Дата введения 1 июля 2002 г.
Взамен ГОСТ 20859.1-89 в части модулей
1 Область применения
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения (далее - модули), состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов (далее - приборов) на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
- в средах с токопроводящей пылью;
- в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
- во взрывоопасной среде;
- в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули.
Требования разделов 5, 6, 7 настоящего стандарта являются обязательными, требования остальных разделов являются рекомендуемыми.
2 Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ 12.1.004-91 Система стандартов безопасности труда. Пожарная безопасность. Общие требования
ГОСТ 12.2.007.0-75 Система стандартов безопасности труда. Изделия электротехнические. Общие требования безопасности
ГОСТ 20.39.312-85 Комплексная система общих технических требований. Изделия электротехнические. Требования надежности
ГОСТ 20.57.406-81 Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний
ГОСТ 8032-84 Предпочтительные числа и ряды предпочтительных чисел
ГОСТ 14192-96 Маркировка грузов
ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
ГОСТ 15150-69 Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнения для различных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды
ГОСТ 15543.1-89 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к климатическим внешним воздействующим факторам
ГОСТ 17516.1-90 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к механическим внешним воздействующим факторам
ГОСТ 18620-86 Изделия электротехнические. Маркировка
ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 23216-78 Изделия электротехнические. Хранение, транспортирование, временная противокоррозионная защита, упаковка. Общие требования и методы испытаний
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний
ГОСТ 24566-86 Соединители плоские втычные. Основные размеры, технические требования и методы испытаний
ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
ГОСТ 27591-88 Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
СТ СЭВ 1657-79 Приборы полупроводниковые силовые. Охладители воздушных систем охлаждения. Габаритные и присоединительные размеры
3 Определения
В настоящем стандарте применены термины с соответствующими определениями по ГОСТ 15133, ГОСТ 19095; ГОСТ 20003, ГОСТ 20332, ГОСТ 25529, а также, приведенные ниже:
мостовая схема: Двухпутевая схема соединения, содержащая только пары плечей, средние выводы которых являются выводами переменного тока, а наружные выводы с одинаковой полярностью, соединенные вместе, являются выводами постоянного тока;
полупроводниковый модуль (модуль): Совокупность двух или более структур полупроводниковых приборов, средств электрического и механического соединений, а также вспомогательных элементов системы охлаждения, при ее наличии, соединенных между собой по определенной схеме в единую конструкцию, которая с точки зрения функционального назначения, технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации рассматривается как отдельное изделие;
беспотенциальный модуль: Модуль с изолированным (беспотенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля;
потенциальный модуль: Модуль с неизолированным (потенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля и являющимся электрическим (силовым) контактом.
4 Классификация
4.1 Модули подразделяют на виды:
- МП - модуль потенциальный;
- М - модуль беспотенциальный.
4.2 Модули подразделяют в зависимости от вида применяемых силовых полупроводниковых приборов и от вида схемы соединения силовых полупроводниковых приборов. Виды силовых полупроводниковых приборов (далее - приборов) и их обозначения приведены в таблице 1. Виды схем соединения приборов (далее - схем) и их обозначения приведены в таблице 2.
Таблица 1
| Вид прибора | Обозначение прибора |
| Выпрямительный диод (диод) | Д |
| Быстровосстанавливающийся диод | ДЧ |
| Лавинный выпрямительный диод (лавинный диод) | ДЛ |
| Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (тиристор) | Т |
| Тиристор быстродействующий | ТБ |
| Тиристор быстровключающийся | ТИ |
| Тиристор быстровыключающийся | ТЧ |
| Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении (тиристор, проводящий в обратном направлении, или тиристор-диод) | ТОП |
| Симметричный триодный тиристор (триак) | ТС |
| Асимметричный триодный тиристор | ТА |
| Лавинный тиристор | ТЛ |
| Запираемый тиристор | ТЗ |
| Запираемый тиристор асимметричный | ТЗА |
| Запираемый тиристор с обратным диодом | ТЗД |
| Оптронный тиристор | ТО |
| Симметричный оптотиристор (оптотриак) | ТСО |
| Биполярный транзистор | ТК |
| Биполярный составной транзистор (транзистор Дарлингтона) | ТКД |
| Биполярный транзистор с изолированным затвором | ТКИ |
| Полевой транзистор | ТКП |
| Транзистор с электростатической индукцией | СИТ |
Таблица 2
| Вид схемы | Обозначение вида схемы |
| Одиночный полупроводниковый прибор | 1 |
| Два гальванически развязанных полупроводниковых прибора | 2 |
| Два полупроводниковых прибора, включенных последовательно (соответственно) с выводом средней точки | 3 |
| Два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе катодов (коллекторов, истоков) | 4 |
| Два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе анодов (эмиттеров, стоков) | 5 |
| Два полупроводниковых прибора, включенных встречно-параллельно | 6 |
| Три полупроводниковых прибора с общими катодами (коллекторами, истоками) | 7 |
| Три полупроводниковых прибора с общими анодами (эмиттерами, стоками) | 8 |
| Два последовательно включенных тиристора или транзистора, каждый из которых зашунтирован диодом обратного тока | 9 |
| Однофазный мост на диодах | 10 |
| Однофазный мост на диодах и тиристорах | 11 |
| Однофазный мост на управляемых приборах | 12 |
| Трехфазный мост на диодах | 13 |
| Трехфазный мост на диодах и тиристорах | 14 |
| Трехфазный мост на управляемых приборах | 15 |
| Другие виды схем, указанные в технических условиях на модули конкретных типов | 16 - 20 |
4.3 Модули подразделяют на типы по признакам, указанным в 4.1, 4.2 и значениям максимально допустимого тока модуля в соответствии с 5.1.1.1.