"3.1.2.1.7. | Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие вертикальное среднеквадратичное напряжение шума менее 2% полной шкалы при вертикальной настройке шкалы, обеспечивающей наименьшее значение шума 3 дБ для любого входного сигнала при полосе пропускания 60 ГГц на канал или более | 9030 20"; |
| Примечание.Пункт 3.1.2.1.7 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени; |
в пункте 3.1.2.2:
в пунктах 3.1.2.2.2 и 3.1.2.2.3 слова "70 ГГц" заменить словами "75 ГГц";
пункт 3.1.2.2.4 изложить в следующей редакции:
"3.1.2.2.4. | Анализаторы сигналов, имеющие все следующие характеристики:а) полосу частот в реальном масштабе времени, превышающую 85 МГц; иб) стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон | 9030 20 300 9;9030 32 000 9;9030 39 000 9;9030 84 000 9;9030 89 300 0"; |
дополнить техническими примечаниями следующего содержания:
| "Технические примечания:1. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.2. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность для стопроцентной вероятности обнаружения является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения"; |
в примечании:
цифры "3.1.2.2.2" заменить цифрами "3.1.2.2.4";
слово "динамическим" исключить;
дополнить пунктом 3.1.2.2.5 следующего содержания:
"3.1.2.2.5. | Анализаторы сигналов, имеющие функцию механизма запуска маски частоты (триггера маски частоты) для захвата переходных (случайных) сигналов, имеющие длительность сигнала 15 мкс или менее при стопроцентной вероятности запуска | 9030 20 300 9;9030 32 000 9;9030 39 000 9;9030 84 000 9;9030 89 300 0"; |
в пункте 3.1.2.3:
подпункт "а" и техническое примечание к нему изложить в следующей редакции:
| "а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 75 ГГц, имеющие все следующее:длительность импульса менее 100 не; и отношение уровня генерируемого импульса к уровню просачивающегося сигнала в паузе 65 дБ или более | ||
| Техническое примечание.Для целей абзаца первого подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал от точки на переднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса, до точки на заднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса;"; |
в подпункте "б" слова "31,8 ГГц" и "70 ГГц" заменить соответственно словами "43,5 ГГц" и "75 ГГц";
в подпункте "в":
абзац второй исключить;
в абзаце третьем слова "3,2 ГГц" заменить словами "4,8 ГГц";
в абзаце седьмом слова "70 ГГц" заменить словами "75 ГГц";
подпункт "г" и техническое примечание к нему изложить в следующей редакции:
"г) фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц, как определено всем следующим: меньше (лучше) в любом месте диапазона 10 Гц в любом месте диапазона для  в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; или | |||
| Техническое примечание.В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в МГц"; | |||
в подпункте "д" слова "70 ГГц" заменить словами "75 ГГц";
техническое примечание к пункту 1 примечаний изложить в следующей редакции:
| "Техническое примечание. Максимальная синтезированная частота генератора импульсов произвольной формы или генератора функций определяется путем деления частоты выборки (выборка/с) на коэффициент 2 5"; |
пункт 3.1.2.4 изложить в следующей редакции:
"3.1.2.4. | Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего:а) выходную мощность, превышающую 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 75 ГГц;б) выходную мощность, превышающую 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 75 ГГц, но не превышающего 110 ГГц;в) нелинейный вектор измерения функциональности на частотах выше 50 ГГц, но не превышающих 110 ГГц; или | 9030 40 000 0"; |
| Техническое примечание. Нелинейным вектором измерения функциональности является способность прибора анализировать результаты испытаний устройств, приводящих в область большого сигнала или в диапазон нелинейного искажения | ||
| г) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц; |
в подпункте "а" пункта 3.1.2.5 слова "43,5 ГГц" заменить словами "110 ГГц";
в пункте 3.1.3 код ТН ВЭД "8479 89 970 9" заменить кодом ТН ВЭД "8479 89 970 8";
пункт 3.2.1.1.2 изложить в следующей редакции:
"3.2.1.1.2. | Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот; | 8486 20 900 9"; |
особое примечание исключить;
пункт 3.2.1.2 изложить в следующей редакции:
"3.2.1.2. | Оборудование, разработанное или оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;б) возможность непосредственного формирования рисунка;в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; илиг) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку полупроводникового материала, нагретую до температуры 600°С или более; | 8486 20 900 9"; |
в пункте 3.2.1.3 код ТН ВЭД "8456 90 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8456 90 800 0";
пункты 3.2.1.4 - 3.2.1.4.2 исключить;
в пункте 3.2.1.5:
в подпункте "а" слова ", 3.2.1.3 или 3.2.1.4; и" заменить словами "или 3.2.1.3; и";
код ТН ВЭД "8456 90 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8456 90 800 0";
в пункте 3.2.1.6.1 код ТН ВЭД "8443 39 290 0" заменить кодом ТН ВЭД "8443 39 390 0";
пункт 3.2.1.8 изложить в следующей редакции:
"3.2.1.8. | Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, не определенные в пункте 3.2.1.6 и имеющие любое из следующего:а) выполненные на заготовке подложки шаблона из стекла и определенные производителем как имеющие двойное лучепреломление менее 7 нм/см;б) разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм | 8486 90 900 3"; |
пункт 3.3.1.4 дополнить примечанием следующего содержания:
| "Примечание.Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой P-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой P-типа находится между слоями N-типа"; |
пункт 3.3.2.1 изложить в следующей редакции:
"3.3.2.1. | Резисты, разработанные для полупроводниковой литографии:а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 245 нм;б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нм до 15 нм; | 3824 90 970 9"; |
в пункте 3.3.2.2 код ТН ВЭД "3824 90 980 9" заменить кодом ТН ВЭД "3824 90 970 9";
пункт 3.3.2.3 исключить;