пункт 2.5.1 дополнить примечанием следующего содержания:
| "Примечание.Пункт 2.5.1 включает технологию встраивания систем щупов в КИМ, определенные в пункте 2.2.6.1"; |
в пункте 3.1:
в пунктах 1 и 2 примечаний слова "или пункте 3.1.1.1.10" заменить словами ", 3.1.1.1.10 или пункте 3.1.1.1.11";
в особом примечании слова "или пунктом 3.1.1.1.10" заменить словами ", 3.1.1.1.10 или пунктом 3.1.1.1.11";
в пункте 3.1.1.1.3 коды ТН ВЭД "8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 901 1; 8542 31 909 2; 8542 31 909 8; 8542 39 909 9";
в пункте 3.1.1.1.4:
в абзаце втором подпункта "а" слова "500 млн." заменить словами "1 млрд.";
коды ТН ВЭД "8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5; 8542 39 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 901 9; 8542 31 909 2; 8542 31 909 8; 8542 39 901 9; 8542 39 909 9";
в пункте 3.1.1.1.6 подпункты "а" и "б" изложить в следующей редакции:
| "а) максимальное количество цифровых несимметричных входов/выходов - 500 или более; илиб) совокупную одностороннюю пиковую скорость передачи данных последовательного приемопередатчика (трансивера) 200 Гбит/с или более"; |
в технических примечаниях:
в пункте 2 слова "бескорпусным кристаллом;" заменить словами "бескорпусным кристаллом.";
дополнить пунктом 3 следующего содержания:
| "3. Совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного приемопередатчика является результатом произведения пиковой скорости передачи данных последовательного одностороннего приемопередатчика на количество приемопередатчиков на программируемой пользователем вентильной матрице (ППВМ);"; |
код ТН ВЭД "8542 39 900 5" заменить кодом ТН ВЭД "8542 39 901 9";
в пункте 3.1.1.1.8 коды ТН ВЭД "8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5; 8542 39 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 901 9; 8542 31 909 2; 8542 31 909 8; 8542 39 901 9; 8542 39 909 9";
в пункте 3.1.1.1.10 коды ТН ВЭД "8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 901 1; 8542 31 909 2; 8542 31 909 8; 8542 39 909 9";
после технического примечания дополнить пунктом 3.1.1.1.11 следующего содержания:
"3.1.1.1.11. | Интегральные схемы цифровых синтезаторов с прямым синтезом частот, имеющие любую из следующих характеристик:а) тактовую частоту цифроаналогового преобразователя (ЦАП) 3,5 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП от 10 бит до 12 бит; илиб) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП 12 бит или более | 8542 39 901 9;8542 39 909 9"; |
| Техническое примечание.Тактовая частота ЦАП может быть определена как задающая тактовая частота или тактовая частота входного сигнала |
пункт 2 примечаний к пункту 3.1.1.1 дополнить абзацем следующего содержания:
| "трехмерные интегральные схемы;"; |
пункт 3.1.1.2 дополнить техническим примечанием следующего содержания:
| "Техническое примечание.Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения могут также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность"; |
в пункте 3.1.1.2.1.1 код ТН ВЭД "8540 79 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8540 79 000 9";
пункты 3.1.1.2.2 - 3.1.1.2.4 изложить в следующей редакции:
"3.1.1.2.2. | Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц включительно;б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; илиз) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц | 8542 31 901 9;8542 33 000;8542 39 901 9;8543 90 000 1 | ||
| Примечания:1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях; | ||||
3.1.1.2.3. | Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) на любой частоте от более2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до31,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно; илид) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 43,5 ГГц | 8541 21 000 0;8541 29 000 0 | ||
| Примечания:1. Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.2. Пункт 3.1.1.2.3 включает бескорпусные интегральные схемы, а также интегральные схемы, смонтированные на плате или в корпусе. Некоторые дискретные транзисторы могут также называться усилителями мощности, но контрольный статус таких дискретных транзисторов определяется пунктом 3.1.1.2.3; | ||||
3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие все следующее: пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие все следующее: пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) на любой частоте от более6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно; пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие любое из следующего: пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; илипиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц; илие) определенные изготовителем для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующее:пиковую выходную мощность в режиме насыщения  (Вт) большую, чем результат от деления величины 400 ( ) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть:  или в единицах размерности  ; относительную ширину полосы частот 5% или более; илюбые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15  на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть:  или в единицах размерности  | 8543 70 900 0"; | ||
Техническое примечание.Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот простирающийся в сторону уменьшения до 2,7 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует применять равным 2,7 ГГц, то есть:  или в единицах размерности  | ||||
| Особое примечание.Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2 | ||||
| Примечания:1. Контрольный статус изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.2. Пункт 3.1.1.2.4 включает приемопередающие и передающие модули; | ||||
в пунктах 3.1.1.2.5 - 3.1.1.2.7 код ТН ВЭД "8543 70 900 9" заменить кодом ТН ВЭД "8543 70 900 0";
в пункте 3.1.1.2.8 коды ТН ВЭД "8540 79 000 0; 8542 31 900 3; 8543 70 900 9" заменить кодами ТН ВЭД "8540 79 000 9; 8542 31 901 9; 8543 70 900 0";
в пункте 3.1.1.2.9:
в абзаце первом слово "разработанные" заменить словом "определенные";
в подпункте "а" слова "для 10 Гц" заменить словами "в любом месте диапазона 10 Гц";
в подпункте "б" слова "для 10 кГц" заменить словами "в любом месте диапазона 10 кГц";
в пункте 3.1.1.2.10:
в подпункте "а" цифры "312" заменить цифрами "156";
в подпункте "б" цифры "3,2" заменить цифрами "4,8";
подпункт "д" изложить в следующей редакции:
| "д) менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 56 ГГц;е) менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 56 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; илиж) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 75 ГГц"; |
в пункте 3.1.1.5.1.2 цифры "250" заменить цифрами "300";
в пункте 3.1.1.5.3 код ТН ВЭД "8505 90 100 0" заменить кодом ТН ВЭД "8505 90 200 0";
в пункте 3.1.1.8 код ТН ВЭД "8504 40 400 0" заменить кодом ТН ВЭД "8504 40 820 8";
из пункта 3.1.2 слова "и принадлежности для нее" исключить;
пункт 3.1.2.1 изложить в следующей редакции:
"3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и осциллографы:"; |
пункты 3.1.2.1.1 - 3.1.2.1.4 исключить;
в пункте 3.1.2.1.5 код ТН ВЭД "8543 70 900 9" заменить кодом ТН ВЭД "8543 70 900 0";
пункт 3.1.2.1.6 изложить в следующей редакции:
"3.1.2.1.6. | Системы записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики, и специально разработанные для них устройства записи цифровых данных:а) скорость передачи данных цифровой аппаратуры 100 млн. проб в секунду при разрешении 8 бит или более; иб) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более | 8471 50 000 0;8471 60;8471 70 200 0;8471 70 300 0;8471 70 500 0;8519 89 900 9;8521 90 000 9;8522 90 490 0;8522 90 800 0"; |
| Техническое примечание.Системы записи данных цифровой аппаратуры могут быть сконфигурированы со встроенным либо не встроенным в устройство записи цифровых данных устройством преобразования в цифровую форму; |
дополнить пунктом 3.1.2.1.7 следующего содержания: