Максимально допустимый ток определяется:
- для модулей на основе диодов, тиристоров, оптотиристоров, симметричных тиристоров, симметричных оптотиристоров - максимально допустимым средним прямым током либо максимально допустимым средним током в открытом состоянии, либо максимально допустимым действующим током в открытом состоянии;
- для модулей на основе запираемых тиристоров - максимально допустимым повторяющимся импульсным запираемым током;
- для модулей на основе биполярных транзисторов - максимально допустимым постоянным током коллектора, а для полевых транзисторов - током стока;
- для модулей со схемой однофазных и трехфазных мостов - максимально допустимым средним значением выпрямленного тока;
- для модулей со встречно-параллельной схемой соединения - максимально допустимым эффективным током нагрузки.
4.4 Модули одного типа подразделяют на классы в соответствии с указанным ниже:
- модули на основе диодов - по значениям повторяющегося импульсного обратного напряжения;
- модули на основе тиристоров (в том числе запираемых), непроводящих в обратном направлении, - по значениям повторяющегося импульсного обратного напряжения и повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии;
- модули на основе тиристоров (в том числе запираемых), проводящих в обратном направлении, - по значениям повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии (для симметричных тиристоров - по значениям напряжений для обоих направлений);
- модули на основе биполярных транзисторов - по максимально допустимому напряжению коллектор - эмиттер;
- модули на основе полевых транзисторов - по максимально допустимому напряжению сток - исток.
Классы модулей должны обозначаться цифрами в соответствии с 5.1.1.2.
4.5 Модули одного типа и класса подразделяют на группы по значениям времени обратного восстановления, времени выключения или времени выключения по управляющему электроду, времени включения, критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и критической скорости нарастания коммутационного напряжения в закрытом состоянии, установленным в 5.1.1.3 - 5.1.1.9.
4.6 Модули с одинаковыми параметрами могут подразделяться на модификации в зависимости от конструктивного исполнения. Обозначение модификаций модулей приводят в технических условиях (далее - ТУ) на модули конкретных типов.
4.7 Условное обозначение модулей должно состоять из:
- типа модуля;
- класса модуля;
- группы модуля;
- модификации (при необходимости);
- вида климатического исполнения по ГОСТ 15150.
Структура условного обозначения модуля приведена на рисунке 1.
 | |
| 759 × 772 пикс. Открыть в новом окне | |
Рисунок 1 - Структура условного обозначения модулей
При использовании в модуле приборов двух видов в обозначении вида модуля первым ставят обозначение прибора, присоединяемого к положительному потенциалу цепи, в других случаях первым ставят обозначение прибора, осуществляющего функцию управления. Обозначение приборов разделяют знаком "/" (косая черта).
Примеры условных обозначений модулей:
- силовой полупроводниковый потенциальный модуль, состоящий из тиристоров и диодов, соединенных по схеме "два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе катодов", максимально допустимый ток 80 А, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 600 В, время выключения 63 мкс (группа С3), номер модификации 5, вид климатического исполнения УХЛ2 по ГОСТ 15150:
МПТ/Д4 - 80 - 6 - С3 - 5 УХЛ2
- силовой полупроводниковый беспотенциальный модуль, состоящий из двух биполярных транзисторов Дарлингтона, соединенных по схеме "два полупроводниковых прибора, включенных последовательно (согласно) с выводом средней точки", максимально допустимый ток 40 А, максимально допустимое напряжение коллектор - эмиттер 600 В, время выключения 16 мкс (группа Т3), критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 50 В/мкс (группа Е3), номер модификации 1, вид климатического исполнения Т3 по ГОСТ 15150:
МТКД3 - 40 - 6 - Т3Е3 - 1 Т3
- силовой полупроводниковый беспотенциальный модуль, состоящий из тиристоров и выполненный по однофазной мостовой схеме, максимально допустимый ток 80 А, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 800 В, время выключения 500 мкс (группа Е2 или 1), вид климатического исполнения УХЛ2 по ГОСТ 15150:
М12 - 80 - 8 - 1 - УХЛ2
или М12 - 80 - 8 - Е2 - УХЛ2
При заказе модулей следует указывать обозначение ТУ на модули конкретных типов.
5 Общие технические требования
5.1 Характеристики
5.1.1 Требования назначения
5.1.1.1 Значения максимально допустимых токов модулей выбирают из ряда: 5; 6,3; 10; 12,5; 16; 20; 25; 32; 40; 50; 63; 80; 100 А. Значения токов более 100 А устанавливают умножением значений данного ряда на 10.
5.1.1.2 Значения максимально допустимых напряжений и соответствующие им классы должны соответствовать приведенным в таблице 3.
Таблица 3
| Наименование параметра | Значение для класса | |||||||
| 0,2* | 0,3* | 0,4* | 0,5 | 0,6* | 0,7* | 0,8* | 0,9* | |
| Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии или повторяющееся импульсное обратное напряжение, или максимально допустимое напряжение коллектор - эмиттер, или напряжение сток - исток, В, не менее | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 |
Окончание таблицы 3
| Наименование параметра | Значение для класса | ||||||||||||
| 1 | 1,5** | 2 | 2,5** | 3 | 3,5** | 4 | 5... | 15 | 16 | 18 | 20... | 80 | |
| Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии или повторяющееся импульсное обратное напряжение, или максимально допустимое напряжение коллектор - эмиттер, или напряжение сток - исток, В, не менее | 100 | 150 | 200 | 250 | 300 | 350 | 400 | 500... | 1500 | 1600 | 1800 | 2000... | 8000 |
| * Только для модулей на основе быстровосстанавливающихся диодов.** Устанавливают по согласованию с потребителем. | |||||||||||||
5.1.1.3 Значения времени обратного восстановления для модулей на основе быстровосстанавливающихся диодов и соответствующие им группы должны соответствовать приведенным в таблице 4.
Таблица 4
| Наименование параметра | Значение для группы | ||||||||||
| А4 | В4 | С4 | Е4 | Н4 | К4 | М4 | Р4 | Т4 | Х4 | А5 | |
| - | - | - | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | - | 7 | |
| Время обратного восстановления, мкс, не более | 10* | 8* | 6,3 | 5 | 4 | 3,2 | 2,5 | 2 | 1,6 | 1,25 | 1 |
| Наименование параметра | Значение для группы | ||||||||||
| В5 | С5 | Е5 | Н5 | К5 | М5 | Р5 | Т5 | Х5 | А6 | ||
| - | 8 | - | 9 | - | - | - | - | - | - | ||
| Время обратного восстановления, мкс, не более | 0,8 | 0,63 | 0,5 | 0,4 | 0,32 | 0,25 | 0,2 | 0,16 | 0,125 | 0,1 | |
| Наименование параметра | Значение для группы | ||||||||||
| В6 | С6 | Е6 | Н6 | К6 | М6 | Р6 | Т6 | Х6 | А7 | ||
| - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| Время обратного восстановления, мкс, не более | 0,08 | 0,063 | 0,05 | 0,04 | 0,032 | 0,025 | 0,02 | 0,016 | 0,0125 | 0,01 | |
| * Только для модулей на основе быстровосстанавливающихся диодов 40-го и более классов. | |||||||||||
5.1.1.4 Значения времени выключения для модулей на основе быстровыключающихся и быстродействующих тиристоров и времени выключения по управляющему электроду для запираемых тиристоров, а также соответствующие им группы должны соответствовать приведенным в таблице 5.
Таблица 5
| Наименование параметра | Значение для группы | |||||||||||||
| С3 | Е3 | Н3 | К3 | М3 | Р3 | Т3 | ||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | ||||||||
| Время выключения или время выключения по управляющему электроду, мкс, не более | 63 | 50 | 40 | 32 | 25 | 20 | 16 | |||||||
| Наименование параметра | Значение для группы | |||||||||||||
| Х3 | А4 | В4 | С4 | Е4 | К4 | Р4 | Х4 | В5 | Е5 | |||||
| 8 | - | 9 | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| Время выключения или время выключения по управляющему электроду, мкс, не более | 12,5 | 10 | 8 | 6,3 | 5 | 3,2 | 2 | 1,25 | 0,8 | 0,5 | ||||
5.1.1.5 Значения времени выключения для модулей на основе тиристоров, кроме быстровыключающихся и быстродействующих и запираемых, и соответствующие им группы должны соответствовать приведенным в таблице 6.