локальное│ │ │ │ │ │снижение │
│ │формообразование, │ │ │ │ │ │трудоемкости │
│ │порошковая │ │ │ │ │ │механической │
│ │металлургия) с целью│ │ │ │ │ │обработки на│
│ │получения │ │ │ │ │ │30-40 │
│ │высокоточных │ │ │ │ │ │процентов; │
│ │заготовок из│ │ │ │ │ │экономия │
│ │различных, в том│ │ │ │ │ │дорогостоящих │
│ │числе │ │ │ │ │ │материалов │
│ │труднообрабатывае- │ │ │ │ │ │(титан и др.) │
│ │мых, материалов │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│158. │Создание технологий│ 4 │ 7,4 │ 7,6 │ │ │будет создано│
│ │и ряда оборудования│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │оборудование │
│ │сверхточной │ 2 │ 3,7 │ 3,8 │ │ │сверхточной │
│ │обработки, контроля│ │ │ │ │ │обработки, │
│ │качества и│ │ │ │ │ │поставка │
│ │микрорельефа │ │ │ │ │ │аналогов │
│ │поверхностей изделий│ │ │ │ │ │которого из│
│ │нанотехнологии │ │ │ │ │ │США, Японии и│
│ │ │ │ │ │ │ │Великобритании │
│ │ │ │ │ │ │ │запрещена │
│ │ │ │ │ │ │ │(стратегическое│
│ │ │ │ │ │ │ │оборудование), │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечено │
│ │ │ │ │ │ │ │отклонение │
│ │ │ │ │ │ │ │формы │
│ │ │ │ │ │ │ │обработанной │
│ │ │ │ │ │ │ │поверхности от│
│ │ │ │ │ │ │ │заданной не│
│ │ │ │ │ │ │ │более 0,1 мкм,│
│ │ │ │ │ │ │ │шероховатость │
│ │ │ │ │ │ │ │Rz не более│
│ │ │ │ │ │ │ │0,01 мкм │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│159. │Создание нового│ 1,2 │ 2,2 │ 2,2 │ │ │импортозамеще- │
│ │поколения технологий│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │ние; повышение│
│ │и комплекса│ 0,6 │ 1,1 │ 1,1 │ │ │точности и│
│ │оборудования с ЧПУ и│ │ │ │ │ │чистоты │
│ │интегрированной │ │ │ │ │ │обработки в │
│ │системы │ │ │ │ │ │2-3 раза;│
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │создание │
│ │проектирования для│ │ │ │ │ │экспортно-при- │
│ │электроэрозионной │ │ │ │ │ │годной │
│ │обработки, │ │ │ │ │ │продукции │
│ │обеспечивающих │ │ │ │ │ │ │
│ │существенное │ │ │ │ │ │ │
│ │расширение области│ │ │ │ │ │ │
│ │применения, │ │ │ │ │ │ │
│ │повышение точности и│ │ │ │ │ │ │
│ │чистоты обработки в│ │ │ │ │ │ │
│ │2-3 раза и│ │ │ │ │ │ │
│ │экологической │ │ │ │ │ │ │
│ │безопасности │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│160. │Создание │ 3,8 │ 7,2 │ 7,4 │ │ │импортозамеще- │
│ │высокоточного │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │ние; повышение│
│ │импортозамещающего │ 1,9 │ 3,6 │ 3,7 │ │ │производитель- │
│ │оборудования, в том│ │ │ │ │ │ности обработки│
│ │числе с ЧПУ на базе│ │ │ │ │ │в 2-3 раза;│
│ │высокочастотных │ │ │ │ │ │сокращение │
│ │промышленных ПЭВМ с│ │ │ │ │ │времени │
│ │интегрированными │ │ │ │ │ │подготовки │
│ │системами │ │ │ │ │ │производства в│
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │5-7 раз │
│ │проектирования, для│ │ │ │ │ │ │
│ │высокопроизводитель-│ │ │ │ │ │ │
│ │ной │ │ │ │ │ │ │
│ │многокоординатной │ │ │ │ │ │ │
│ │обработки сложных│ │ │ │ │ │ │
│ │корпусных деталей │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│161. │Создание нового│ 1,2 │ 2,2 │ 2,2 │ │ │импортозамеще- │
│ │поколения │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │ние; повышение│
│ │сверхтвердых │ 0,6 │ 1,1 │ 1,1 │ │ │стойкости │
│ │инструментальных │ │ │ │ │ │инструмента в│
│ │материалов с│ │ │ │ │ │2-3 раза;│
│ │повышенными │ │ │ │ │ │снижение │
│ │физико-механическими│ │ │ │ │ │себестоимости │
│ │характеристиками и│ │ │ │ │ │обработки в│
│ │инструмента на их│ │ │ │ │ │1,2-1,3 раза;│
│ │основе для│ │ │ │ │ │экономия │
│ │высокопроизводитель-│ │ │ │ │ │остродефицитно-│
│ │ной обработки│ │ │ │ │ │го материала│
│ │труднообрабатываемых│ │ │ │ │ │(вольфрама) -│
│ │материалов │ │ │ │ │ │30-40 кг на│
│ │ │ │ │ │ │ │1000 единиц│
│ │ │ │ │ │ │ │инструмента │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│162. │Разработка новых│ 1,2 │ 2,2 │ 2,2 │ 2,2 │ 2,6 │увеличение │
│ │базовых │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │ресурса работы│
│ │комбинированных │ 0,6 │ 1,1 │ 1,1 │ 1,1 │ 1,3 │деталей в 3-4│
│ │технологий │ │ │ │ │ │раза; снижение│
│ │термоупрочняющей │ │ │ │ │ │трудоемкости в │
│ │обработки, │ │ │ │ │ │3-10 раз;│
│ │обеспечивающих │ │ │ │ │ │экономия │
│ │повышение │ │ │ │ │ │электроэнергии;│
│ │эксплуатационных │ │ │ │ │ │экономия │
│ │характеристик │ │ │ │ │ │дефицитных │
│ │обрабатываемых │ │ │ │ │ │дорогостоящих │
│ │деталей │ │ │ │ │ │сталей и│
│ │ │ │ │ │ │ │сплавов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│163. │Создание современных│ 3,8 │ 7,2 │ 7,4 │ 8 │ 15,8 │импортозамеще- │
│ │технологий и│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │ние (сокращение│
│ │импортозамещающего │ 1,9 │ 3,6 │ 3,7 │ 4 │ 7,9 │импортных │
│ │оборудования для│ │ │ │ │ │закупок на 80│
│ │процессов сварки, в│ │ │ │ │ │процентов); │
│ │том числе при│ │ │ │ │ │снижение │
│ │изготовлении │ │ │ │ │ │энергопотребле-│
│ │цельносварных │ │ │ │ │ │ния при сварке│
│ │крупногабаритных │ │ │ │ │ │на 30-40│
│ │конструкций │ │ │ │ │ │процентов; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │качества сварки│
│ │ │ │ │ │ │ │(снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │трудоемкости на│
│ │ │ │ │ │ │ │исправление │
│ │ │ │ │ │ │ │дефектов сварки│
│ │ │ │ │ │ │ │на 60│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов); │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │цельносварных │
│ │ │ │ │ │ │ │конструкций │
│ │ │ │ │ │ │ │пассажирских │
│ │ │ │ │ │ │ │самолетов, │
│ │ │ │ │ │ │ │железнодорожных│
│ │ │ │ │ │ │ │вагонов, │
│ │ │ │ │ │ │ │автомобилей │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│164. │Создание нового│ 0,8 │ 1,2 │ 1,4 │ 1,6 │ 1,8 │импортозамеще- │
│ │поколения средств│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │ние (экономия│
│ │контроля и│ 0,4 │ 0,6 │ 0,7 │ 0,8 │ 0,9 │валюты - 1,5-2│
│ │измерения, в том│ │ │ │ │ │млн. долларов│
│ │числе на основе│ │ │ │ │ │США в год);│
│ │универсальных и│ │ │ │ │ │повышение │
│ │специализированных │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │координатно-измери- │ │ │ │ │ │собности │
│ │тельных машин и│ │ │ │ │ │продукции на│
│ │лазерных устройств │ │ │ │ │ │внешнем рынке │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│165. │Разработка новых│ 3,4 │ 6,4 │ 6,6 │ │ │повышение │
│ │высокоэффективных │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │износостойкости│
│ │экологически чистых│ 1,7 │ 3,2 │ 3,3 │ │ │и несущей│
│ │технологий и│ │ │ │ │ │способности │
│ │оборудования │ │ │ │ │ │покрытий в │
│ │нанесения │ │ │ │ │ │2-3 раза;│
│ │многофункциональных │ │ │ │ │ │повышение │
│ │износостойких │ │ │ │ │ │коррозионной │
│ │покрытий │ │ │ │ │ │стойкости в 2-4│
│ │ │ │ │ │ │ │раза; повышение│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурса изделий│
│ │ │ │ │ │ │ │в 2-2,5 раза │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│166. │Создание │ 1,6 │ 3 │ 3 │ 32,4 │ 33,6 │увеличение │
│ │нетрадиционных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │ресурса работ│
│ │технологий и│ 0,8 │ 1,5 │ 1,5 │ 16,2 │ 16,8 │деталей в 2│
│ │оборудования │ │ │ │ │ │раза за счет│
│ │обработки материалов│ │ │ │ │ │повышения │
│ │на основе│ │ │ │ │ │эксплуатацион- │
│ │высокоэнергетическо-│ │ │ │ │ │ных │
│ │го воздействия│ │ │ │ │ │характеристик │
│ │(лазерная, │ │ │ │ │ │обрабатываемых │
│ │ионно-плазменная, │ │ │ │ │ │материалов │
│ │электронно-ионная и│ │ │ │ │ │(плотность, │
│ │др. технологии) │ │ │ │ │ │ударная │
│ │ │ │ │ │ │ │вязкость, │
│ │ │ │ │ │ │ │теплопровод- │
│ │ │ │ │ │ │ │ность и др.) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│167. │Разработка и│ - │ 10 │ 10 │ 10 │ 10 │импортозамеще- │
│ │создание комплексной│ │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │ние; │
│ │системы управления│ │ 5 │ 5 │ 5 │ 5 │создание │
│ │станками с ЧПУ,│ │ │ │ │ │системы на│
│ │включающей │ │ │ │ │ │единой │
│ │аппаратное и│ │ │ │ │ │программной │
│ │программное │ │ │ │ │ │платформе; ЧПУ│
│ │обеспечение ЧПУ,│ │ │ │ │ │открытой │
│ │цифровые приводы с│ │ │ │ │ │архитектуры с│
│ │двигателями │ │ │ │ │ │отечественным │
│ │переменного тока,│ │ │ │ │ │механическим │
│ │высокоскоростные │ │ │ │ │ │ядром реального│
│ │мехатронные модули│ │ │ │ │ │времени, │
│ │вращательного и│ │ │ │ │ │обеспечивающим │
│ │линейных движений│ │ │ │ │ │максимальный │
│ │для прецизионной│ │ │ │ │ │доступ │
│ │высокопроизводитель-│ │ │ │ │ │пользователя │
│ │ной обработки│ │ │ │ │ │для │
│ │деталей │ │ │ │ │ │автоматизирова-│
│ │машиностроения │ │ │ │ │ │нного │
│ │ │ │ │ │ │ │программирова- │
│ │ │ │ │ │ │ │ния специальных│
│ │ │ │ │ │ │ │функций и│
│ │ │ │ │ │ │ │диагностики; │
│ │ │ │ │ │ │ │построение │
│ │ │ │ │ │ │ │программно-ап- │
│ │ │ │ │ │ │ │паратных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств ЧПУ на│
│ │ │ │ │ │ │ │двухуровневом │
│ │ │ │ │ │ │ │принципе: число│
│ │ │ │ │ │ │ │управляемых │
│ │ │ │ │ │ │ │координат - не│
│ │ │ │ │ │ │ │менее 12;│
│ │ │ │ │ │ │ │тактовая │
│ │ │ │ │ │ │ │частота - не│
│ │ │ │ │ │ │ │более 1 мс.;│
│ │ │ │ │ │ │ │дискретность │
│ │ │ │ │ │ │ │заданий │
│ │ │ │ │ │ │ │перемещений -│
│ │ │ │ │ │ │ │не более 0,1│
│ │ │ │ │ │ │ │мкм; полная│
│ │ │ │ │ │ │ │компенсация │
│ │ │ │ │ │ │ │геометрических │
│ │ │ │ │ │ │ │погрешностей │
│ │ │ │ │ │ │ │станка; │
│ │ │ │ │ │ │ │интеграция в│
│ │ │ │ │ │ │ │компьютерные │
│ │ │ │ │ │ │ │сети │
│ │ │ │ │ │ │ │управления; │
│ │ │ │ │ │ │ │частота │
│ │ │ │ │ │ │ │вращения │
│ │ │ │ │ │ │ │мотор-шпинделя │
│ │ │ │ │ │ │ │- до 24000│
│ │ │ │ │ │ │ │мин(-1), │
│ │ │ │ │ │ │ │мощность - 40 │
│ │ │ │ │ │ │ │кВт, │
│ │ │ │ │ │ │ │максимальная │
│ │ │ │ │ │ │ │скорость │
│ │ │ │ │ │ │ │линейных │
│ │ │ │ │ │ │ │перемещений -│
│ │ │ │ │ │ │ │до 60 м/мин; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │точности │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки на│
│ │ │ │ │ │ │ │30-40 процентов│
│ │ │ │ │ │ │ │и │
│ │ │ │ │ │ │ │производитель- │
│ │ │ │ │ │ │ │ности в 2,5-3│
│ │ │ │ │ │ │ │раза │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ X. Технологии перспективных двигательных установок │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│168. │Разработка │ 23,6 │ 23,6 │ 19 │ │ │обеспечение │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │создания │
│ │высокотемпературных │ 11,8 │ 11,8 │ 9,5 │ │ │перспективных │
│ │легких │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │турбокомпрессоров │ │ │ │ │ │собных │
│ │газотурбинных │ │ │ │ │ │газотурбинных │
│ │двигателей нового│ │ │ │ │ │двигателей с│
│ │поколения │ │ │ │ │ │предельными │
│ │ │ │ │ │ │ │параметрами, │
│ │ │ │ │ │ │ │повышением в│
│ │ │ │ │ │ │ │2-5 раз ресурса│
│ │ │ │ │ │ │ │и в 2-3 раза│
│ │ │ │ │ │ │ │безотказности, │
│ │ │ │ │ │ │ │улучшением │
│ │ │ │ │ │ │ │топливной │
│ │ │ │ │ │ │ │экономичности │
│ │ │ │ │ │ │ │на 5-20│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов, │
│ │ │ │ │ │ │ │снижением │
│ │ │ │ │ │ │ │удельной массы│
│ │ │ │ │ │ │ │на 1-20│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов, │
│ │ │ │ │ │ │ │экологически │
│ │ │ │ │ │ │ │чистых │
│ │ │ │ │ │ │ │газотурбинных │
│ │ │ │ │ │ │ │двигателей для│
│ │ │ │ │ │ │ │топливно-энер- │
│ │ │ │ │ │ │ │гетического │
│ │ │ │ │ │ │ │комплекса и│
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │силовых │
│ │ │ │ │ │ │ │установок с КПД│
│ │ │ │ │ │ │ │более 50│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов и│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурсом до 100│
│ │ │ │ │ │ │ │тыс.ч.; │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшение │
│ │ │ │ │ │ │ │стоимости │
│ │ │ │ │ │ │ │создания │
│ │ │ │ │ │ │ │газотурбинных │
│ │ │ │ │ │ │ │двигателей на│
│ │ │ │ │ │ │ │25-40 процентов│
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│169. │Разработка │ 6,4 │ 6,4 │ 7,4 │ 7,8 │ 8 │внедрение │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │результатов │
│ │перспективных │ 3,2 │ 3,2 │ 3,7 │ 3,9 │ 4 │работы │
│ │газотурбинных │ │ │ │ │ │обеспечит │
│ │двигателей │ │ │ │ │ │соответствие │
│ │различного │ │ │ │ │ │российских │
│ │назначения, │ │ │ │ │ │газотурбинных │
│ │соответствующих │ │ │ │ │ │двигателей │
│ │международным и│ │ │ │ │ │постоянно │
│ │национальным │ │ │ │ │ │ужесточающимся │
│ │экологическим │ │ │ │ │ │международным │
│ │требованиям, в том│ │ │ │ │ │нормам по шуму│
│ │числе работающих в│ │ │ │ │ │и эмиссии;│
│ │экстремальных │ │ │ │ │ │результаты │
│ │условиях │ │ │ │ │ │работы позволят│
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшить │
│ │ │ │ │ │ │ │уровень шума на│
│ │ │ │ │ │ │ │10-20 │
│ │ │ │ │ │ │ │децибелов, │
│ │ │ │ │ │ │ │достигнуть │
│ │ │ │ │ │ │ │малых уровней│
│ │ │ │ │ │ │ │эмиссии: │
│ │ │ │ │ │ │ │несгоревших │
│ │ │ │ │ │ │ │углеводородов -│
│ │ │ │ │ │ │ │менее 50 г/кН,│
│ │ │ │ │ │ │ │оксидов азота -│
│ │ │ │ │ │ │ │менее 35-50│
│ │ │ │ │ │ │ │г/кН, дыма -│
│ │ │ │ │ │ │ │менее 15 единиц│
│ │ │ │ │ │ │ │(в 3 раза│
│ │ │ │ │ │ │ │меньше │
│ │ │ │ │ │ │ │существующего │
│ │ │ │ │ │ │ │уровня) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│170. │Разработка │ 16 │ 16 │ 18,6 │ 19,4 │ 20,2 │обеспечение │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │создания │
│ │высокоэффективных │ 8 │ 8 │ 9,3 │ 9,7 │ 10,1 │двигателей │
│ │двигателей и│ │ │ │ │ │малой мощности│
│ │энергоустановок │ │ │ │ │ │многофункциона-│
│ │малой мощности (до│ │ │ │ │ │льного │
│ │1000 кВт)│ │ │ │ │ │назначения с│
│ │многоцелевого │ │ │ │ │ │качественно │
│ │назначения (авиация│ │ │ │ │ │новыми │
│ │общего назначения,│ │ │ │ │ │характеристика-│
│ │водный и наземный│ │ │ │ │ │ми: по│
│ │транспорт, │ │ │ │ │ │топливной │
│ │промышленные │ │ │ │ │ │экономичности в│
│ │установки) │ │ │ │ │ │1,5-2 раза,│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурсу в 2-5│
│ │ │ │ │ │ │ │раз, │
│ │ │ │ │ │ │ │экологические │
│ │ │ │ │ │ │ │показатели по│
│ │ │ │ │ │ │ │NOx - не более│
│ │ │ │ │ │ │ │3 ppM; создание│
│ │ │ │ │ │ │ │экологически │
│ │ │ │ │ │ │ │чистых │
│ │ │ │ │ │ │ │дизельных │
│ │ │ │ │ │ │ │установок, │
│ │ │ │ │ │ │ │работающих на│
│ │ │ │ │ │ │ │газовых и│
│ │ │ │ │ │ │ │альтернативных │
│ │ │ │ │ │ │ │видах топлива │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│171. │Разработка ключевых│ 6,4 │ 6,4 │ 7,4 │ 7,8 │ 8 │повышение │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │эффективности │
│ │тепловых │ 3,2 │ 3,2 │ 3,7 │ 3,9 │ 4 │космического │
│ │аккумуляторов и│ │ │ │ │ │аппарата на│
│ │энергоблоков для│ │ │ │ │ │высокой рабочей│
│ │солнечных │ │ │ │ │ │орбите за счет│
│ │энергодвигательных │ │ │ │ │ │значительно │
│ │установок │ │ │ │ │ │большей массы│
│ │ │ │ │ │ │ │КА и его│
│ │ │ │ │ │ │ │бортовой │
│ │ │ │ │ │ │ │аппаратуры (в│
│ │ │ │ │ │ │ │1,5-2 раза при│
│ │ │ │ │ │ │ │выведении на│
│ │ │ │ │ │ │ │геостационарную│
│ │ │ │ │ │ │ │орбиту) или при│
│ │ │ │ │ │ │ │той же массе КА│
│ │ │ │ │ │ │ │использование │
│ │ │ │ │ │ │ │ракеты-носителя│
│ │ │ │ │ │ │ │более легкого│
│ │ │ │ │ │ │ │класса, │
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющей │
│ │ │ │ │ │ │ │осуществить │
│ │ │ │ │ │ │ │запуски с│
│ │ │ │ │ │ │ │космодрома │
│ │ │ │ │ │ │ │Плесецк; │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │стоимости │
│ │ │ │ │ │ │ │выведения КА на│
│ │ │ │ │ │ │ │высокоэнергети-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческие орбиты в│
│ │ │ │ │ │ │ │2-3 раза │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XI. Технологии энергетики и энергосбережения │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│172. │Создание │ 33,6 │ 21 │ 9,6 │ 53 │ 55,2 │создание систем│
│ │малогабаритных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │высокоскорост- │
│ │интеллектуальных │ 16,8 │ 10,5 │ 4,8 │ 26,5 │ 27,6 │ного │
│ │комплексов │ │ │ │ │ │электропривода │
│ │регулируемого │ │ │ │ │ │с высоким (90│
│ │электропривода │ │ │ │ │ │процентов) КПД│
│ │ │ │ │ │ │ │электрической │
│ │ │ │ │ │ │ │части и│
│ │ │ │ │ │ │ │микропроцессор-│
│ │ │ │ │ │ │ │ным управлением│
│ │ │ │ │ │ │ │для атомной│
│ │ │ │ │ │ │ │энергетики, │
│ │ │ │ │ │ │ │нефтедобычи и│
│ │ │ │ │ │ │ │других отраслей│
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│173. │Создание │ 9,4 │ 5,8 │ 10 │ 14,8 │ 15,4 │в │
│ │высоковольтных и│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │радиоэлектрони-│
│ │преобразовательных │ 4,7 │ 2,9 │ 5 │ 7,4 │ 7,7 │ке: создание│
│ │установок для мощных│ │ │ │ │ │мощных │
│ │радиоэлектронных │ │ │ │ │ │усилительных │
│ │устройств, │ │ │ │ │ │устройств СВЧ,│
│ │энергетики, │ │ │ │ │ │в том числе│
│ │транспорта │ │ │ │ │ │мобильного │
│ │ │ │ │ │ │ │базирования, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │ │ │ │ │ │ │создание систем│
│ │ │ │ │ │ │ │дальней │
│ │ │ │ │ │ │ │радиолокации, │
│ │ │ │ │ │ │ │телекоммуника- │
│ │ │ │ │ │ │ │ций; │
│ │ │ │ │ │ │ │в энергетике:│
│ │ │ │ │ │ │ │использование │
│ │ │ │ │ │ │ │высокочастотных│
│ │ │ │ │ │ │ │преобразовате- │
│ │ │ │ │ │ │ │лей для│
│ │ │ │ │ │ │ │радикальной │
│ │ │ │ │ │ │ │перестройки │
│ │ │ │ │ │ │ │принципов │
│ │ │ │ │ │ │ │передачи и│
│ │ │ │ │ │ │ │регулирования │
│ │ │ │ │ │ │ │систем передачи│
│ │ │ │ │ │ │ │энергии и│
│ │ │ │ │ │ │ │мощных │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетических │
│ │ │ │ │ │ │ │установок; │
│ │ │ │ │ │ │ │на │
│ │ │ │ │ │ │ │железнодорожном│
│ │ │ │ │ │ │ │транспорте: │
│ │ │ │ │ │ │ │создание систем│
│ │ │ │ │ │ │ │электроснабже- │
│ │ │ │ │ │ │ │ния подвижных│
│ │ │ │ │ │ │ │составов, │
│ │ │ │ │ │ │ │работающих │
│ │ │ │ │ │ │ │непосредственно│
│ │ │ │ │ │ │ │от контактной│
│ │ │ │ │ │ │ │сети │
│ │ │ │ │ │ │ │постоянного и│
│ │ │ │ │ │ │ │переменного │
│ │ │ │ │ │ │ │тока │
│ │ │ │ │ │ │ │напряжением 3│
│ │ │ │ │ │ │ │кВ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│174. │Создание мощных│ 6,8 │ 4,2 │ 10,2 │ 10,8 │ 11 │достижение │
│ │осветительных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │характеристик, │
│ │устройств на основе│ 3,4 │ 2,1 │ 5,1 │ 5,4 │ 5,5 │соответствующих│
│ │безэлектродных ламп│ │ │ │ │ │мировому уровню│
│ │с СВЧ-возбуждением│ │ │ │ │ │или превышающих│
│ │разряда │ │ │ │ │ │его: 30-50│
│ │ │ │ │ │ │ │процентная │
│ │ │ │ │ │ │ │экономия │
│ │ │ │ │ │ │ │потребляемой │
│ │ │ │ │ │ │ │электроэнергии │
│ │ │ │ │ │ │ │при │
│ │ │ │ │ │ │ │одновременном │
│ │ │ │ │ │ │ │четырехкратном │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличении │
│ │ │ │ │ │ │ │освещенности; │
│ │ │ │ │ │ │ │исключение │
│ │ │ │ │ │ │ │материальных │
│ │ │ │ │ │ │ │потерь от│
│ │ │ │ │ │ │ │пожаров и│
│ │ │ │ │ │ │ │взрывов по вине│
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │освещения; │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │создания │
│ │ │ │ │ │ │ │мобильных │
│ │ │ │ │ │ │ │бактерицидных │
│ │ │ │ │ │ │ │установок для│
│ │ │ │ │ │ │ │полевой │
│ │ │ │ │ │ │ │медицины и│
│ │ │ │ │ │ │ │высокий уровень│
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собности на│
│ │ │ │ │ │ │ │внутреннем и│
│ │ │ │ │ │ │ │зарубежном │
│ │ │ │ │ │ │ │рынках │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│175. │Создание мощных│ 2,6 │ 1,6 │ 4 │ 4 │ 4,4 │разрабатываемые│
│ │широкополосных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │усилители на│
│ │усилителей │ 1,3 │ 0,8 │ 2 │ 2 │ 2,2 │базе │
│ │СВЧ-колебаний на│ │ │ │ │ │пучково-плазме-│
│ │основе │ │ │ │ │ │нных приборов│
│ │пучково-плазменных │ │ │ │ │ │будут иметь│
│ │приборов для систем│ │ │ │ │ │мощность │
│ │телекоммуникаций │ │ │ │ │ │излучения в│
│ │ │ │ │ │ │ │непрерывном │
│ │ │ │ │ │ │ │режиме, │
│ │ │ │ │ │ │ │относительную │
│ │ │ │ │ │ │ │ширину полосы│
│ │ │ │ │ │ │ │рабочих частот│
│ │ │ │ │ │ │ │и полный КПД,│
│ │ │ │ │ │ │ │существенно │
│ │ │ │ │ │ │ │превышающие │
│ │ │ │ │ │ │ │параметры │
│ │ │ │ │ │ │ │усилителей на│
│ │ │ │ │ │ │ │традиционных │
│ │ │ │ │ │ │ │приборах СВЧ; │
│ │ │ │ │ │ │ │разрабатываемые│
│ │ │ │ │ │ │ │усилители │
│ │ │ │ │ │ │ │позволят │
│ │ │ │ │ │ │ │существенно │
│ │ │ │ │ │ │ │изменить │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристики │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
│ │ │ │ │ │ │ │телекоммуника- │
│ │ │ │ │ │ │ │ций: увеличить│
│ │ │ │ │ │ │ │количество │
│ │ │ │ │ │ │ │каналов связи,│
│ │ │ │ │ │ │ │радиовещания, │
│ │ │ │ │ │ │ │телевидения и│
│ │ │ │ │ │ │ │управления как│
│ │ │ │ │ │ │ │минимум в 10│
│ │ │ │ │ │ │ │раз по│
│ │ │ │ │ │ │ │сравнению с│
│ │ │ │ │ │ │ │современным │
│ │ │ │ │ │ │ │уровнем; в│
│ │ │ │ │ │ │ │космических │
│ │ │ │ │ │ │ │системах │
│ │ │ │ │ │ │ │телекоммуника- │
│ │ │ │ │ │ │ │ций сократить│
│ │ │ │ │ │ │ │количество │
│ │ │ │ │ │ │ │орбитальных │
│ │ │ │ │ │ │ │ретрансляторов │
│ │ │ │ │ │ │ │в 3-4 раза,│
│ │ │ │ │ │ │ │упростить их│
│ │ │ │ │ │ │ │конструкцию и│
│ │ │ │ │ │ │ │систему │
│ │ │ │ │ │ │ │управления; │
│ │ │ │ │ │ │ │увеличить │
│ │ │ │ │ │ │ │дальность │
│ │ │ │ │ │ │ │действия │
│ │ │ │ │ │ │ │радиолокацион- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных и│
│ │ │ │ │ │ │ │радионавигацио-│
│ │ │ │ │ │ │ │нных систем в│
│ │ │ │ │ │ │ │2-5 раз;│
│ │ │ │ │ │ │ │значительно │
│ │ │ │ │ │ │ │повысить │
│ │ │ │ │ │ │ │помехозащищен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ность систем│
│ │ │ │ │ │ │ │связи, │
│ │ │ │ │ │ │ │телеуправления,│
│ │ │ │ │ │ │ │радиолокации и│
│ │ │ │ │ │ │ │навигации │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│176. │Разработка основ│ 3,4 │ 6,2 │ 5,2 │ 5,2 │ 5,6 │разработка │
│ │термических и│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │пилотного │
│ │плазмохимических │ 1,7 │ 3,1 │ 2,6 │ 2,6 │ 2,8 │проекта │
│ │технологий для│ │ │ │ │ │плазмохимичес- │
│ │энергетики и│ │ │ │ │ │кого реактора│
│ │экологии на основе│ │ │ │ │ │на │
│ │СВЧ-разрядов │ │ │ │ │ │принципиально │
│ │ │ │ │ │ │ │новом │
│ │ │ │ │ │ │ │управляемом │
│ │ │ │ │ │ │ │СВЧ-разряде с│
│ │ │ │ │ │ │ │частотно-моду- │
│ │ │ │ │ │ │ │лированным │
│ │ │ │ │ │ │ │возбуждением и│
│ │ │ │ │ │ │ │использованием │
│ │ │ │ │ │ │ │мощного │
│ │ │ │ │ │ │ │широкополосного│
│ │ │ │ │ │ │ │пучково-плазме-│
│ │ │ │ │ │ │ │нного │
│ │ │ │ │ │ │ │усилителя; │
│ │ │ │ │ │ │ │проведение на│
│ │ │ │ │ │ │ │данной базе│
│ │ │ │ │ │ │ │исследований по│
│ │ │ │ │ │ │ │применению │
│ │ │ │ │ │ │ │неравновесной │
│ │ │ │ │ │ │ │СВЧ-плазмы в│
│ │ │ │ │ │ │ │водородной │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетике │
│ │ │ │ │ │ │ │(разложение │
│ │ │ │ │ │ │ │воды и метана),│
│ │ │ │ │ │ │ │экологии │
│ │ │ │ │ │ │ │(переработка │
│ │ │ │ │ │ │ │радиоактивных │
│ │ │ │ │ │ │ │отходов, │
│ │ │ │ │ │ │ │элементов │
│ │ │ │ │ │ │ │химического │
│ │ │ │ │ │ │ │оружия, очистка│
│ │ │ │ │ │ │ │газов), │
│ │ │ │ │ │ │ │ионно-плазмен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных технологий│
│ │ │ │ │ │ │ │модификации │
│ │ │ │ │ │ │ │поверхности, а│
│ │ │ │ │ │ │ │также │
│ │ │ │ │ │ │ │высокотемпера- │
│ │ │ │ │ │ │ │турных │
│ │ │ │ │ │ │ │СВЧ-технологий │
│ │ │ │ │ │ │ │с управлением│
│ │ │ │ │ │ │ │частоты │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│177. │Разработка │ 23,6 │ 14,8 │ 11,4 │ │ │создание │
│ │элементной базы│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │ключевых │
│ │электроэнергетичес- │ 11,8 │ 7,4 │ 5,7 │ │ │элементов │
│ │ких технологий,│ │ │ │ │ │электроэнерге- │
│ │включая силовые│ │ │ │ │ │тических систем│
│ │полупроводниковые и│ │ │ │ │ │(комбинирован- │
│ │плазменно-вакуумные │ │ │ │ │ │ного СИТ-МОП│
│ │приборы, │ │ │ │ │ │транзистора, │
│ │высокотемпературную │ │ │ │ │ │плазменно-ваку-│
│ │изоляцию и│ │ │ │ │ │умных │
│ │химические источники│ │ │ │ │ │высоковольтных │
│ │тока │ │ │ │ │ │приборов, │
│ │ │ │ │ │ │ │высокотемпера- │
│ │ │ │ │ │ │ │турной изоляции│
│ │ │ │ │ │ │ │для проводов и│
│ │ │ │ │ │ │ │шин), натриевых│
│ │ │ │ │ │ │ │аккумуляторов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│178. │Разработка │ 6 │ 3,8 │ 9 │ 9,2 │ 9,8 │производство │
│ │технологии выработки│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │электроэнергии │
│ │электроэнергии │ 3 │ 1,9 │ 4,5 │ 4,6 │ 4,9 │тепловыми │
│ │тепловыми │ │ │ │ │ │электростанция-│
│ │электростанциями с│ │ │ │ │ │ми с уровнем│
│ │использованием │ │ │ │ │ │выбросов │
│ │комплексной │ │ │ │ │ │твердых частиц,│
│ │пылегазоочистки на│ │ │ │ │ │оксидов серы и│
│ │основе │ │ │ │ │ │азота в дымовых│
│ │высоковольтных │ │ │ │ │ │газах, │
│ │разрядов │ │ │ │ │ │соответствующих│
│ │ │ │ │ │ │ │нормативам │
│ │ │ │ │ │ │ │Российской │
│ │ │ │ │ │ │ │Федерации и│
│ │ │ │ │ │ │ │международным │
│ │ │ │ │ │ │ │соглашениям о│
│ │ │ │ │ │ │ │трансграничном │
│ │ │ │ │ │ │ │переносе; │
│ │ │ │ │ │ │ │модернизация │
│ │ │ │ │ │ │ │действующих и│
│ │ │ │ │ │ │ │оборудование │
│ │ │ │ │ │ │ │вновь │
│ │ │ │ │ │ │ │строящихся │
│ │ │ │ │ │ │ │золоуловителей │
│ │ │ │ │ │ │ │на основе│
│ │ │ │ │ │ │ │применения │
│ │ │ │ │ │ │ │высоковольтных │
│ │ │ │ │ │ │ │электрических │
│ │ │ │ │ │ │ │разрядов; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │эффективности │
│ │ │ │ │ │ │ │золоулавливания│
│ │ │ │ │ │ │ │до 99,5-99,8│
│ │ │ │ │ │ │ │процента, │
│ │ │ │ │ │ │ │очистки от│
│ │ │ │ │ │ │ │оксидов на│
│ │ │ │ │ │ │ │50-80 │
│ │ │ │ │ │ │ │процентов; │
│ │ │ │ │ │ │ │экономический │
│ │ │ │ │ │ │ │эффект составит│
│ │ │ │ │ │ │ │21,1 млрд.│
│ │ │ │ │ │ │ │рублей │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│179. │Создание подвижных│ 1 │ 8,63 │ 18 │ 11,1 │ 11,1 │модернизация │
│ │комплексных стендов│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │высоковольтных │
│ │для испытания│ 1 │ 8,63 │ 9 │ 11,1 │ 11,1 │стендов и│
│ │высоковольтных │ │ │ │ │ │электротехниче-│
│ │устройств в натурных│ │ │ │ │ │ского │
│ │условиях на базе ГУП│ │ │ │ │ │оборудования │
│ │"ВЭИ имени Ленина",│ │ │ │ │ │для обеспечения│
│ │г.Москва │ │ │ │ │ │натурных │
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний новых│
│ │ │ │ │ │ │ │высоковольтных │
│ │ │ │ │ │ │ │устройств по│
│ │ │ │ │ │ │ │заказам │
│ │ │ │ │ │ │ │различных │
│ │ │ │ │ │ │ │отраслей │
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности │
│ │ │ │ │ │ │ │(электронно-лу-│
│ │ │ │ │ │ │ │чевых и│
│ │ │ │ │ │ │ │СВЧ-приборов на│
│ │ │ │ │ │ │ │новых │
│ │ │ │ │ │ │ │физических │
│ │ │ │ │ │ │ │принципах, │
│ │ │ │ │ │ │ │безэлектродных │
│ │ │ │ │ │ │ │высокоэкономич-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных источников│
│ │ │ │ │ │ │ │света, │
│ │ │ │ │ │ │ │бактерицидных │
│ │ │ │ │ │ │ │источников │
│ │ │ │ │ │ │ │света и др.) │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XII. Химические технологии и катализ │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│180. │Создание │ 26 │ 16,2 │ 10,4 │ 37 │ 38,6 │разработка и│
│ │катализаторов и│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │испытания │
│ │каталитических │ 13 │ 8,1 │ 5,2 │ 18,5 │ 19,3 │высокоэффектив-│
│ │технологий нового│ │ │ │ │ │ных │
│ │поколения для│ │ │ │ │ │катализаторов и│
│ │нефтехимического │ │ │ │ │ │каталитических │
│ │комплекса Российской│ │ │ │ │ │процессов │
│ │Федерации │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения для│
│ │ │ │ │ │ │ │переработки │
│ │ │ │ │ │ │ │углеводородного│
│ │ │ │ │ │ │ │сырья, в том│
│ │ │ │ │ │ │ │числе │
│ │ │ │ │ │ │ │природного │
│ │ │ │ │ │ │ │газа, с целью│
│ │ │ │ │ │ │ │получения │
│ │ │ │ │ │ │ │ароматических │
│ │ │ │ │ │ │ │соединений и│
│ │ │ │ │ │ │ │моторных │
│ │ │ │ │ │ │ │топлив, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │ │ │ │ │ │ │экономическую │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасность │
│ │ │ │ │ │ │ │России в│
│ │ │ │ │ │ │ │стратегически │
│ │ │ │ │ │ │ │важных областях│
│ │ │ │ │ │ │ │топливно-энер- │
│ │ │ │ │ │ │ │гетического │
│ │ │ │ │ │ │ │комплекса, │
│ │ │ │ │ │ │ │нефтехимической│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности,│
│ │ │ │ │ │ │ │а также для│
│ │ │ │ │ │ │ │создания │
│ │ │ │ │ │ │ │технологическо-│
│ │ │ │ │ │ │ │го задела для│
│ │ │ │ │ │ │ │смены сырьевой│
│ │ │ │ │ │ │ │базы │
│ │ │ │ │ │ │ │нефтехимичес- │
│ │ │ │ │ │ │ │кой, химической│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности │
│ │ │ │ │ │ │ │и энергетики.│
│ │ │ │ │ │ │ │Реализация │
│ │ │ │ │ │ │ │разработанных │
│ │ │ │ │ │ │ │каталитических │
│ │ │ │ │ │ │ │технологий │
│ │ │ │ │ │ │ │позволит │
│ │ │ │ │ │ │ │сократить │
│ │ │ │ │ │ │ │потребление │
│ │ │ │ │ │ │ │нефти на│
│ │ │ │ │ │ │ │производство │
│ │ │ │ │ │ │ │моторных топлив│
│ │ │ │ │ │ │ │на 10-15│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов и│
│ │ │ │ │ │ │ │произвести │
│ │ │ │ │ │ │ │дополнительно │
│ │ │ │ │ │ │ │до 15 тыс.т│
│ │ │ │ │ │ │ │высокооктановых│
│ │ │ │ │ │ │ │бензинов, │
│ │ │ │ │ │ │ │ликвидировать │
│ │ │ │ │ │ │ │дефицит бензола│
│ │ │ │ │ │ │ │(0,5 млн.т в│
│ │ │ │ │ │ │ │год), снизить в│
│ │ │ │ │ │ │ │2-4 раза│
│ │ │ │ │ │ │ │капитальные │
│ │ │ │ │ │ │ │затраты и на│
│ │ │ │ │ │ │ │30-40 процентов│
│ │ │ │ │ │ │ │текущие затраты│
│ │ │ │ │ │ │ │на производство│
│ │ │ │ │ │ │ │синтез-газа, │
│ │ │ │ │ │ │ │существенно │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшить │
│ │ │ │ │ │ │ │удельный расход│
│ │ │ │ │ │ │ │энергоресурсов │
│ │ │ │ │ │ │ │и сырья,│
│ │ │ │ │ │ │ │утилизировать │
│ │ │ │ │ │ │ │углеводородные │
│ │ │ │ │ │ │ │газы (ресурс│
│ │ │ │ │ │ │ │попутного │
│ │ │ │ │ │ │ │нефтяного газа│
│ │ │ │ │ │ │ │- более 8│
│ │ │ │ │ │ │ │млрд.куб.м), │
│ │ │ │ │ │ │ │выбрасываемые в│
│ │ │ │ │ │ │ │атмосферу │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│181. │Создание технологий│ 7,2 │ 4,6 │ 3 │ │ │разработка │
│ │синтеза медицинских│ ───── │ ────── │ ───── │ │ │технологий и│
│ │материалов, │ 3,6 │ 2,3 │ 1,5 │ │ │создание │
│ │лекарственных │ │ │ │ │ │опытно-промыш- │
│ │средств и препаратов│ │ │ │ │ │ленного │
│ │нового поколения │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │жизненно важных│
│ │ │ │ │ │ │ │импортозамещаю-│
│ │ │ │ │ │ │ │щих │
│ │ │ │ │ │ │ │лекарственных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
│ │ │ │ │ │ │ │широкого │
│ │ │ │ │ │ │ │спектра │
│ │ │ │ │ │ │ │действия │
│ │ │ │ │ │ │ │(обезболивающ- │
│ │ │ │ │ │ │ │их, нейролепти-│
│ │ │ │ │ │ │ │ков, противо-│
│ │ │ │ │ │ │ │воспалительных,│
│ │ │ │ │ │ │ │сердечно-сосу- │
│ │ │ │ │ │ │ │дистых, проти-│
│ │ │ │ │ │ │ │вотуберкулезных│
│ │ │ │ │ │ │ │и др.), новых│
│ │ │ │ │ │ │ │материалов ме-│
│ │ │ │ │ │ │ │дицинского наз-│
│ │ │ │ │ │ │ │начения (клей│
│ │ │ │ │ │ │ │"Сульфакрилат",│
│ │ │ │ │ │ │ │препараты на│
│ │ │ │ │ │ │ │основе иммоби-│
│ │ │ │ │ │ │ │лизованных ле-│
│ │ │ │ │ │ │ │карственных │
│ │ │ │ │ │ │ │форм); лабора-│
│ │ │ │ │ │ │ │торная разра-│
│ │ │ │ │ │ │ │ботка препара-│
│ │ │ │ │ │ │ │тов второго│
│ │ │ │ │ │ │ │поколения для│
│ │ │ │ │ │ │ │каталитической │
│ │ │ │ │ │ │ │и фотодинами-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческой терапии│
│ │ │ │ │ │ │ │онкологических │
│ │ │ │ │ │ │ │и неонкологи-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческих заболе-│
│ │ │ │ │ │ │ │ваний. Реализа-│
│ │ │ │ │ │ │ │ция отечествен-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных технологий│
│ │ │ │ │ │ │ │позволит отка-│
│ │ │ │ │ │ │ │заться от им-│
│ │ │ │ │ │ │ │порта лекарст-│
│ │ │ │ │ │ │ │венных препара-│
│ │ │ │ │ │ │ │тов на сумму до│
│ │ │ │ │ │ │ │2,5 млрд. дол-│
│ │ │ │ │ │ │ │ларов США в│
│ │ │ │ │ │ │ │год, обеспечить│
│ │ │ │ │ │ │ │потребности │
│ │ │ │ │ │ │ │более дешевыми│
│ │ │ │ │ │ │ │качественными │
│ │ │ │ │ │ │ │препаратами, │
│ │ │ │ │ │ │ │сократить сроки│
│ │ │ │ │ │ │ │лечения в 2-4│
│ │ │ │ │ │ │ │раза │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│182. │Разработка │ 25,6 │ 16 │ 4 │ 36,8 │ 38,2 │создание │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │химических │
│ │производства │ 12,8 │ 8 │ 2 │ 18,4 │ 19,1 │продуктов для│
│ │малотоннажных │ │ │ │ │ │производства │
│ │химических продуктов│ │ │ │ │ │новых │
│ │для производства│ │ │ │ │ │материалов, │
│ │новых материалов │ │ │ │ │ │соответствующих│
│ │ │ │ │ │ │ │современному │
│ │ │ │ │ │ │ │техническому │
│ │ │ │ │ │ │ │уровню (нового│
│ │ │ │ │ │ │ │ассортимента │
│ │ │ │ │ │ │ │позитивных │
│ │ │ │ │ │ │ │фоторезистов │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │полупроводнико-│
│ │ │ │ │ │ │ │вых приборов и│
│ │ │ │ │ │ │ │интегральных │
│ │ │ │ │ │ │ │схем емкостью│
│ │ │ │ │ │ │ │до 1 Мбит,│
│ │ │ │ │ │ │ │новых │
│ │ │ │ │ │ │ │жидкокристалли-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческих и│
│ │ │ │ │ │ │ │электролюминес-│
│ │ │ │ │ │ │ │центных │
│ │ │ │ │ │ │ │материалов с│
│ │ │ │ │ │ │ │улучшенными │
│ │ │ │ │ │ │ │электрооптичес-│
│ │ │ │ │ │ │ │кими │
│ │ │ │ │ │ │ │характеристика-│
│ │ │ │ │ │ │ │ми для│
│ │ │ │ │ │ │ │устройств │
│ │ │ │ │ │ │ │отображения │
│ │ │ │ │ │ │ │информации, │
│ │ │ │ │ │ │ │мембран нового│
│ │ │ │ │ │ │ │поколения и│
│ │ │ │ │ │ │ │мембранных │
│ │ │ │ │ │ │ │процессов на их│
│ │ │ │ │ │ │ │основе для│
│ │ │ │ │ │ │ │утилизации │
│ │ │ │ │ │ │ │производствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных стоков│
│ │ │ │ │ │ │ │предприятий │
│ │ │ │ │ │ │ │химической, │
│ │ │ │ │ │ │ │микробиологиче-│
│ │ │ │ │ │ │ │ской и│
│ │ │ │ │ │ │ │медицинской │
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности;│
│ │ │ │ │ │ │ │нового класса│
│ │ │ │ │ │ │ │адсорбентов-ка-│
│ │ │ │ │ │ │ │тализаторов для│
│ │ │ │ │ │ │ │ликвидации │
│ │ │ │ │ │ │ │техногенных │
│ │ │ │ │ │ │ │катастроф, │
│ │ │ │ │ │ │ │использования в│
│ │ │ │ │ │ │ │средствах │
│ │ │ │ │ │ │ │индивидуальной │
│ │ │ │ │ │ │ │и коллективной│
│ │ │ │ │ │ │ │защиты │
│ │ │ │ │ │ │ │населения) │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XIII. Технологии спецхимии и энергонасыщенных материалов │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│183. │Разработка │ 5,6 │ 10,6 │ 6,6 │ 12,2 │ 11 │будет создан│
│ │непрерывных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │автоматизирова-│
│ │автоматизированных │ 2,8 │ 5,3 │ 3,3 │ 6,1 │ 5,5 │нный │
│ │технологических │ │ │ │ │ │технологический│
│ │процессов │ │ │ │ │ │комплекс для│
│ │производства │ │ │ │ │ │производства │
│ │баллиститных порохов│ │ │ │ │ │порохов и│
│ │и твердых ракетных│ │ │ │ │ │ракетных │
│ │топлив на базе│ │ │ │ │ │зарядов нового│
│ │высокопроизводитель-│ │ │ │ │ │поколения с│
│ │ного оборудования и│ │ │ │ │ │производитель- │
│ │средств │ │ │ │ │ │ностью потока│
│ │автоматического │ │ │ │ │ │до 800 кг/ч,│
│ │управления │ │ │ │ │ │диаметр зарядов│
│ │процессами, │ │ │ │ │ │от 5 мм до 800│
│ │адаптированных к│ │ │ │ │ │мм различных│
│ │российским │ │ │ │ │ │рецептур │
│ │заводам-изготовите- │ │ │ │ │ │(зарубежный │
│ │лям │ │ │ │ │ │уровень - до│
│ │ │ │ │ │ │ │100 кг/ч,│
│ │ │ │ │ │ │ │диаметр зарядов│
│ │ │ │ │ │ │ │до 300 мм);│
│ │ │ │ │ │ │ │будут │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечены │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │выбросов в│
│ │ │ │ │ │ │ │атмосферу │
│ │ │ │ │ │ │ │вредных │
│ │ │ │ │ │ │ │продуктов в│
│ │ │ │ │ │ │ │10000 раз,│
│ │ │ │ │ │ │ │замкнутая │
│ │ │ │ │ │ │ │система │
│ │ │ │ │ │ │ │водооборота, │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │энергозатрат в│
│ │ │ │ │ │ │ │3-5 раз, выпуск│
│ │ │ │ │ │ │ │новой │
│ │ │ │ │ │ │ │отечественной │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции для│
│ │ │ │ │ │ │ │внутренних нужд│
│ │ │ │ │ │ │ │и на экспорт │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│184. │Создание │ 9 │ 9 │ 4,4 │ 11,2 │ 11,8 │создание │
│ │технологических │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │производствен- │
│ │процессов │ 4,5 │ 4,5 │ 2,2 │ 5,6 │ 5,9 │ных │
│ │изготовления зарядов│ │ │ │ │ │технологических│
│ │из смесевых твердых│ │ │ │ │ │процессов, │
│ │ракетных топлив│ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │(СТРТ) нового│ │ │ │ │ │переработку │
│ │поколения для│ │ │ │ │ │высокоэффектив-│
│ │перспективных │ │ │ │ │ │ных │
│ │ракетных комплексов,│ │ │ │ │ │экологически │
│ │для космических│ │ │ │ │ │чистых СТРТ для│
│ │коммерческих │ │ │ │ │ │ракетных │
│ │объектов, │ │ │ │ │ │систем; выпуск│
│ │магнитогазодинамиче-│ │ │ │ │ │экспортно-орие-│
│ │ских генераторов и│ │ │ │ │ │нтированной │
│ │других систем│ │ │ │ │ │продукции, │
│ │различного │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │назначения │ │ │ │ │ │собной на│
│ │ │ │ │ │ │ │мировом рынке;│
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │производитель- │
│ │ │ │ │ │ │ │ности в 1,5-2│
│ │ │ │ │ │ │ │раза, снижение│
│ │ │ │ │ │ │ │энергоемкости │
│ │ │ │ │ │ │ │производств, │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │уровня │
│ │ │ │ │ │ │ │взрывозащищен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ности │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│185. │Создание и│ 3,8 │ 3,8 │ 1 │ 4,8 │ 5 │повышение │
│ │совершенствование │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │весовой │
│ │технологических │ 1,9 │ 1,9 │ 0,5 │ 2,4 │ 2,5 │эффективности │
│ │процессов │ │ │ │ │ │корпусов на│
│ │производства │ │ │ │ │ │20-25 │
│ │корпусов РДТТ из│ │ │ │ │ │процентов; │
│ │композиционных │ │ │ │ │ │создание новых│
│ │материалов для│ │ │ │ │ │полимерных │
│ │перспективных │ │ │ │ │ │композиционных │
│ │ракетных комплексов│ │ │ │ │ │материалов, │
│ │и изделий│ │ │ │ │ │теплозащитных, │
│ │народнохозяйствен- │ │ │ │ │ │экранирующих │
│ │ного назначения │ │ │ │ │ │покрытий и│
│ │ │ │ │ │ │ │технологий их│
│ │ │ │ │ │ │ │переработки │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│186. │Создание новых│ 1,2 │ 1,2 │ 1,4 │ 1,6 │ 1,6 │выпуск новой│
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │продукции для│
│ │изготовления │ 0,6 │ 0,6 │ 0,7 │ 0,8 │ 0,8 │обеспечения │
│ │пиротехнических │ │ │ │ │ │отечественного │
│ │изделий различного│ │ │ │ │ │и зарубежного│
│ │назначения │ │ │ │ │ │рынков │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│187. │Развитие технологий│ 13,6 │ 13,6 │ 7,8 │ 23,8 │ 24 │разработка │
│ │элементной базы│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │новых и│
│ │спецхимии: │ 6,8 │ 6,8 │ 3,9 │ 11,9 │ 12 │модернизация │
│ │окислители, │ │ │ │ │ │существующих │
│ │пластификаторы, │ │ │ │ │ │технологических│
│ │поверхностно-актив- │ │ │ │ │ │процессов │
│ │ные вещества,│ │ │ │ │ │получения │
│ │олигомеры, аддукты,│ │ │ │ │ │компонентов │
│ │целлюлоза из│ │ │ │ │ │смесевых и│
│ │древесного сырья и│ │ │ │ │ │баллиститных │
│ │другое; исследования│ │ │ │ │ │ракетных │
│ │по модернизации│ │ │ │ │ │топлив, │
│ │существующих и│ │ │ │ │ │крепящих │
│ │разработке новых│ │ │ │ │ │составов, │
│ │технологий │ │ │ │ │ │бронепокрытий │
│ │производства │ │ │ │ │ │для серийных и│
│ │компонентов ракетных│ │ │ │ │ │перспективных │
│ │топлив для ракетных│ │ │ │ │ │изделий │
│ │комплексов │ │ │ │ │ │различного │
│ │различного │ │ │ │ │ │назначения, для│
│ │назначения с учетом│ │ │ │ │ │создания │
│ │современного и│ │ │ │ │ │малотоннажных │
│ │перспективного │ │ │ │ │ │модульных │
│ │состояния сырьевой│ │ │ │ │ │экологически │
│ │базы отрасли │ │ │ │ │ │чистых │
│ │ │ │ │ │ │ │безотходных │
│ │ │ │ │ │ │ │производств, │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │высокого │
│ │ │ │ │ │ │ │качества │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции │
│ │ │ │ │ │ │ │спецхимии и ее│
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собности на│
│ │ │ │ │ │ │ │мировом рынке,│
│ │ │ │ │ │ │ │выпуск │
│ │ │ │ │ │ │ │технической и│
│ │ │ │ │ │ │ │технологической│
│ │ │ │ │ │ │ │документации, │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │пилотных │
│ │ │ │ │ │ │ │установок, │
│ │ │ │ │ │ │ │выпуск опытных│
│ │ │ │ │ │ │ │партий │
│ │ │ │ │ │ │ │различных │
│ │ │ │ │ │ │ │компонентов и│
│ │ │ │ │ │ │ │проверка их в│
│ │ │ │ │ │ │ │реальных │
│ │ │ │ │ │ │ │составах │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│188. │Создание новых│ 5,8 │ 5,8 │ 7 │ 15,4 │ 16 │создание и│
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │разработка │
│ │взрывчатых веществ и│ 2,9 │ 2,9 │ 3,5 │ 7,7 │ 8 │технологии │
│ │средств │ │ │ │ │ │промышленного │
│ │инициирования, │ │ │ │ │ │производства │
│ │промышленные │ │ │ │ │ │нового │
│ │взрывные технологии │ │ │ │ │ │поколения │
│ │ │ │ │ │ │ │взрывчатых │
│ │ │ │ │ │ │ │смесей, в том│
│ │ │ │ │ │ │ │числе │
│ │ │ │ │ │ │ │эмульсионных │
│ │ │ │ │ │ │ │для │
│ │ │ │ │ │ │ │горнодобывающей│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности,│
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечивающих │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности │
│ │ │ │ │ │ │ │работ, снижение│
│ │ │ │ │ │ │ │вредных │
│ │ │ │ │ │ │ │выбросов в│
│ │ │ │ │ │ │ │4-5 раз, │
│ │ │ │ │ │ │ │уменьшение │
│ │ │ │ │ │ │ │затрат в 1,5-3│
│ │ │ │ │ │ │ │раза │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│189. │Разработка │ 26,8 │ 26,8 │ 20,4 │ 45,4 │ 64,6 │отработка │
│ │технологий в области│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │технологий для│
│ │спецхимии и│ 13,4 │ 13,4 │ 10,2 │ 22,7 │ 32,3 │производства │
│ │энергонасыщенных │ │ │ │ │ │принципиально │
│ │материалов; │ │ │ │ │ │новой и│
│ │отработка технологий│ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │для производства│ │ │ │ │ │собной │
│ │принципиально новой│ │ │ │ │ │продукции, в│
│ │и │ │ │ │ │ │том числе│
│ │конкурентоспособной │ │ │ │ │ │жизненно важной│
│ │продукции │ │ │ │ │ │и отвечающей│
│ │ │ │ │ │ │ │интересам │
│ │ │ │ │ │ │ │национальной │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности │
│ │ │ │ │ │ │ │страны. В│
│ │ │ │ │ │ │ │результате │
│ │ │ │ │ │ │ │выполнения │
│ │ │ │ │ │ │ │программы │
│ │ │ │ │ │ │ │разработки и│
│ │ │ │ │ │ │ │применения │
│ │ │ │ │ │ │ │технологий │
│ │ │ │ │ │ │ │будут созданы│
│ │ │ │ │ │ │ │производства с│
│ │ │ │ │ │ │ │ежегодной │
│ │ │ │ │ │ │ │реализацией │
│ │ │ │ │ │ │ │конечной │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции с│
│ │ │ │ │ │ │ │суммарным │
│ │ │ │ │ │ │ │объемом до 3,5│
│ │ │ │ │ │ │ │млрд. рублей в│
│ │ │ │ │ │ │ │год и│
│ │ │ │ │ │ │ │получением │
│ │ │ │ │ │ │ │годовой прибыли│
│ │ │ │ │ │ │ │более 750 млн.│
│ │ │ │ │ │ │ │рублей │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│190. │Организация │ 11 │ 14,9 │ 6,2 │ 23,6 │ - │создание │
│ │быстропереналаживае-│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ │уникальных │
│ │мого │ 11 │ 14,9 │ 6,2 │ 23,6 │ │стендов для│
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │огневых │
│ │производства по│ │ │ │ │ │испытаний новых│
│ │переработке │ │ │ │ │ │разработок и│
│ │баллиститных │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │смесевых топлив и│ │ │ │ │ │производства │
│ │других материалов│ │ │ │ │ │гражданской │
│ │спецхимии на ФГУП│ │ │ │ │ │продукции с│
│ │"ФЦДТ "Союз",│ │ │ │ │ │использованием │
│ │г.Дзержинский, │ │ │ │ │ │технологии │
│ │Московская область │ │ │ │ │ │спецхимии │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│191. │Реконструкция и│ 2 │ 1,5 │ 6,9 │ 15,5 │ - │обеспечение │
│ │создание │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ │специальной │
│ │малотоннажного │ 2 │ 1,5 │ 6,9 │ 15,5 │ │производствен- │
│ │технологического │ │ │ │ │ │ной и│
│ │комплекса по выпуску│ │ │ │ │ │технологической│
│ │инструмента для│ │ │ │ │ │базы для│
│ │прецизионной │ │ │ │ │ │отработки новых│
│ │обработки изделий на│ │ │ │ │ │рецептур │
│ │ФГУП "ЦНИИХМ",│ │ │ │ │ │продукции │
│ │г.Москва │ │ │ │ │ │спецхимии │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XIV. Биотехнологии │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│192. │Разработка │ 5,6 │ 3,6 │ 3,8 │ 8,2 │ 8,6 │в проекте будет│
│ │технологии │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │использован │
│ │внеклеточного │ 2,8 │ 1,8 │ 1,9 │ 4,1 │ 4,3 │метод получения│
│ │синтеза │ │ │ │ │ │биологически │
│ │функционально │ │ │ │ │ │активных │
│ │активных белков и│ │ │ │ │ │соединений │
│ │полипептидов в│ │ │ │ │ │биосинтетичес- │
│ │биореакторах нового│ │ │ │ │ │ким путем в│
│ │поколения для│ │ │ │ │ │биореакторах │
│ │создания на их│ │ │ │ │ │нового │
│ │основе лекарственных│ │ │ │ │ │поколения с│
│ │противовирусных, │ │ │ │ │ │использованием │
│ │антибактериальных и│ │ │ │ │ │только │
│ │противоопухолевых │ │ │ │ │ │белоксинтезиру-│
│ │препаратов; │ │ │ │ │ │ющего аппарата│
│ │наработка │ │ │ │ │ │клетки. │
│ │препаративных │ │ │ │ │ │Основное │
│ │количеств │ │ │ │ │ │преимущество │
│ │биологически │ │ │ │ │ │такого подхода│
│ │активных соединений│ │ │ │ │ │по сравнению с│
│ │и передача их для│ │ │ │ │ │традиционным │
│ │медико-биологических│ │ │ │ │ │заключается в│
│ │испытаний │ │ │ │ │ │обеспечении │
│ │ │ │ │ │ │ │независимости │
│ │ │ │ │ │ │ │биосинтеза │
│ │ │ │ │ │ │ │необходимого │
│ │ │ │ │ │ │ │продукта от│
│ │ │ │ │ │ │ │других ненужных│
│ │ │ │ │ │ │ │биологических │
│ │ │ │ │ │ │ │процессов, │
│ │ │ │ │ │ │ │происходящих в│
│ │ │ │ │ │ │ │живой клетке.│
│ │ │ │ │ │ │ │Метод является│
│ │ │ │ │ │ │ │оригинальным и│
│ │ │ │ │ │ │ │защищен │
│ │ │ │ │ │ │ │международным │
│ │ │ │ │ │ │ │патентом. │
│ │ │ │ │ │ │ │Получаемые │
│ │ │ │ │ │ │ │продукты │
│ │ │ │ │ │ │ │являются │
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собными на│
│ │ │ │ │ │ │ │отечественном и│
│ │ │ │ │ │ │ │зарубежном │
│ │ │ │ │ │ │ │рынках │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│193. │Разработка │ 5,6 │ 9,6 │ 3 │ 8,2 │ 8,6 │разработка │
│ │технологии │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │технологии │
│ │производства │ 2,8 │ 4,8 │ 1,5 │ 4,1 │ 4,3 │создания │
│ │устройств на основе│ │ │ │ │ │оптоэлектронных│
│ │поверхностного │ │ │ │ │ │высокочувстви- │
│ │плазменного │ │ │ │ │ │тельных │
│ │резонанса и│ │ │ │ │ │сенсоров нового│
│ │биомолекулярных │ │ │ │ │ │поколения на│
│ │взаимодействий для│ │ │ │ │ │основе белковых│
│ │диагностики опасных│ │ │ │ │ │и органических│
│ │бактериальных и│ │ │ │ │ │монослоев и│
│ │вирусных │ │ │ │ │ │молекулярной │
│ │заболеваний, включая│ │ │ │ │ │самосборки в│
│ │СПИД, туберкулез,│ │ │ │ │ │сочетании с│
│ │вирусные гепатиты │ │ │ │ │ │высокими │
│ │ │ │ │ │ │ │технологиями │
│ │ │ │ │ │ │ │лазерной, │
│ │ │ │ │ │ │ │интегрально- и│
│ │ │ │ │ │ │ │волоконно-опти-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческой техники;│
│ │ │ │ │ │ │ │сравнительно │
│ │ │ │ │ │ │ │невысокая │
│ │ │ │ │ │ │ │себестоимость, │
│ │ │ │ │ │ │ │экологическая │
│ │ │ │ │ │ │ │чистота и│
│ │ │ │ │ │ │ │технологичность│
│ │ │ │ │ │ │ │изготовления │
│ │ │ │ │ │ │ │предполагают │
│ │ │ │ │ │ │ │широкое │
│ │ │ │ │ │ │ │применение в│
│ │ │ │ │ │ │ │медицине для│
│ │ │ │ │ │ │ │диагностики │
│ │ │ │ │ │ │ │известных и│
│ │ │ │ │ │ │ │новых вирусных│
│ │ │ │ │ │ │ │заболеваний, │
│ │ │ │ │ │ │ │для антигенного│
│ │ │ │ │ │ │ │мониторинга │
│ │ │ │ │ │ │ │окружающей │
│ │ │ │ │ │ │ │среды, в│
│ │ │ │ │ │ │ │биотехнологии │
│ │ │ │ │ │ │ │для контроля│
│ │ │ │ │ │ │ │стадий процесса│
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │биологически │
│ │ │ │ │ │ │ │активных │
│ │ │ │ │ │ │ │веществ, │
│ │ │ │ │ │ │ │контроля среды│
│ │ │ │ │ │ │ │на наличие ОВ,│
│ │ │ │ │ │ │ │ВВ и наркотиков│
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│194. │Разработка │ 8,8 │ 5,6 │ 2,2 │ 1,8 │ 9,8 │перспективным │
│ │технологии создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │направлением │
│ │новых лекарственных│ 4,4 │ 2,8 │ 1,1 │ 0,9 │ 4,9 │разработки │
│ │препаратов на основе│ │ │ │ │ │подобных │
│ │аналогов эндогенных│ │ │ │ │ │препаратов │
│ │пептидов человека,│ │ │ │ │ │является поиск│
│ │обладающих │ │ │ │ │ │и дизайн│
│ │противоопухолевым и│ │ │ │ │ │ингибиторов │
│ │ангиогенным и│ │ │ │ │ │ангиогенеза, │
│ │антиангиогенным │ │ │ │ │ │индуцированного│
│ │эффектом │ │ │ │ │ │злокачественны-│
│ │ │ │ │ │ │ │ми │
│ │ │ │ │ │ │ │новообразовани-│
│ │ │ │ │ │ │ │ями. Ряд│
│ │ │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │ │ │ │ │ │ │ингибиторов │
│ │ │ │ │ │ │ │ангиогенеза │
│ │ │ │ │ │ │ │разрабатывается│
│ │ │ │ │ │ │ │на основе│
│ │ │ │ │ │ │ │синтетических │
│ │ │ │ │ │ │ │(RGD-пептиды) │
│ │ │ │ │ │ │ │или эндогенных│
│ │ │ │ │ │ │ │(эндостатин и│
│ │ │ │ │ │ │ │ангиостатин) │
│ │ │ │ │ │ │ │фрагментов │
│ │ │ │ │ │ │ │функциональных │
│ │ │ │ │ │ │ │белков. │
│ │ │ │ │ │ │ │Приоритетными │
│ │ │ │ │ │ │ │являются │
│ │ │ │ │ │ │ │разработки │
│ │ │ │ │ │ │ │коротких │
│ │ │ │ │ │ │ │пептидов, │
│ │ │ │ │ │ │ │аналогичных │
│ │ │ │ │ │ │ │дипептиду IM│
│ │ │ │ │ │ │ │862, │
│ │ │ │ │ │ │ │обладающему │
│ │ │ │ │ │ │ │высоким │
│ │ │ │ │ │ │ │антиангиогенным│
│ │ │ │ │ │ │ │потенциалом и│
│ │ │ │ │ │ │ │противоопухоле-│
│ │ │ │ │ │ │ │вой │
│ │ │ │ │ │ │ │активностью. В│
│ │ │ │ │ │ │ │результате │
│ │ │ │ │ │ │ │выполнения │
│ │ │ │ │ │ │ │проекта будет│
│ │ │ │ │ │ │ │проведен синтез│
│ │ │ │ │ │ │ │наиболее │
│ │ │ │ │ │ │ │высокоативного │
│ │ │ │ │ │ │ │соединения, │
│ │ │ │ │ │ │ │выпущены │
│ │ │ │ │ │ │ │опытные партии│
│ │ │ │ │ │ │ │препаратов, │
│ │ │ │ │ │ │ │проведены │
│ │ │ │ │ │ │ │медико-биологи-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческие │
│ │ │ │ │ │ │ │испытания │
│ │ │ │ │ │ │ │препаратов и│
│ │ │ │ │ │ │ │разработана │
│ │ │ │ │ │ │ │научно-техниче-│
│ │ │ │ │ │ │ │ская │
│ │ │ │ │ │ │ │документация на│
│ │ │ │ │ │ │ │препарат │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│195. │Разработка │ 11,4 │ 7 │ 8 │ 16,8 │ 17,4 │будут │
│ │технологий получения│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │разработаны │
│ │лекарственных │ 5,7 │ 3,5 │ 4 │ 8,4 │ 8,7 │отечественные │
│ │средств на основе│ │ │ │ │ │технологии и│
│ │рекомбинантных │ │ │ │ │ │организовано │
│ │белков человека для│ │ │ │ │ │производство │
│ │лечения опухолевых,│ │ │ │ │ │современных │
│ │вирусных и других│ │ │ │ │ │лекарственных │
│ │опасных заболеваний│ │ │ │ │ │препаратов на│
│ │человека и│ │ │ │ │ │основе │
│ │организация │ │ │ │ │ │рекомбинантных │
│ │производства │ │ │ │ │ │белков │
│ │субстанций и│ │ │ │ │ │человека, │
│ │лекарственных форм│ │ │ │ │ │таких, как│
│ │создаваемых │ │ │ │ │ │интерферон-гам-│
│ │препаратов │ │ │ │ │ │ма с│
│ │ │ │ │ │ │ │использованием │
│ │ │ │ │ │ │ │трансгенных │
│ │ │ │ │ │ │ │животных, │
│ │ │ │ │ │ │ │продуцирующих │
│ │ │ │ │ │ │ │белковый │
│ │ │ │ │ │ │ │препарат в│
│ │ │ │ │ │ │ │молочной │
│ │ │ │ │ │ │ │железе, │
│ │ │ │ │ │ │ │колниестимули- │
│ │ │ │ │ │ │ │рующие факторы,│
│ │ │ │ │ │ │ │факторы некроза│
│ │ │ │ │ │ │ │опухолей и│
│ │ │ │ │ │ │ │интерлейкины. │
│ │ │ │ │ │ │ │Препараты │
│ │ │ │ │ │ │ │обладают │
│ │ │ │ │ │ │ │многофакторной │
│ │ │ │ │ │ │ │биологической │
│ │ │ │ │ │ │ │активностью │
│ │ │ │ │ │ │ │(противовирус- │
│ │ │ │ │ │ │ │ной, │
│ │ │ │ │ │ │ │антибактериаль-│
│ │ │ │ │ │ │ │ной и│
│ │ │ │ │ │ │ │противоопухоле-│
│ │ │ │ │ │ │ │вой). Будут│
│ │ │ │ │ │ │ │произведены │
│ │ │ │ │ │ │ │опытные партии│
│ │ │ │ │ │ │ │препаратов и│
│ │ │ │ │ │ │ │проведены │
│ │ │ │ │ │ │ │медико-биологи-│
│ │ │ │ │ │ │ │ческие │
│ │ │ │ │ │ │ │испытания │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│196. │Разработка │ 8,6 │ 5,4 │ 2,6 │ 12,6 │ 13 │создание │
│ │технологии синтеза│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │производствен- │
│ │реакционно-способных│ 4,3 │ 2,7 │ 1,3 │ 6,3 │ 6,5 │ной базы и│
│ │производных │ │ │ │ │ │новых │
│ │олигонуклеотидов и│ │ │ │ │ │технологий │
│ │их аналогов для│ │ │ │ │ │получения │
│ │создания на их│ │ │ │ │ │стратегически │
│ │основе препаратов│ │ │ │ │ │важных │
│ │генетически │ │ │ │ │ │биологически │
│ │направленного │ │ │ │ │ │активных │
│ │действия для│ │ │ │ │ │соединений │
│ │использования в│ │ │ │ │ │генетически │
│ │клинической практике│ │ │ │ │ │направленного │
│ │в качестве│ │ │ │ │ │действия на│
│ │высокоспецифичных │ │ │ │ │ │основе │
│ │современных │ │ │ │ │ │олигонуклеоти- │
│ │противовирусных, │ │ │ │ │ │дов, │
│ │противоопухолевых и│ │ │ │ │ │высокоспецифич-│
│ │иммуномодулирующих │ │ │ │ │ │ных │
│ │препаратов нового│ │ │ │ │ │противовирус- │
│ │поколения │ │ │ │ │ │ных, │
│ │ │ │ │ │ │ │противоопухоле-│
│ │ │ │ │ │ │ │вых и│
│ │ │ │ │ │ │ │иммуномодулиру-│
│ │ │ │ │ │ │ │ющих препаратов│
│ │ │ │ │ │ │ │нового │
│ │ │ │ │ │ │ │поколения для│
│ │ │ │ │ │ │ │защиты иммунной│
│ │ │ │ │ │ │ │системы от│
│ │ │ │ │ │ │ │действия │
│ │ │ │ │ │ │ │ионизирующего │
│ │ │ │ │ │ │ │излучения и│
│ │ │ │ │ │ │ │токсических │
│ │ │ │ │ │ │ │агентов. Будут│
│ │ │ │ │ │ │ │созданы │
│ │ │ │ │ │ │ │производные │
│ │ │ │ │ │ │ │олигонуклеоти- │
│ │ │ │ │ │ │ │дов, устойчивые│
│ │ │ │ │ │ │ │в организме и│
│ │ │ │ │ │ │ │способные │
│ │ │ │ │ │ │ │каталитически │
│ │ │ │ │ │ │ │воздействовать │
│ │ │ │ │ │ │ │на целевые│
│ │ │ │ │ │ │ │нуклеиновые │
│ │ │ │ │ │ │ │кислоты. Будут│
│ │ │ │ │ │ │ │разработаны │
│ │ │ │ │ │ │ │многокомпонент-│
│ │ │ │ │ │ │ │ные системы│
│ │ │ │ │ │ │ │олигонуклеотид-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных конъюгатов,│
│ │ │ │ │ │ │ │позволяющие │
│ │ │ │ │ │ │ │повысить │
│ │ │ │ │ │ │ │специфичность и│
│ │ │ │ │ │ │ │эффективность │
│ │ │ │ │ │ │ │воздействия на│
│ │ │ │ │ │ │ │нуклеиновые │
│ │ │ │ │ │ │ │кислоты, а│
│ │ │ │ │ │ │ │также │
│ │ │ │ │ │ │ │производные │
│ │ │ │ │ │ │ │олигонуклеоти- │
│ │ │ │ │ │ │ │дов для│
│ │ │ │ │ │ │ │стимуляции │
│ │ │ │ │ │ │ │иммунной │
│ │ │ │ │ │ │ │системы │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│197. │Разработка │ 8,6 │ 5,4 │ 3,2 │ 12,6 │ 13 │будут │
│ │биотехнологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │разработаны │
│ │получения │ 4,3 │ 2,7 │ 1,6 │ 6,3 │ 6,5 │эффективные │
│ │лекарственных │ │ │ │ │ │биотехнологиче-│
│ │средств нового│ │ │ │ │ │ские способы│
│ │поколения для│ │ │ │ │ │получения │
│ │лечения лейкозов,│ │ │ │ │ │современных │
│ │вирусных и│ │ │ │ │ │отечественных │
│ │аутоиммунных │ │ │ │ │ │препаратов на│
│ │заболеваний на│ │ │ │ │ │основе │
│ │основе │ │ │ │ │ │модифицирован- │
│ │модифицированных │ │ │ │ │ │ных │
│ │аналогов пуриновых│ │ │ │ │ │нуклеозидов, │
│ │оснований │ │ │ │ │ │организовано │
│ │ │ │ │ │ │ │производство │
│ │ │ │ │ │ │ │субстанций │
│ │ │ │ │ │ │ │препаратов и│
│ │ │ │ │ │ │ │создана база│
│ │ │ │ │ │ │ │для синтеза│
│ │ │ │ │ │ │ │исходных │
│ │ │ │ │ │ │ │соединений и│
│ │ │ │ │ │ │ │генно-инженер- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных ферментов│
│ │ │ │ │ │ │ │реакции │
│ │ │ │ │ │ │ │трансгликозили-│
│ │ │ │ │ │ │ │рования -│
│ │ │ │ │ │ │ │ключевой стадии│
│ │ │ │ │ │ │ │биотехнологиче-│
│ │ │ │ │ │ │ │ского синтеза │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XV. Технологии транспортных систем │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│198. │Разработка │ 36,4 │ 36,4 │ 42,4 │ 93,4 │ 85,4 │обеспечение │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │сбалансирован- │
│ │и прогнозирования│ 18,2 │ 18,2 │ 21,2 │ 46,7 │ 42,7 │ного и│
│ │развития │ │ │ │ │ │взаимоувязанно-│
│ │перспективной │ │ │ │ │ │го развития│
│ │судовой техники, в│ │ │ │ │ │транспортных │
│ │том числе базовых│ │ │ │ │ │систем, │
│ │информационных │ │ │ │ │ │повышение │
│ │технологий │ │ │ │ │ │транспортно-те-│
│ │взаимодействия │ │ │ │ │ │хнологической и│
│ │"человек - машина" │ │ │ │ │ │экономической │
│ │ │ │ │ │ │ │эффективности │
│ │ │ │ │ │ │ │работы │
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│199. │Разработка и│ 36,4 │ 36,4 │ 25 │ 18 │ 18,2 │разработка │
│ │усовершенствование │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │технических │
│ │технологий создания│ 18,2 │ 18,2 │ 12,5 │ 9 │ 9,1 │решений сложных│
│ │сложных │ │ │ │ │ │транспортно-те-│
│ │транспортно-техноло-│ │ │ │ │ │хнологических │
│ │гических комплексов,│ │ │ │ │ │комплексов; │
│ │предназначенных для│ │ │ │ │ │повышение │
│ │освоения запасов│ │ │ │ │ │интенсивности │
│ │углеводородов, │ │ │ │ │ │освоения │
│ │минеральных и│ │ │ │ │ │ресурсов, │
│ │биологических │ │ │ │ │ │эффективности │
│ │ресурсов │ │ │ │ │ │их │
│ │ │ │ │ │ │ │транспортиров- │
│ │ │ │ │ │ │ │ки, исключение│
│ │ │ │ │ │ │ │чрезвычайных │
│ │ │ │ │ │ │ │ситуаций и│
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │экологической │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│200. │Разработка базовых│ 47,4 │ 47,4 │ 55,4 │ 57,6 │ 60 │разработка │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │наукоемких │
│ │принципиально новых│ 23,7 │ 23,7 │ 27,7 │ 28,8 │ 30 │технологий в│
│ │высокоэффективных │ │ │ │ │ │целях │
│ │технических средств│ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │транспортных систем│ │ │ │ │ │повышения │
│ │ХХI века, в том│ │ │ │ │ │технического │
│ │числе перспективных│ │ │ │ │ │уровня │
│ │принципиально новых│ │ │ │ │ │продукции │
│ │энергетических и│ │ │ │ │ │российских │
│ │двигательных │ │ │ │ │ │предприятий, │
│ │установок, базовых│ │ │ │ │ │выхода │
│ │криогенных │ │ │ │ │ │инновационной │
│ │технологий, │ │ │ │ │ │продукции и│
│ │сертификация, │ │ │ │ │ │высоких │
│ │стандартизация │ │ │ │ │ │технологий на│
│ │ │ │ │ │ │ │внутренний и│
│ │ │ │ │ │ │ │внешний рынки;│
│ │ │ │ │ │ │ │разработка │
│ │ │ │ │ │ │ │аванпроектов │
│ │ │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │ │ │ │ │ │ │высокоэффектив-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных образцов│
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│201. │Разработка │ 38,6 │ 38,6 │ 24,8 │ 33 │ 32 │получение │
│ │технологий в области│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │базовых │
│ │прикладной │ 19,3 │ 19,3 │ 12,4 │ 16,5 │ 16 │прикладных │
│ │гидродинамики, │ │ │ │ │ │результатов, │
│ │строительной │ │ │ │ │ │разработка │
│ │механики и теории│ │ │ │ │ │конструктивных │
│ │проектирования в│ │ │ │ │ │требований и│
│ │целях обеспечения│ │ │ │ │ │новых решений,│
│ │создания │ │ │ │ │ │создание │
│ │перспективных │ │ │ │ │ │нормативно-тех-│
│ │компонентов и│ │ │ │ │ │нической │
│ │материалов │ │ │ │ │ │документации на│
│ │транспортных систем│ │ │ │ │ │проектирование │
│ │на основе│ │ │ │ │ │и создание│
│ │результатов │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │фундаментальных │ │ │ │ │ │компонентов │
│ │исследований │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │систем │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│202. │Разработка │ 38,6 │ 38,6 │ 22,8 │ 22 │ 24 │создание │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │проекта │
│ │транспортных и│ 19,3 │ 19,3 │ 11,4 │ 11 │ 12 │высокоэффектив-│
│ │технических средств│ │ │ │ │ │ного │
│ │для использования в│ │ │ │ │ │транспортного │
│ │экстремальных │ │ │ │ │ │комплекса для│
│ │природных условиях│ │ │ │ │ │труднодоступных│
│ │Северного морского│ │ │ │ │ │районов Севера│
│ │пути │ │ │ │ │ │и Дальнего│
│ │ │ │ │ │ │ │Востока и│
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │ │ │ │ │ │ │транспортных │
│ │ │ │ │ │ │ │перевозок по│
│ │ │ │ │ │ │ │Северному │
│ │ │ │ │ │ │ │морскому пути │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│203. │Разработка │ 38,6 │ 38,6 │ 45 │ 34 │ 34 │разработка │
│ │промышленных │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │проектов │
│ │технологий и│ 19,3 │ 19,3 │ 22,5 │ 17 │ 17 │современных │
│ │оборудования для│ │ │ │ │ │сборочных │
│ │производства │ │ │ │ │ │производств и│
│ │компонентов систем│ │ │ │ │ │цехов на базе│
│ │водного транспорта,│ │ │ │ │ │принципиально │
│ │включая лазерные│ │ │ │ │ │новых │
│ │обрабатывающие │ │ │ │ │ │технологических│
│ │машины и│ │ │ │ │ │процессов, │
│ │оптоволоконные │ │ │ │ │ │нового │
│ │системы │ │ │ │ │ │поколения │
│ │ │ │ │ │ │ │высокопроизво- │
│ │ │ │ │ │ │ │дительных машин│
│ │ │ │ │ │ │ │и оборудования;│
│ │ │ │ │ │ │ │сокращение │
│ │ │ │ │ │ │ │сроков │
│ │ │ │ │ │ │ │строительства │
│ │ │ │ │ │ │ │компонентов │
│ │ │ │ │ │ │ │транспортной │
│ │ │ │ │ │ │ │системы в 1,5-2│
│ │ │ │ │ │ │ │раза │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│204. │Развитие технологий│ 38,6 │ 38,6 │ 45 │ 15,6 │ 16,4 │создание │
│ │управления │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │объектов новой│
│ │физическими полями в│ 19,3 │ 19,3 │ 22,5 │ 7,8 │ 8,2 │техники, │
│ │системе "человек -│ │ │ │ │ │отвечающих │
│ │технический объект -│ │ │ │ │ │современным │
│ │окружающая среда"│ │ │ │ │ │требованиям по│
│ │для обеспечения│ │ │ │ │ │допустимому │
│ │снижения шума,│ │ │ │ │ │воздействию │
│ │вибрации и│ │ │ │ │ │физических │
│ │электромагнитных │ │ │ │ │ │полей на│
│ │полей на транспорте│ │ │ │ │ │человека, │
│ │и в│ │ │ │ │ │технические │
│ │транспортно-произво-│ │ │ │ │ │системы и│
│ │дственных │ │ │ │ │ │окружающую │
│ │комплексах, │ │ │ │ │ │среду │
│ │интенсификации │ │ │ │ │ │ │
│ │технологиче- │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
│ │ских процессов,│ │ │ │ │ │ │
│ │создания безопасных│ │ │ │ │ │ │
│ │условий для человека│ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│205. │Разработка │ 58,2 │ 58,2 │ 67,8 │ 51,4 │ 52 │повышение │
│ │технологий создания│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │научно-техниче-│
│ │и монтажа нового│ 29,1 │ 29,1 │ 33,9 │ 25,7 │ 26 │ского уровня│
│ │гидроакустического, │ │ │ │ │ │морского │
│ │навигационного и│ │ │ │ │ │приборостроения│
│ │электротехнического │ │ │ │ │ │и │
│ │оборудования и их│ │ │ │ │ │электротехники │
│ │компонентов, │ │ │ │ │ │ │
│ │удовлетворяющих │ │ │ │ │ │ │
│ │требованиям ИМО и│ │ │ │ │ │ │
│ │национальных │ │ │ │ │ │ │
│ │регистров и правил │ │ │ │ │ │ │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│206. │Техническое │ 2 │ 2,24 │ 10 │ 18 │ - │существенное │
│ │перевооружение │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ │расширение │
│ │стендового комплекса│ 2 │ 2,24 │ 10 │ 18 │ │возможностей │
│ │для испытаний│ │ │ │ │ │стендовой базы│
│ │колесной и│ │ │ │ │ │в части│
│ │гусеничной техники в│ │ │ │ │ │полномасштабных│
│ │ОАО "ВНИИтрансмаш",│ │ │ │ │ │натурных │
│ │г.Санкт-Петербург │ │ │ │ │ │испытаний │
│ │ │ │ │ │ │ │современной │
│ │ │ │ │ │ │ │колесной и│
│ │ │ │ │ │ │ │гусеничной │
│ │ │ │ │ │ │ │техники (не│
│ │ │ │ │ │ │ │менее 150│
│ │ │ │ │ │ │ │объектов в год)│
│ │ │ │ │ │ │ │и │
│ │ │ │ │ │ │ │автоматизирова-│
│ │ │ │ │ │ │ │нной обработки│
│ │ │ │ │ │ │ │результатов │
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XVI. Уникальные технологии экспериментальной отработки и испытаний │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│207. │Исследования и│ 9,4 │ 9,4 │ 11 │ 11,6 │ 12,2 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │исследований по│
│ │модернизации │ 4,7 │ 4,7 │ 5,5 │ 5,8 │ 6,1 │аэрогидродина- │
│ │комплексов │ │ │ │ │ │мике, │
│ │уникальных │ │ │ │ │ │прочности, │
│ │аэродинамических │ │ │ │ │ │динамике и│
│ │труб, │ │ │ │ │ │управляемости │
│ │газодинамических │ │ │ │ │ │авиационно-кос-│
│ │установок, │ │ │ │ │ │мических систем│
│ │прочностных, │ │ │ │ │ │и транспортных│
│ │гидродинамических │ │ │ │ │ │средств с│
│ │стендов и стендов│ │ │ │ │ │использованием │
│ │для отработки│ │ │ │ │ │современной │
│ │динамики и систем│ │ │ │ │ │элементной базы│
│ │управления │ │ │ │ │ │при уменьшении│
│ │летательных │ │ │ │ │ │энергетических │
│ │аппаратов в целях│ │ │ │ │ │затрат на│
│ │обеспечения развития│ │ │ │ │ │проведение │
│ │технологий │ │ │ │ │ │исследований в│
│ │авиационных и│ │ │ │ │ │1,2-1,5 раза │
│ │космических │ │ │ │ │ │ │
│ │транспортных средств│ │ │ │ │ │ │
│ │и энергосбережения │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│208. │Исследования и│ 9,4 │ 9,4 │ 11 │ 11,6 │ 12,2 │отработка │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │аэрогазодинами-│
│ │модернизации │ 4,7 │ 4,7 │ 5,5 │ 5,8 │ 6,1 │ки, │
│ │комплекса │ │ │ │ │ │тепломассообме-│
│ │аэрогазодинамических│ │ │ │ │ │на, │
│ │и прочностных│ │ │ │ │ │статической, │
│ │испытаний │ │ │ │ │ │теплостатичес- │
│ │космической техники│ │ │ │ │ │кой, вибро- и│
│ │в целях обеспечения│ │ │ │ │ │ударной │
│ │развития технологий│ │ │ │ │ │прочности │
│ │перспективных │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │двигательных │ │ │ │ │ │ракетных │
│ │установок │ │ │ │ │ │двигательных │
│ │ │ │ │ │ │ │установок │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│209. │Исследования и│ 10,6 │ 10,6 │ 2,2 │ 12,8 │ 13,6 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │исследований │
│ │модернизации │ 5,3 │ 5,3 │ 1,1 │ 6,4 │ 6,8 │гидродинамики, │
│ │комплекса │ │ │ │ │ │прочности, │
│ │гидродинамических, │ │ │ │ │ │акустики, │
│ │прочностных, │ │ │ │ │ │отработки │
│ │акустических │ │ │ │ │ │управляемости, │
│ │исследований и│ │ │ │ │ │мореходности, │
│ │отработки в целях│ │ │ │ │ │прочности и│
│ │обеспечения развития│ │ │ │ │ │акустических │
│ │технологий │ │ │ │ │ │характеристик │
│ │судостроения │ │ │ │ │ │судов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│210. │Исследования и│ 6,8 │ 6,8 │ 7,8 │ 8,2 │ 8,6 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │эксперименталь-│
│ │модернизации │ 3,4 │ 3,4 │ 3,9 │ 4,1 │ 4,3 │ной отработки и│
│ │комплексов высотных│ │ │ │ │ │сертификации │
│ │испытательных │ │ │ │ │ │авиадвигателей │
│ │стендов и│ │ │ │ │ │и их узлов в│
│ │инженерно-техничес- │ │ │ │ │ │высотных, │
│ │ких систем для│ │ │ │ │ │скоростных и│
│ │исследования и│ │ │ │ │ │специальных │
│ │доводки авиационных│ │ │ │ │ │условиях при│
│ │двигателей и│ │ │ │ │ │сокращении │
│ │энергетических │ │ │ │ │ │затрат на их│
│ │установок в целях│ │ │ │ │ │проведение в│
│ │обеспечения развития│ │ │ │ │ │1,6 раза │
│ │технологий │ │ │ │ │ │ │
│ │перспективных │ │ │ │ │ │ │
│ │двигательных │ │ │ │ │ │ │
│ │установок и│ │ │ │ │ │ │
│ │энергосбережения, в│ │ │ │ │ │ │
│ │том числе систем│ │ │ │ │ │ │
│ │мощной │ │ │ │ │ │ │
│ │сверхвысоковольтной │ │ │ │ │ │ │
│ │электротехники │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│211. │Исследования и│ 3,2 │ 3,2 │ 3,8 │ 3,8 │ 4 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │разработки │
│ │модернизации │ 1,6 │ 1,6 │ 1,9 │ 1,9 │ 2 │криогенных │
│ │комплексов │ │ │ │ │ │компонентов и│
│ │уникальных стендов в│ │ │ │ │ │их │
│ │целях обеспечения│ │ │ │ │ │производства, а│
│ │развития технологий│ │ │ │ │ │также │
│ │катализа и│ │ │ │ │ │технологии │
│ │спецхимии, │ │ │ │ │ │обеспечения ими│
│ │оптоэлектронных и│ │ │ │ │ │потребителей │
│ │лазерных технологий,│ │ │ │ │ │ │
│ │мощных холодильных и│ │ │ │ │ │ │
│ │криогенных систем и│ │ │ │ │ │ │
│ │др. │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│212. │Исследования и│ 8,8 │ 8,8 │ 3,6 │ 10,8 │ 11,2 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │летных │
│ │модернизации │ 4,4 │ 4,4 │ 1,8 │ 5,4 │ 5,6 │исследований и│
│ │комплексов наземных│ │ │ │ │ │испытаний │
│ │стендов, сооружений│ │ │ │ │ │авиационно-кос-│
│ │и оборудования,│ │ │ │ │ │мической │
│ │летающих лабораторий│ │ │ │ │ │техники всех│
│ │и воздушных│ │ │ │ │ │назначений с│
│ │командно-измеритель-│ │ │ │ │ │сокращением │
│ │ных пунктов для│ │ │ │ │ │затрат на их│
│ │наземных и летных│ │ │ │ │ │проведение в│
│ │исследований │ │ │ │ │ │1,5-2 раза;│
│ │летательных │ │ │ │ │ │повышение │
│ │аппаратов и их│ │ │ │ │ │точности │
│ │систем в целях│ │ │ │ │ │определения │
│ │обеспечения развития│ │ │ │ │ │метрологических│
│ │технологий │ │ │ │ │ │характеристик │
│ │транспортных средств│ │ │ │ │ │цифровых систем│
│ │и энергосбережения,│ │ │ │ │ │измерения и│
│ │аттестации элементов│ │ │ │ │ │анализа │
│ │уникальной │ │ │ │ │ │информации в│
│ │поверочной и│ │ │ │ │ │различных │
│ │эталонной базы│ │ │ │ │ │областях │
│ │страны │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│213. │Исследования и│ 4,8 │ 4,8 │ 2,6 │ 5,8 │ 6 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │разработки и│
│ │модернизации │ 2,4 │ 2,4 │ 1,3 │ 2,9 │ 3 │создания │
│ │комплекса │ │ │ │ │ │металлических и│
│ │испытательных │ │ │ │ │ │композиционных │
│ │стендов и│ │ │ │ │ │конструкционных│
│ │оборудования для│ │ │ │ │ │материалов с│
│ │разработки и│ │ │ │ │ │повышенными │
│ │создания │ │ │ │ │ │механическими │
│ │конструкционных │ │ │ │ │ │характеристика-│
│ │материалов │ │ │ │ │ │ми, защитных│
│ │различного │ │ │ │ │ │материалов для│
│ │назначения в целях│ │ │ │ │ │их │
│ │обеспечения развития│ │ │ │ │ │использования в│
│ │технологий новых│ │ │ │ │ │условиях │
│ │материалов │ │ │ │ │ │комплексного │
│ │ │ │ │ │ │ │воздействия │
│ │ │ │ │ │ │ │климатических │
│ │ │ │ │ │ │ │факторов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│214. │Исследования и│ 8,8 │ 8,8 │ 8,2 │ 2,8 │ 2,8 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │испытаний │
│ │модернизации │ 4,4 │ 4,4 │ 4,1 │ 1,4 │ 1,4 │современных и│
│ │уникальной │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │стендовой, │ │ │ │ │ │радиоэлектрон- │
│ │испытательной базы│ │ │ │ │ │ных средств на│
│ │радиоэлектронных │ │ │ │ │ │основе │
│ │средств, комплексов│ │ │ │ │ │ресурсосберега-│
│ │и систем двойного│ │ │ │ │ │ющих │
│ │применения в целях│ │ │ │ │ │моделирующих │
│ │обеспечения развития│ │ │ │ │ │технологий │
│ │технологий │ │ │ │ │ │ │
│ │телекоммуникаций и│ │ │ │ │ │ │
│ │энергосбережения, │ │ │ │ │ │ │
│ │радиоэлектронных и│ │ │ │ │ │ │
│ │информационных │ │ │ │ │ │ │
│ │технологий │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│215. │Исследования и│ 5 │ 5 │ 9,4 │ 6 │ 6,2 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │светотехничес- │
│ │модернизации │ 2,5 │ 2,5 │ 4,7 │ 3 │ 3,1 │ких испытаний│
│ │комплексов │ │ │ │ │ │оптико-электро-│
│ │уникальных │ │ │ │ │ │нных приборов и│
│ │научно-исследовате- │ │ │ │ │ │систем в│
│ │льских, │ │ │ │ │ │различных │
│ │испытательных │ │ │ │ │ │областях │
│ │комплексов в области│ │ │ │ │ │спектра на│
│ │оптических, │ │ │ │ │ │уровне мировых│
│ │оптико-электронных и│ │ │ │ │ │стандартов; │
│ │лазерных систем,│ │ │ │ │ │реализация │
│ │оптики, оптического│ │ │ │ │ │нового │
│ │материаловедения, │ │ │ │ │ │направления в│
│ │метрологического │ │ │ │ │ │метрологии │
│ │обеспечения │ │ │ │ │ │сканирующих и│
│ │испытаний │ │ │ │ │ │матричных │
│ │тепловизионной и│ │ │ │ │ │тепловизионных │
│ │радиометрической │ │ │ │ │ │и │
│ │аппаратуры в целях│ │ │ │ │ │радиометричес- │
│ │обеспечения развития│ │ │ │ │ │ких приборов │
│ │оптоэлектронных │ │ │ │ │ │ │
│ │технологий │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│216. │Исследования и│ 5,8 │ 5,8 │ 6,4 │ 2,6 │ 2,8 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │исследований, │
│ │модернизации │ 2,9 │ 2,9 │ 3,2 │ 1,3 │ 1,4 │испытаний и│
│ │комплексов │ │ │ │ │ │изготовления │
│ │уникального │ │ │ │ │ │новых поколений│
│ │оборудования для│ │ │ │ │ │матричных и│
│ │испытаний │ │ │ │ │ │многорядных ФП│
│ │фотоприемников и│ │ │ │ │ │и ФПУ общего и│
│ │фотоприемных │ │ │ │ │ │специального │
│ │устройств в целях│ │ │ │ │ │применения │
│ │обеспечения развития│ │ │ │ │ │ │
│ │технологий │ │ │ │ │ │ │
│ │микроэлектроники и│ │ │ │ │ │ │
│ │промышленного │ │ │ │ │ │ │
│ │оборудования │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│217. │Исследования и│ 2,4 │ 2,4 │ 3 │ 2,8 │ 3 │обеспечение │
│ │разработки для│ ───── │ ──────│ ───── │ ───── │ ───── │функциональных │
│ │модернизации │ 1,2 │ 1,2 │ 1,5 │ 1,4 │ 1,5 │и ресурсных│
│ │комплексов │ │ │ │ │ │испытаний всех│
│ │уникальных стендов│ │ │ │ │ │видов │
│ │по разработке и│ │ │ │ │ │моторно-транс- │
│ │испытаниям систем и│ │ │ │ │ │миссионных │
│ │агрегатов │ │ │ │ │ │установок и│
│ │многоцелевых │ │ │ │ │ │отладки систем│
│ │гусеничных машин в│ │ │ │ │ │управления │
│ │целях обеспечения│ │ │ │ │ │гусеничных │
│ │развития технологий│ │ │ │ │ │машин с учетом│
│ │транспортных средств│ │ │ │ │ │современных │
│ │ │ │ │ │ │ │требований к│
│ │ │ │ │ │ │ │процессам │
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний │
│ │ │ │ │ │ │ │(автоматизация │
│ │ │ │ │ │ │ │обработки │
│ │ │ │ │ │ │ │информации, │
│ │ │ │ │ │ │ │сокращение │
│ │ │ │ │ │ │ │подготовитель- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных работ и│
│ │ │ │ │ │ │ │др.) │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│218. │Создание │ 10 │ 16,6 │ 14,7 │ 35,3 │ 35,3 │реконструкция │
│ │авиационно-ракетного│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │единственного в│
│ │трека на базе ФКП│ 10 │ 16,6 │ 14,7 │ 35,3 │ 35,3 │России и одного│
│ │"ГКНИИПАС", пос.│ │ │ │ │ │из крупнейших в│
│ │Белозерский, │ │ │ │ │ │мире стенда для│
│ │Московская область │ │ │ │ │ │обеспечения ис-│
│ │ │ │ │ │ │ │пытаний авиаци-│
│ │ │ │ │ │ │ │онной техники│
│ │ │ │ │ │ │ │нового поколе-│
│ │ │ │ │ │ │ │ния с учетом│
│ │ │ │ │ │ │ │международных │
│ │ │ │ │ │ │ │норм и правил и│
│ │ │ │ │ │ │ │расширение воз-│
│ │ │ │ │ │ │ │можностей стен-│
│ │ │ │ │ │ │ │да по испытани-│
│ │ │ │ │ │ │ │ям в интересах│
│ │ │ │ │ │ │ │космических и│
│ │ │ │ │ │ │ │других специ-│
│ │ │ │ │ │ │ │альных средств │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│219. │Проведение │ 10 │ 16,6 │ 23,3 │ 22 │ 22 │завершение ре-│
│ │строительно-монтаж- │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │конструкции │
│ │ных работ по│ 10 │ 16,6 │ 23,3 │ 22 │ 22 │высотных стен-│
│ │оснащению уникальных│ │ │ │ │ │дов для прове-│
│ │стендовых комплексов│ │ │ │ │ │дения испытаний│
│ │новым измерительным│ │ │ │ │ │авиационных │
│ │и диагностическим│ │ │ │ │ │двигателей │
│ │оборудованием ГДП│ │ │ │ │ │гражданской │
│ │"НИЦ ЦИАМ",│ │ │ │ │ │авиации нового│
│ │г.Лыткарино, │ │ │ │ │ │поколения, их│
│ │Московская область │ │ │ │ │ │элементов и│
│ │ │ │ │ │ │ │других специ-│
│ │ │ │ │ │ │ │альных систем │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│220. │Техническое │ 11 │ 21,67 │ 16,8 │ 16,8 │ 16,8 │сохранение, │
│ │перевооружение │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │модернизация и│
│ │аэродинамических │ 11 │ 21,67 │ 16,8 │ 16,8 │ 16,8 │расширение │
│ │труб, испытательных│ │ │ │ │ │прочностной ис-│
│ │стендов и создание│ │ │ │ │ │пытательной │
│ │пилотажного стенда│ │ │ │ │ │базы для обес-│
│ │для авиатехники в│ │ │ │ │ │печения прове-│
│ │ГУП "ЦАГИ имени Н.Е.│ │ │ │ │ │дения испытаний│
│ │Жуковского", │ │ │ │ │ │авиационно-кос-│
│ │г.Жуковский, │ │ │ │ │ │мической техни-│
│ │Московская область │ │ │ │ │ │ки нового поко-│
│ │ │ │ │ │ │ │ления и прове-│
│ │ │ │ │ │ │ │дения фундамен-│
│ │ │ │ │ │ │ │тальных, поис-│
│ │ │ │ │ │ │ │ковых и прик-│
│ │ │ │ │ │ │ │ладных исследо-│
│ │ │ │ │ │ │ │ваний по аэро-│
│ │ │ │ │ │ │ │динамике, акус-│
│ │ │ │ │ │ │ │тике, динамике│
│ │ │ │ │ │ │ │полета, проч-│
│ │ │ │ │ │ │ │ности конструк-│
│ │ │ │ │ │ │ │ций и газодина-│
│ │ │ │ │ │ │ │мике │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│221. │Модернизация │ 6 │ 20,8 │ 21,2 │ 21,2 │ 33,9 │восстановление │
│ │летно-моделирующих │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │и модернизация│
│ │комплексов ЛМК-154,│ 6 │ 20,8 │ 21,2 │ 21,2 │ 33,9 │летно-моделиру-│
│ │Ил-76ТД в ФГУП "ЛИИ│ │ │ │ │ │ющего комплекса│
│ │имени М.М.Громова",│ │ │ │ │ │для обеспечения│
│ │г.Жуковский, │ │ │ │ │ │испытаний сов-│
│ │Московская область │ │ │ │ │ │ременной авиа-│
│ │ │ │ │ │ │ │ционной техники│
│ │ │ │ │ │ │ │и проведения│
│ │ │ │ │ │ │ │опережающих │
│ │ │ │ │ │ │ │исследований по│
│ │ │ │ │ │ │ │отработке кон-│
│ │ │ │ │ │ │ │цепции создания│
│ │ │ │ │ │ │ │перспективных │
│ │ │ │ │ │ │ │летательных ап-│
│ │ │ │ │ │ │ │паратов │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│222. │Создание системы│ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │эксперименталь-│
│ │управления и│ │ │ │ │ │ной отработки│
│ │контроля для│ │ │ │ │ │лазерных техно-│
│ │испытаний химических│ │ │ │ │ │логий и испыта-│
│ │лазеров двойного│ │ │ │ │ │ний современной│
│ │назначения на базе│ │ │ │ │ │лазерной техни-│
│ │ОАО "НПО│ │ │ │ │ │ки │
│ │"Энергомаш", │ │ │ │ │ │ │
│ │г.Химки, Московская│ │ │ │ │ │ │
│ │область │ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│223. │Создание комплексов│ 14 │ 12 │ 10,9 │ 17 │ 46,5 │расширение воз-│
│ │для │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │можностей стен-│
│ │гидродинамических, │ 14 │ 12 │ 10,9 │ 17 │ 46,5 │довой базы для│
│ │акустических и│ │ │ │ │ │обеспечения ис-│
│ │прочностных │ │ │ │ │ │пытаний морской│
│ │испытаний морской│ │ │ │ │ │техники двойно-│
│ │техники двойного│ │ │ │ │ │го назначения,│
│ │назначения на базе│ │ │ │ │ │создания конку-│
│ │ФГУП "ЦНИИ имени│ │ │ │ │ │рентоспособных │
│ │академика А.Н.│ │ │ │ │ │кораблей и су-│
│ │Крылова", │ │ │ │ │ │дов, проведения│
│ │г.Санкт-Петербург │ │ │ │ │ │испытаний по│
│ │ │ │ │ │ │ │гидродинамике, │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности, │
│ │ │ │ │ │ │ │гидроакустике, │
│ │ │ │ │ │ │ │энергетике (в│
│ │ │ │ │ │ │ │т.ч. атомной) │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│224. │Модернизация │ 0,2 │ - │ 4,1 │ 9,6 │ - │разработка тех-│
│ │стендовой базы для│ ───── │ │ ───── │ ───── │ │нологий произ-│
│ │обеспечения │ 0,2 │ │ 4,1 │ 9,6 │ │водства судовых│
│ │разработки │ │ │ │ │ │герметизирован-│
│ │технологии создания│ │ │ │ │ │ных кабелей на│
│ │и проведения│ │ │ │ │ │российских │
│ │испытаний судовых│ │ │ │ │ │предприятиях │
│ │герметизированных │ │ │ │ │ │взамен поставок│
│ │кабелей на ФГУП│ │ │ │ │ │из Украины и│
│ │"ЦНИИ СЭТ",│ │ │ │ │ │проведение их│
│ │г.Санкт-Петербург │ │ │ │ │ │испытаний │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│225. │Модернизация │ 20 │ 17,4 │ 20 │ 20 │ 27 │обеспечение │
│ │синхрофазотрона для│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │создания СБИС│
│ │отработки │ 20 │ 17,4 │ 20 │ 20 │ 27 │по нанотехноло-│
│ │нанотехнологий │ │ │ │ │ │гии с топологи-│
│ │сверхбыстродействую-│ │ │ │ │ │ческими нормами│
│ │щих интегральных│ │ │ │ │ │до 0,1 мкм и│
│ │схем на ФГУП "НИИФП│ │ │ │ │ │проведение ис-│
│ │имени Ф.В. Лукина",│ │ │ │ │ │пытаний элект-│
│ │г.Москва │ │ │ │ │ │ронной техники│
│ │ │ │ │ │ │ │и технологичес-│
│ │ │ │ │ │ │ │ких процессов в│
│ │ │ │ │ │ │ │экстремальных │
│ │ │ │ │ │ │ │условиях │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│226. │Модернизация │ 10 │ 12 │ 12,2 │ 29,2 │ 21,4 │сохранение │
│ │экспериментальной │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ───── │единственной в│
│ │базы │ 10 │ 12 │ 12,2 │ 29,2 │ 21,4 │России стендо-│
│ │контрольно-измерите-│ │ │ │ │ │вой базы для│
│ │льных систем и│ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │опытного │ │ │ │ │ │разработки и│
│ │производства редких│ │ │ │ │ │выпуска малых│
│ │химических │ │ │ │ │ │партий редких│
│ │компонентов в ФГУП│ │ │ │ │ │химических ком-│
│ │"РНЦ "Прикладная│ │ │ │ │ │понентов │
│ │химия", │ │ │ │ │ │ │
│ │г.Санкт-Петербург │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│227. │Оснащение │ 10 │ 11,2 │ 10 │ 45 │ - │расширение воз-│
│ │полигонного │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ │можностей уни-│
│ │комплекса │ 10 │ 11,2 │ 10 │ 45 │ │кального поли-│
│ │спецоборудованием │ │ │ │ │ │гонного комп-│
│ │для испытаний│ │ │ │ │ │лекса и прове-│
│ │служебного и│ │ │ │ │ │дение полномас-│
│ │гражданского │ │ │ │ │ │штабных натур-│
│ │стрелкового оружия и│ │ │ │ │ │ных испытаний│
│ │патронов в ФГУП│ │ │ │ │ │современного │
│ │"ЦНИИточмаш", │ │ │ │ │ │стрелкового │
│ │г.Климовск, │ │ │ │ │ │оружия двойного│
│ │Московская область │ │ │ │ │ │назначения с│
│ │ │ │ │ │ │ │использованием │
│ │ │ │ │ │ │ │электронно-вы- │
│ │ │ │ │ │ │ │числительной │
│ │ │ │ │ │ │ │техники и САLS-│
│ │ │ │ │ │ │ │технологий │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│228. │Создание комплекса│ 3 │ 8,6 │ 10 │ 29,4 │ 64,4 │обеспечение │
│ │измерительной │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │комплексных ис-│
│ │аппаратуры для│ 3 │ 8,6 │ 10 │ 29,4 │ 64,4 │пытаний и мет-│
│ │испытаний │ │ │ │ │ │рологической │
│ │инфракрасной техники│ │ │ │ │ │аттестации инф-│
│ │на базе ФГУП "НПО│ │ │ │ │ │ракрасной тех-│
│ │ГИПО", г.Казань,│ │ │ │ │ │ники двойного│
│ │Республика Татарстан│ │ │ │ │ │назначения на│
│ │ │ │ │ │ │ │базе новых тех-│
│ │ │ │ │ │ │ │нологий: изме-│
│ │ │ │ │ │ │ │рение спектро-│
│ │ │ │ │ │ │ │энергетических,│
│ │ │ │ │ │ │ │температурных и│
│ │ │ │ │ │ │ │частотных ха-│
│ │ │ │ │ │ │ │рактеристик │
│ │ │ │ │ │ │ │объектов │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XVII. Технологии обеспечения устойчивой и экологически чистой среды обитания │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│229. │Разработка базовых│ 10 │ 10 │ 11,6 │ 12 │ 12,4 │создание новой│
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │материальной │
│ │производства │ 5 │ 5 │ 5,8 │ 6 │ 6,2 │базы │
│ │фильтрующих, │ │ │ │ │ │специальных │
│ │сорбирующих, │ │ │ │ │ │материалов, │
│ │регенеративных и│ │ │ │ │ │продуктов, │
│ │защитных материалов│ │ │ │ │ │катализаторов, │
│ │многофункционального│ │ │ │ │ │спецпоглотите- │
│ │назначения для│ │ │ │ │ │лей, сорбентов│
│ │создания систем│ │ │ │ │ │для │
│ │очистки воздуха в│ │ │ │ │ │проектирования │
│ │производственных │ │ │ │ │ │средств и│
│ │помещениях, защиты│ │ │ │ │ │систем очистки│
│ │человека в│ │ │ │ │ │воздуха │
│ │экстремальных │ │ │ │ │ │(фильтрующего и│
│ │ситуациях, │ │ │ │ │ │изолирующего │
│ │применения в│ │ │ │ │ │типа), систем│
│ │медицинских целях │ │ │ │ │ │регенерации │
│ │ │ │ │ │ │ │воздуха; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │комфортности │
│ │ │ │ │ │ │ │пребывания в│
│ │ │ │ │ │ │ │средствах │
│ │ │ │ │ │ │ │защиты; │
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собность на│
│ │ │ │ │ │ │ │мировом рынке;│
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │материалоемкос-│
│ │ │ │ │ │ │ │ти и│
│ │ │ │ │ │ │ │энергоемкости │
│ │ │ │ │ │ │ │коллективных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств защиты│
│ │ │ │ │ │ │ │и систем│
│ │ │ │ │ │ │ │промочистки в│
│ │ │ │ │ │ │ │1,5-2 раза │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│230. │Разработка │ 3 │ 3 │ 3,6 │ 3,6 │ 3,8 │обеспечение │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │очистки │
│ │производства систем│ 1,5 │ 1,5 │ 1,8 │ 1,8 │ 1,9 │природной воды│
│ │водоочистки и│ │ │ │ │ │от механических│
│ │водоподготовки │ │ │ │ │ │примесей, │
│ │ │ │ │ │ │ │органических │
│ │ │ │ │ │ │ │соединений, │
│ │ │ │ │ │ │ │радиоактивных │
│ │ │ │ │ │ │ │элементов, │
│ │ │ │ │ │ │ │солей тяжелых│
│ │ │ │ │ │ │ │металлов; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │сорбентов, │
│ │ │ │ │ │ │ │обладающих │
│ │ │ │ │ │ │ │универсальными │
│ │ │ │ │ │ │ │свойствами, и│
│ │ │ │ │ │ │ │водоочиститель-│
│ │ │ │ │ │ │ │ных фильтров на│
│ │ │ │ │ │ │ │их основе;│
│ │ │ │ │ │ │ │возможность │
│ │ │ │ │ │ │ │многократной │
│ │ │ │ │ │ │ │регенерации │
│ │ │ │ │ │ │ │сорбентов в│
│ │ │ │ │ │ │ │процессе │
│ │ │ │ │ │ │ │эксплуатации, │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение срока│
│ │ │ │ │ │ │ │службы │
│ │ │ │ │ │ │ │сорбентов в 6-8│
│ │ │ │ │ │ │ │раз; снижение│
│ │ │ │ │ │ │ │массогабаритных│
│ │ │ │ │ │ │ │характеристик │
│ │ │ │ │ │ │ │универсальных │
│ │ │ │ │ │ │ │фильтров в│
│ │ │ │ │ │ │ │среднем в 2│
│ │ │ │ │ │ │ │раза; повышение│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурса работы│
│ │ │ │ │ │ │ │фильтров в │
│ │ │ │ │ │ │ │2-3 раза │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│231. │Исследования и│ 4,2 │ 4,2 │ 2,4 │ │ │предотвращение │
│ │разработка │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │вредных │
│ │технологий │ 2,1 │ 2,1 │ 1,2 │ │ │выбросов в│
│ │реактивации и│ │ │ │ │ │окружающую │
│ │утилизации, │ │ │ │ │ │среду путем│
│ │позволяющих │ │ │ │ │ │утилизации │
│ │исключить │ │ │ │ │ │крупнотоннажных│
│ │загрязнение │ │ │ │ │ │отходов │
│ │окружающей среды│ │ │ │ │ │предприятий │
│ │вредными выбросами,│ │ │ │ │ │водоочистки и│
│ │обеспечить │ │ │ │ │ │водоподготовки,│
│ │рекультивацию │ │ │ │ │ │предприятий │
│ │загрязненных земель │ │ │ │ │ │химико-фармаце-│
│ │ │ │ │ │ │ │втической │
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности,│
│ │ │ │ │ │ │ │предприятий с│
│ │ │ │ │ │ │ │угольно-сорбци-│
│ │ │ │ │ │ │ │онной │
│ │ │ │ │ │ │ │технологией │
│ │ │ │ │ │ │ │извлечения │
│ │ │ │ │ │ │ │благородных │
│ │ │ │ │ │ │ │металлов; │
│ │ │ │ │ │ │ │снижение затрат│
│ │ │ │ │ │ │ │на применение│
│ │ │ │ │ │ │ │сорбентов на│
│ │ │ │ │ │ │ │70-80 │
│ │ │ │ │ │ │ │процентов; │
│ │ │ │ │ │ │ │повышение │
│ │ │ │ │ │ │ │урожайности │
│ │ │ │ │ │ │ │сельскохозяйст-│
│ │ │ │ │ │ │ │венных культур│
│ │ │ │ │ │ │ │на 15-80│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов, │
│ │ │ │ │ │ │ │получение │
│ │ │ │ │ │ │ │экологически │
│ │ │ │ │ │ │ │чистой │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции │
│ │ │ │ │ │ │ │растениеводст- │
│ │ │ │ │ │ │ │ва, улучшение│
│ │ │ │ │ │ │ │качества кормов│
│ │ │ │ │ │ │ │в │
│ │ │ │ │ │ │ │животноводстве;│
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │экологической │
│ │ │ │ │ │ │ │нагрузки в│
│ │ │ │ │ │ │ │местах │
│ │ │ │ │ │ │ │хранения, │
│ │ │ │ │ │ │ │применения и│
│ │ │ │ │ │ │ │удаления из│
│ │ │ │ │ │ │ │ракет │
│ │ │ │ │ │ │ │компонентов │
│ │ │ │ │ │ │ │ракетного │
│ │ │ │ │ │ │ │топлива │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│232. │Исследования и│ 6,6 │ 6,6 │ 7,6 │ 8 │ 8,2 │мониторинг │
│ │разработка │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │окружающей │
│ │технологий │ 3,3 │ 3,3 │ 3,8 │ 4 │ 4,1 │среды │
│ │обнаружения и│ │ │ │ │ │(неорганичес- │
│ │предупреждения │ │ │ │ │ │ких, │
│ │аварийных ситуаций│ │ │ │ │ │элементоргани- │
│ │на основе│ │ │ │ │ │ческих, │
│ │перевозных, │ │ │ │ │ │галоидорганиче-│
│ │переносных и│ │ │ │ │ │ских, │
│ │стационарных │ │ │ │ │ │фосфорорганиче-│
│ │приборов и установок│ │ │ │ │ │ских │
│ │с использованием│ │ │ │ │ │нитросоединений│
│ │метода конденсации│ │ │ │ │ │и др.);│
│ │молекулярных ядер │ │ │ │ │ │дистанционное │
│ │ │ │ │ │ │ │наблюдение за│
│ │ │ │ │ │ │ │объектами │
│ │ │ │ │ │ │ │(например, │
│ │ │ │ │ │ │ │газопроводами) │
│ │ │ │ │ │ │ │с подвижной│
│ │ │ │ │ │ │ │техники; │
│ │ │ │ │ │ │ │определение │
│ │ │ │ │ │ │ │взрывчатых │
│ │ │ │ │ │ │ │веществ; │
│ │ │ │ │ │ │ │контроль │
│ │ │ │ │ │ │ │изделий высшей│
│ │ │ │ │ │ │ │категории │
│ │ │ │ │ │ │ │герметичности │
│ │ │ │ │ │ │ │(ТВЭЛы АЭС,│
│ │ │ │ │ │ │ │трасс-газопро- │
│ │ │ │ │ │ │ │воды, топливные│
│ │ │ │ │ │ │ │системы │
│ │ │ │ │ │ │ │самолетов); │
│ │ │ │ │ │ │ │контроль │
│ │ │ │ │ │ │ │технологии │
│ │ │ │ │ │ │ │производства │
│ │ │ │ │ │ │ │особо чистых│
│ │ │ │ │ │ │ │веществ; │
│ │ │ │ │ │ │ │определение │
│ │ │ │ │ │ │ │микропримесей в│
│ │ │ │ │ │ │ │чистых │
│ │ │ │ │ │ │ │помещениях; │
│ │ │ │ │ │ │ │неразрушающий │
│ │ │ │ │ │ │ │контроль │
│ │ │ │ │ │ │ │средств защиты│
│ │ │ │ │ │ │ │и др. │
│ │ │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│233. │Развитие технологий│ 2 │ 2 │ 2 │ 2,4 │ 2,4 │получение │
│ │наблюдения за│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │информации о│
│ │состоянием природной│ 1 │ 1 │ 1 │ 1,2 │ 1,2 │состоянии │
│ │среды │ │ │ │ │ │природной среды│
│ │ │ │ │ │ │ │для более│
│ │ │ │ │ │ │ │точного │
│ │ │ │ │ │ │ │составления │
│ │ │ │ │ │ │ │долгосрочного │
│ │ │ │ │ │ │ │прогноза │
│ │ │ │ │ │ │ │погоды; │
│ │ │ │ │ │ │ │моделирование │
│ │ │ │ │ │ │ │переноса │
│ │ │ │ │ │ │ │загрязняющих │
│ │ │ │ │ │ │ │веществ; │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │управления │
│ │ │ │ │ │ │ │информационными│
│ │ │ │ │ │ │ │ресурсами в│
│ │ │ │ │ │ │ │области │
│ │ │ │ │ │ │ │природопользо- │
│ │ │ │ │ │ │ │вания в единой│
│ │ │ │ │ │ │ │системе, что│
│ │ │ │ │ │ │ │сократит │
│ │ │ │ │ │ │ │расходы на│
│ │ │ │ │ │ │ │сбор, хранение│
│ │ │ │ │ │ │ │и обработку│
│ │ │ │ │ │ │ │отраслевых │
│ │ │ │ │ │ │ │банков данных │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│234. │Разработка базовых│ 12,8 │ 12,8 │ 9,6 │ 15,4 │ 16,2 │повышение │
│ │технологий по│ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │качества и│
│ │обеспечению │ 6,4 │ 6,4 │ 4,8 │ 7,7 │ 8,1 │безопасности │
│ │устойчивой │ │ │ │ │ │среды │
│ │экологически чистой│ │ │ │ │ │жизнедеятельно-│
│ │среды │ │ │ │ │ │сти, повышение│
│ │жизнедеятельности │ │ │ │ │ │эффективности │
│ │общества средствами│ │ │ │ │ │инвестиций в│
│ │градостроительства │ │ │ │ │ │градостроитель-│
│ │ │ │ │ │ │ │ство в 2-3│
│ │ │ │ │ │ │ │раза; снижение│
│ │ │ │ │ │ │ │энергопотреб- │
│ │ │ │ │ │ │ │ления в│
│ │ │ │ │ │ │ │градостроитель-│
│ │ │ │ │ │ │ │стве, новом│
│ │ │ │ │ │ │ │строительстве и│
│ │ │ │ │ │ │ │реконструкции │
│ │ │ │ │ │ │ │до 40│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов; │
│ │ │ │ │ │ │ │экономический │
│ │ │ │ │ │ │ │эффект от│
│ │ │ │ │ │ │ │использования │
│ │ │ │ │ │ │ │новых типов│
│ │ │ │ │ │ │ │зданий в│
│ │ │ │ │ │ │ │размере 70-80│
│ │ │ │ │ │ │ │млн. рублей;│
│ │ │ │ │ │ │ │снижение │
│ │ │ │ │ │ │ │трудозатрат при│
│ │ │ │ │ │ │ │монтаже в 5-10│
│ │ │ │ │ │ │ │раз; сокращение│
│ │ │ │ │ │ │ │ввоза сырьевых│
│ │ │ │ │ │ │ │материалов │
│ │ │ │ │ │ │ │из-за рубежа в│
│ │ │ │ │ │ │ │2-2,5 раза;│
│ │ │ │ │ │ │ │замена до 20│
│ │ │ │ │ │ │ │процентов │
│ │ │ │ │ │ │ │природного │
│ │ │ │ │ │ │ │топлива │
│ │ │ │ │ │ │ │топливосодержа-│
│ │ │ │ │ │ │ │щими отходами │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ Инвестиционные проекты (капитальные вложения) │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│235. │Создание │ 1 │ │ - │ - │ - │отработка │
│ │экспериментальной │ ─── │ │ │ │ │лазерной │
│ │базы для│ 1 │ │ │ │ │технологии │
│ │исследования нового│ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │способа лазерной│ │ │ │ │ │экологически │
│ │дезактивации │ │ │ │ │ │чистой │
│ │материалов ФГУП│ │ │ │ │ │дезактивации │
│ │"ВНИИНМ имени│ │ │ │ │ │поверхности │
│ │академика А.А.│ │ │ │ │ │материалов, │
│ │Бочвара", г.Москва │ │ │ │ │ │загрязненных │
│ │ │ │ │ │ │ │радиоактивными │
│ │ │ │ │ │ │ │веществами │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XVIII. Технологии подготовки кадров для национальной технологической базы │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│236. │Научно-методическое │ 10,2 │ 10,2 │ 11,8 │ 12,4 │ 12,8 │создание │
│ │сопровождение │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │государственной│
│ │подготовки кадров│ 5,1 │ 5,1 │ 5,9 │ 6,2 │ 6,4 │системы │
│ │для промышленных│ │ │ │ │ │кадрового │
│ │предприятий, │ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │организаций и│ │ │ │ │ │национальной │
│ │научных учреждений,│ │ │ │ │ │технологической│
│ │реализующих базовые│ │ │ │ │ │базы, │
│ │технологические │ │ │ │ │ │определяющей │
│ │направления │ │ │ │ │ │условия │
│ │федеральной целевой│ │ │ │ │ │взаимодействия │
│ │программы │ │ │ │ │ │учебных │
│ │"Национальная │ │ │ │ │ │заведений с│
│ │технологическая │ │ │ │ │ │промышленными │
│ │база" на 2002 - 2006│ │ │ │ │ │предприятиями, │
│ │годы │ │ │ │ │ │организациями, │
│ │ │ │ │ │ │ │научными │
│ │ │ │ │ │ │ │учреждениями, │
│ │ │ │ │ │ │ │органами их│
│ │ │ │ │ │ │ │управления │
│ │ │ │ │ │ │ │федерального и│
│ │ │ │ │ │ │ │регионального │
│ │ │ │ │ │ │ │уровня, по│
│ │ │ │ │ │ │ │вопросам │
│ │ │ │ │ │ │ │совместной │
│ │ │ │ │ │ │ │целевой │
│ │ │ │ │ │ │ │подготовки │
│ │ │ │ │ │ │ │специалистов, в│
│ │ │ │ │ │ │ │том числе и│
│ │ │ │ │ │ │ │специалистов по│
│ │ │ │ │ │ │ │критическим │
│ │ │ │ │ │ │ │технологиям; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │учебно-научно- │
│ │ │ │ │ │ │ │производствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ных центров на│
│ │ │ │ │ │ │ │базе │
│ │ │ │ │ │ │ │предприятий, │
│ │ │ │ │ │ │ │организаций и│
│ │ │ │ │ │ │ │учреждений -│
│ │ │ │ │ │ │ │головных │
│ │ │ │ │ │ │ │организаций по│
│ │ │ │ │ │ │ │разделам │
│ │ │ │ │ │ │ │Программы; │
│ │ │ │ │ │ │ │организация │
│ │ │ │ │ │ │ │опережающей │
│ │ │ │ │ │ │ │целевой │
│ │ │ │ │ │ │ │подготовки │
│ │ │ │ │ │ │ │научных и│
│ │ │ │ │ │ │ │инженерно-тех- │
│ │ │ │ │ │ │ │нических кадров│
│ │ │ │ │ │ │ │по приоритетным│
│ │ │ │ │ │ │ │направлениям │
│ │ │ │ │ │ │ │науки, техники│
│ │ │ │ │ │ │ │и технологий, в│
│ │ │ │ │ │ │ │том числе в│
│ │ │ │ │ │ │ │рамках │
│ │ │ │ │ │ │ │государственно-│
│ │ │ │ │ │ │ │го плана│
│ │ │ │ │ │ │ │подготовки │
│ │ │ │ │ │ │ │инженерных и│
│ │ │ │ │ │ │ │научных кадров│
│ │ │ │ │ │ │ │для отраслей│
│ │ │ │ │ │ │ │промышленности │
│ │ │ │ │ │ │ │(в соответствии│
│ │ │ │ │ │ │ │с │
│ │ │ │ │ │ │ │постановлением │
│ │ │ │ │ │ │ │Правительства │
│ │ │ │ │ │ │ │Российской │
│ │ │ │ │ │ │ │Федерации от 24│
│ │ │ │ │ │ │ │января 2001 г.│
│ │ │ │ │ │ │ │N 53);│
│ │ │ │ │ │ │ │предоставление │
│ │ │ │ │ │ │ │дополнительных │
│ │ │ │ │ │ │ │образовательных│
│ │ │ │ │ │ │ │услуг студентам│
│ │ │ │ │ │ │ │и специалистам,│
│ │ │ │ │ │ │ │включая │
│ │ │ │ │ │ │ │дополнительное │
│ │ │ │ │ │ │ │(второе) │
│ │ │ │ │ │ │ │образование; │
│ │ │ │ │ │ │ │открытие и│
│ │ │ │ │ │ │ │расширение в│
│ │ │ │ │ │ │ │вузах целевой│
│ │ │ │ │ │ │ │подготовки │
│ │ │ │ │ │ │ │специалистов по│
│ │ │ │ │ │ │ │технологическим│
│ │ │ │ │ │ │ │направлениям │
│ │ │ │ │ │ │ │Программы; │
│ │ │ │ │ │ │ │организация │
│ │ │ │ │ │ │ │стажировок │
│ │ │ │ │ │ │ │студентов, │
│ │ │ │ │ │ │ │аспирантов и│
│ │ │ │ │ │ │ │специалистов в│
│ │ │ │ │ │ │ │ведущих │
│ │ │ │ │ │ │ │российских и│
│ │ │ │ │ │ │ │иностранных │
│ │ │ │ │ │ │ │университетах и│
│ │ │ │ │ │ │ │фирмах │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│237. │Разработка базовых│ 6 │ 6 │ 3,8 │ │ │разработка │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ │ │научно-методи- │
│ │подготовки кадров│ 3 │ 3 │ 1,9 │ │ │ческой │
│ │для развития│ │ │ │ │ │документации, │
│ │национальной │ │ │ │ │ │регламентирую- │
│ │технологической базы│ │ │ │ │ │щей целевую│
│ │ │ │ │ │ │ │подготовку │
│ │ │ │ │ │ │ │кадров; │
│ │ │ │ │ │ │ │восстановление │
│ │ │ │ │ │ │ │традиционных │
│ │ │ │ │ │ │ │форм │
│ │ │ │ │ │ │ │сотрудничества │
│ │ │ │ │ │ │ │между вузами и│
│ │ │ │ │ │ │ │предприятиями -│
│ │ │ │ │ │ │ │участниками │
│ │ │ │ │ │ │ │Программы │
│ │ │ │ │ │ │ │(организация │
│ │ │ │ │ │ │ │производствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ной практики,│
│ │ │ │ │ │ │ │деятельности │
│ │ │ │ │ │ │ │отраслевых │
│ │ │ │ │ │ │ │факультетов и│
│ │ │ │ │ │ │ │лабораторий, │
│ │ │ │ │ │ │ │базовых кафедр│
│ │ │ │ │ │ │ │и филиалов│
│ │ │ │ │ │ │ │кафедр, │
│ │ │ │ │ │ │ │передача │
│ │ │ │ │ │ │ │научного │
│ │ │ │ │ │ │ │оборудования │
│ │ │ │ │ │ │ │вузам c баланса│
│ │ │ │ │ │ │ │на баланс);│
│ │ │ │ │ │ │ │научно-методи- │
│ │ │ │ │ │ │ │ческое │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │военно-техниче-│
│ │ │ │ │ │ │ │ского │
│ │ │ │ │ │ │ │сотрудничества │
│ │ │ │ │ │ │ │и экспорта│
│ │ │ │ │ │ │ │конкурентоспо- │
│ │ │ │ │ │ │ │собной │
│ │ │ │ │ │ │ │наукоемкой │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции │
│ │ │ │ │ │ │ │предприятий -│
│ │ │ │ │ │ │ │участников │
│ │ │ │ │ │ │ │Программы │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│238. │Разработка │ 2,8 │ 2,8 │ 3,4 │ 3,4 │ 3,6 │базовые │
│ │технологий │ ───── │ ────── │ ───── │ ───── │ ──── │технологии │
│ │профессиональной │ 1,4 │ 1,4 │ 1,7 │ 1,7 │ 1,8 │довузовской │
│ │ориентации и│ │ │ │ │ │подготовки; │
│ │довузовской │ │ │ │ │ │научно-методи- │
│ │подготовки учащейся│ │ │ │ │ │ческое │
│ │и работающей│ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │молодежи │ │ │ │ │ │профориентацио-│
│ │ │ │ │ │ │ │нной работы с│
│ │ │ │ │ │ │ │молодежью; │
│ │ │ │ │ │ │ │организация и│
│ │ │ │ │ │ │ │проведение │
│ │ │ │ │ │ │ │международных и│
│ │ │ │ │ │ │ │всероссийских │
│ │ │ │ │ │ │ │научно-техниче-│
│ │ │ │ │ │ │ │ских │
│ │ │ │ │ │ │ │конференций, │
│ │ │ │ │ │ │ │конкурсов и│
│ │ │ │ │ │ │ │семинаров │
│ │ │ │ │ │ │ │учащейся │
│ │ │ │ │ │ │ │молодежи, │
│ │ │ │ │ │ │ │студентов и│
│ │ │ │ │ │ │ │молодых ученых │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XIX. Комплекс мер, направленных на повышение конкурентоспособности отечественных │
│ технологий, продукции и их научно-технического уровня на основе внедрения международных│
│ стандартов качества и сертификации │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Прочие нужды │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│239. │Разработка │ - │ │ 1,2 │ - │ - │правовая и│
│ │нормативных правовых│ │ │ ───── │ │ │нормативная │
│ │актов по│ │ │ 1,2 │ │ │регламентация │
│ │стандартизации, │ │ │ │ │ │деятельности по│
│ │сертификации, │ │ │ │ │ │разработке │
│ │метрологии, │ │ │ │ │ │стандартов, │
│ │подтверждению │ │ │ │ │ │обеспечению │
│ │соответствия и│ │ │ │ │ │единства │
│ │аккредитации, │ │ │ │ │ │измерений, │
│ │повышению │ │ │ │ │ │аккредитации │
│ │ответственности │ │ │ │ │ │органов по│
│ │производителя за│ │ │ │ │ │сертификации, │
│ │качество и│ │ │ │ │ │подтверждению │
│ │безопасность │ │ │ │ │ │соответствия │
│ │продукции │ │ │ │ │ │продукции │
│ │ │ │ │ │ │ │(работ, услуг)│
│ │ │ │ │ │ │ │установленным │
│ │ │ │ │ │ │ │требованиям в│
│ │ │ │ │ │ │ │интересах │
│ │ │ │ │ │ │ │повышения │
│ │ │ │ │ │ │ │качества │
│ │ │ │ │ │ │ │российской │
│ │ │ │ │ │ │ │наукоемкой │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции и│
│ │ │ │ │ │ │ │защиты │
│ │ │ │ │ │ │ │российского │
│ │ │ │ │ │ │ │рынка от│
│ │ │ │ │ │ │ │некачественной │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│240. │Разработка комплекса│ - │ │ 2,5 │ │ │государственные│
│ │государственных и │ │ │ ───── │ │ │стандарты, │
│ │межгосударственных │ │ │ 2,5 │ │ │устанавливающие│
│ │стандартов в области│ │ │ │ │ │требования к│
│ │наукоемких │ │ │ │ │ │технологической│
│ │технологий и│ │ │ │ │ │продукции и│
│ │продукции, │ │ │ │ │ │услугам, │
│ │создаваемых в│ │ │ │ │ │создаваемым в│
│ │результате │ │ │ │ │ │результате │
│ │реализации │ │ │ │ │ │реализации │
│ │федеральной целевой│ │ │ │ │ │мероприятий │
│ │программы │ │ │ │ │ │Программы │
│ │"Национальная │ │ │ │ │ │ │
│ │технологическая │ │ │ │ │ │ │
│ │база" на 2002 - 2006│ │ │ │ │ │ │
│ │годы │ │ │ │ │ │ │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│241. │Разработка и│ - │ │ 3,1 │ │ │комплект │
│ │стандартизация │ │ │ ───── │ │ │стандартов, │
│ │компьютерных │ │ │ 3,1 │ │ │регламентирую- │
│ │технологий и систем│ │ │ │ │ │щих структуру и│
│ │управления качеством│ │ │ │ │ │функции систем│
│ │продукции │ │ │ │ │ │управления │
│ │предприятий, │ │ │ │ │ │качеством │
│ │соответствующих │ │ │ │ │ │продукции (КС│
│ │требованиям новых│ │ │ │ │ │УКП). │
│ │международных │ │ │ │ │ │Компьютерные │
│ │стандартов ИСО серии│ │ │ │ │ │системы │
│ │9000 версии 2000│ │ │ │ │ │управления │
│ │года и│ │ │ │ │ │качеством │
│ │CALS-стандартам │ │ │ │ │ │продукции, │
│ │ │ │ │ │ │ │соответствующие│
│ │ │ │ │ │ │ │требованиям │
│ │ │ │ │ │ │ │современной │
│ │ │ │ │ │ │ │системы │
│ │ │ │ │ │ │ │международных │
│ │ │ │ │ │ │ │стандартов; │
│ │ │ │ │ │ │ │сертификация │
│ │ │ │ │ │ │ │созданных │
│ │ │ │ │ │ │ │типовых КС УКП│
│ │ │ │ │ │ │ │и организация│
│ │ │ │ │ │ │ │их │
│ │ │ │ │ │ │ │широкомасштаб- │
│ │ │ │ │ │ │ │ного │
│ │ │ │ │ │ │ │тиражирования │
│ │ │ │ │ │ │ │на │
│ │ │ │ │ │ │ │реформируемых │
│ │ │ │ │ │ │ │предприятиях и │
│ │ │ │ │ │ │ │в создаваемых │
│ │ │ │ │ │ │ │интегрированных│
│ │ │ │ │ │ │ │корпоративных │
│ │ │ │ │ │ │ │структурах │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│242. │Создание и│ - │ │ 1 │ │ │информационные │
│ │обеспечение │ │ │ ───── │ │ │ресурсы в│
│ │функционирования │ │ │ 1 │ │ │области │
│ │информационной │ │ │ │ │ │стандартизации,│
│ │системы, в том числе│ │ │ │ │ │метрологии, │
│ │баз и банков данных,│ │ │ │ │ │подтверждения │
│ │по техническим│ │ │ │ │ │соответствия, │
│ │регламентам и│ │ │ │ │ │аккредитации и │
│ │нормативным │ │ │ │ │ │качества │
│ │документам в│ │ │ │ │ │продукции; │
│ │соответствии с│ │ │ │ │ │предоставление │
│ │положениями │ │ │ │ │ │доступа к│
│ │соглашений ВТО │ │ │ │ │ │информационным │
│ │ │ │ │ │ │ │ресурсам │
│ │ │ │ │ │ │ │широкому кругу │
│ │ │ │ │ │ │ │российских и│
│ │ │ │ │ │ │ │иностранных │
│ │ │ │ │ │ │ │потребителей; │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечение │
│ │ │ │ │ │ │ │ответов на│
│ │ │ │ │ │ │ │запросы стран │
│ │ │ │ │ │ │ │- членов ВТО по│
│ │ │ │ │ │ │ │техническим │
│ │ │ │ │ │ │ │регламентам, │
│ │ │ │ │ │ │ │государствен- │
│ │ │ │ │ │ │ │ным стандартам│
│ │ │ │ │ │ │ │и системам│
│ │ │ │ │ │ │ │подтверждения │
│ │ │ │ │ │ │ │соответствия │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│243. │Разработка │ - │ │ 1,5 │ │ │аккредитация │
│ │эффективных │ │ │ ───── │ │ │органов по│
│ │механизмов │ │ │ 1,5 │ │ │сертификации │
│ │сертификации │ │ │ │ │ │систем качест-│
│ │российских систем│ │ │ │ │ │ва и │
│ │качества, │ │ │ │ │ │испытательных │
│ │базирующихся на│ │ │ │ │ │лабораторий в│
│ │международном опыте│ │ │ │ │ │иностранных │
│ │и обеспечивающих их│ │ │ │ │ │системах │
│ │международное │ │ │ │ │ │сертификации и│
│ │признание │ │ │ │ │ │заключение │
│ │ │ │ │ │ │ │соглашений о│
│ │ │ │ │ │ │ │взаимном │
│ │ │ │ │ │ │ │признании │
│ │ │ │ │ │ │ │результатов │
│ │ │ │ │ │ │ │сертификации и │
│ │ │ │ │ │ │ │испытаний; │
│ │ │ │ │ │ │ │создание │
│ │ │ │ │ │ │ │благоприятных │
│ │ │ │ │ │ │ │условий для│
│ │ │ │ │ │ │ │продвижения │
│ │ │ │ │ │ │ │российской │
│ │ │ │ │ │ │ │наукоемкой │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции на│
│ │ │ │ │ │ │ │международные │
│ │ │ │ │ │ │ │рынки │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│244. │Создание нового│ - │ │ 38,8 │ │ - │повышение │
│ │поколения эталонов и│ │ │ ───── │ │ │точности │
│ │стандартов измерений│ │ │ 19,4 │ │ │измерения, │
│ │в области│ │ │ │ │ │совершенствова-│
│ │гравиметрии, │ │ │ │ │ │ние │
│ │оптического и│ │ │ │ │ │метрологичес- │
│ │электромагнитного │ │ │ │ │ │кого оснащения│
│ │излучения, измерения│ │ │ │ │ │промышленности │
│ │частоты и времени │ │ │ │ │ │в интересах│
│ │ │ │ │ │ │ │повышения │
│ │ │ │ │ │ │ │качества │
│ │ │ │ │ │ │ │выпускаемой │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции и │
│ │ │ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │ │ │ │ │ │ │технологичес- │
│ │ │ │ │ │ │ │кой │
│ │ │ │ │ │ │ │безопасности │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│245. │Исследование влияния│ - │ │ 0,7 │ │ │разработка │
│ │качества продукции и│ │ │ ───── │ │ │предложений по│
│ │услуг на реализацию│ │ │ 0,7 │ │ │направлениям │
│ │национальных │ │ │ │ │ │государственной│
│ │интересов России в│ │ │ │ │ │политики в│
│ │экономической, │ │ │ │ │ │области │
│ │социальной, военной│ │ │ │ │ │обеспечения │
│ │и других сферах │ │ │ │ │ │высокого │
│ │ │ │ │ │ │ │качества │
│ │ │ │ │ │ │ │продукции и│
│ │ │ │ │ │ │ │услуг, │
│ │ │ │ │ │ │ │производимых │
│ │ │ │ │ │ │ │российскими │
│ │ │ │ │ │ │ │предприятиями │
├────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┤
│ XX. Прогнозные исследования, мониторинг состояния, │
│ выявление проблем сохранения и развития технологий │
├────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ Прочие нужды │
├────────┬────────────────────┬───────┬────────┬───────┬────────┬────────┬───────────────┤
│246. │Прогнозные │ - │ 6,9 │ 27 │ │ │определение и│
│ │исследования и│ │ ────── │ ───── │ │ │обоснование │
│ │обоснование │ │ 6,9 │ 13,5 │ │ │приоритетов в│
│ │приоритетов в│ │ │ │ │ │области │
│ │области │ │ │ │ │ │критических │
│ │технологического │ │ │ │ │ │базовых │
│ │развития │ │ │ │ │ │технологий, │
│ │ │ │ │ │ │ │подготовка │
│ │ │ │ │ │ │ │рекомендаций по│
│ │ │ │ │ │ │ │потребному │
│ │ │ │ │ │ │ │объему и│
│ │ │ │ │ │ │ │распределению │
│ │ │ │ │ │ │ │бюджетных │
│ │ │ │ │ │ │ │средств │
├────────┼────────────────────┼───────┼────────┼───────┼────────┼────────┼───────────────┤
│247. │Разработка и│ - │ │ 17,9 │ │ │создание │
│ │обеспечение │ │ │ ───── │ │ │информационной │
│ │функционирования │ │ │ 17,9 │ │ │системы, │
│ │информационной │ │ │ │ │ │обеспечивающей │
│ │системы обеспечения│ │ │ │ │ │оперативный │
│ │реализации Программы│ │ │ │ │ │контроль хода и│
│ │ │ │ │ │ │ │результатов │
│ │ │ │ │ │ │ │работ по│
│ │ │ │ │ │ │ │реализации │
│ │ │ │ │ │ │ │Программы │
└────────┴────────────────────┴───────┴────────┴───────┴────────┴────────┴───────────────┘
┌────────────────────────────────────────────────────────────────────────┬───────────────┐
______________________________
* В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - объем финансирования из федерального бюджета.
Приложение N 2
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая база" на 2002 - 2006 годы

Структура и источники финансирования федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002 - 2006 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
Стоимость
2002 - 2006 годы - всего
в том числе
2002 год
2003 год
2004 год
2005 год
2006 год
Подпрограмма
1050
_____
700
0
_____
0
0
_____
0
0
_____
0
525
_____
350
525
_____
350
НИОКР
14070
_____
7110
2000
_____
1000
2420
_____
1210
2420
_____
1210
2745
_____
1410
4485
_____
2280
из них подпрограмма
450
_____
300
0
_____
0
0
_____
0
0
_____
0
225
_____
150
225
_____
150
Капитальные вложения
2778,4
_____
2578,4
307,3
_____
307,3
297,3
_____
297,3
245,8
_____
245,8
774
_____
674
1154
_____
1054
из них подпрограмма
600
_____
400
0
_____
0
0
_____
0
0
_____
0
300
_____
200
300
_____
200
Прочие нужды
60,8
_____
60,8
0
_____
0
60,8
_____
60,8
0
_____
0
0
_____
0
0
_____
0
Всего
16909,2*
_____
9749,2
2307,3
_____
1307,3
2717,3
_____
1507,3
2726,6
_____
1516,6
3519
_____
2084
5639
_____
3334
_____________________________
* В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - объем финансирования за счет средств федерального бюджета.