Примечание 1 - Требования и испытания основываются на требованиях IEC 60664-1.
Предполагается, что для АВО применимы следующие условия:
- категория перенапряжения II;
- степень загрязнения 2.
Примечание 2 - АВО могут быть спроектированы для иных категорий перенапряжения и степени загрязнения.
Примечание 3 - Расстояния утечки не могут быть менее чем аналогичные зазоры, так как малые расстояния утечек, возможно, аналогичны установленным зазорам.
Дополнительные требования к зазорам и расстояниям утечки для АВО, пригодных к разъединению, приведены в L.8.1.3.
8.1.3.1 Зазоры АВО должны быть достаточного размера, чтобы аппарат мог противостоять номинальному импульсному выдерживаемому напряжению согласно 5.2.1.3, назначенному изготовителем в соответствии с номинальным напряжением и категорией перенапряжения, указанными в таблице H.1 (приложение Н).
Размеры, указанные в таблице 1, применяются при проведении испытаний на устойчивость к импульсному выдерживаемому напряжению.
Примечание - Соотношение между номинальным напряжением источника питания и напряжением между линией и нейтралью для назначения номинального импульсного напряжения установлено в приложении Н.
8.1.3.1.1 Зазоры для основной изоляции
Зазоры для основной изоляции не должны быть меньше значений, указанных в таблице 1. Меньшие значения могут быть назначены, если АВО удовлетворяет испытаниям устойчивости к импульсному выдерживаемому напряжению по 9.7.6, но только в отношении жестких или формованных отливкой частей или если конструкция не будет изменять размеры, деформироваться при воздействии на части при монтаже, присоединении и обслуживании в условиях нормального применения и АВО более не будет соответствовать требованиям к испытаниям устойчивости к импульсному выдерживаемому напряжению.
Соответствие проверяют измерениями или необходимыми испытаниями по 9.7.6.
8.1.3.1.2 Зазоры для функциональной изоляции
Зазоры для функциональной изоляции не должны быть меньше значений, указанных в таблице 1. Меньшие значения могут быть назначены для условий, указанных для основной изоляции.
Соответствие проверяют измерениями или необходимыми испытаниями по 9.7.6.
Таблица 1 - Минимальные зазоры для основной и усиленной изоляции
Номинальное импульсное выдерживаемое напряжение  , В | Минимальный зазор  , мм | |||||
для основной изоляции в зависимости от степени загрязнения | для усиленной изоляции в зависимости от степени загрязнения | |||||
1 | 2 (см. 8.1.3) | 3 | 1 | 2 (см. 8.1.3) | 3 | |
330 | 0,01 | 0,2  | 0,8 | 0,04 | 0,2 | 0,8 |
500 | 0,04 | 0,2 | 0,8 | 0,10 | 0,2 | 0,8 |
800 | 0,10 | 0,2 | 0,8 | 0,50 | 0,5 | 0,8 |
1500 | 0,50 | 0,5 | 0,8 | 1,50 | 1,5 | 1,5 |
2500 | 1,50 | 1,5 | 1,5 | 3,00 | 3,0 | 3,0 |
4000 | 3,00 | 3,0 | 3,0 | 5,50 | 5,5 | 5,5 |
6000 | 5,50 | 5,5 | 5,5 | 8,00 | 8,0 | 8,0 |
 Данные напряжения являются:- для функциональной изоляции - максимальным импульсным напряжением, прикладываемым параллельно зазорам;- для доступных частей основной изоляции или подверженной воздействию кратковременных перенапряжений от источника питания - максимальным импульсным выдерживаемым напряжением АВО;- для недоступных частей основной изоляции или подверженной воздействию кратковременных перенапряжений от источника питания - максимальным импульсным напряжением, прикладываемым к цепи. Для печатных плат АВО применяются значения для 1-й степени загрязнения, исключая то, что значение не должно быть менее 0,04 мм. Значения минимальных зазоров, вероятнее всего, приняты на основе фундаментальных исследований. Для АВО допустимы растворы контактов менее чем установленные минимальные зазоры, но при этом должна быть маркировка символа " ". | ||||||
8.1.3.1.3 Зазоры для дополнительной изоляции
Зазоры для дополнительной изоляции не могут быть меньше значений, установленных в 8.1.3.1.1 для основной изоляции, исключая то, что уменьшение значений установленных в таблице 1 не допускается.
Соответствие проверяют измерениями.
Примечание - Дополнительная изоляция применяется совместно с базовой изоляцией.
8.1.3.1.4 Зазоры для усиленной изоляции
Зазоры для усиленной изоляции не могут быть меньше значений, указанных в таблице 1.
8.1.3.1.5 Зазоры, применяемые для микроразъединения
Зазоры, применяемые для микроразъединения, должны быть назначены в зависимости от устойчивости к временным перенапряжениям (см. 3.4.4).
Соответствие проверяют испытаниями по 9.11.1.3.
8.1.3.1.6 Зазоры, применяемые для полного разъединения
Зазоры, применяемые для полного разъединения, должны быть назначены в зависимости от устойчивости к кратковременным перенапряжениям. Они не могут быть меньше значений, указанных в таблице 1 для основной изоляции. Меньшие размеры промежутков могут быть применены, если АВО после испытаний по 9.9 и 9.11 способен выдерживать испытание на устойчивость к импульсным выдерживаемым напряжениям при разомкнутом состоянии контактов.
Соответствие проверяют измерениями или необходимыми испытаниями по 9.7.6.
8.1.3.2 Расстояния утечки
Расстояния утечки AВО не должны быть менее чем необходимые для устойчивости к напряжениям, прикладываемым при нормальном применении с учетом оценки группы материалов и степени загрязнения.
8.1.3.2.1 Расстояния утечки для основной изоляции
Расстояния утечки для основной изоляции не должны быть менее значений, указанных в таблице 2.
Примечание - Расстояния утечки не должны быть меньше соответствующих зазоров.
Соотношения между группами материалов и контрольными индексами трекингостойкости (КИТ) имеют следующие значения:
| материалы группы I | 600 КИТ; |
| материалы группы II | 400 КИТ<600 |
| материалы группы III а | 175 КИТ<400; |
| материалы группы III b | 100 КИТ<175. |
Для печатных плат применяются значения сравнительного индекса трекингостойкости (СИТ).
Примечание - Значения СИТ берутся из [2], применяется раствор А.
Соответствие проверяют измерениями.
8.1.3.2.2 Расстояния утечки для функциональной изоляции
Расстояния утечки для функциональной изоляции не должны быть менее значений, указанных в таблице 2.
Соответствие проверяют измерениями.
Примечание - Для стекла, керамики и других неорганических материалов, которые не подвержены воздействию трекинга, расстояния утечки не должны быть больше, чем аналогичные зазоры.
8.1.3.2.3 Расстояния утечки для дополнительной изоляции
Расстояния утечки для дополнительной изоляции не должны быть менее значений, указанных для основной изоляции.
Соответствие проверяют измерениями.
8.1.3.2.4 Расстояния утечки для усиленной изоляции
Расстояния утечки для усиленной изоляции не должны быть менее значений, указанных для основной изоляции.
Соответствие проверяют измерениями.