НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Дата введения 01.01.2005
Предисловие
Задачи, основные принципы и правила проведения работ по государственной стандартизации в Российской Федерации установлены ГОСТ Р 1.0-92 “Государственная система стандартизации Российской Федерации. Основные положения” и ГОСТ Р 1.2-92 “Государственная система стандартизации Российской Федерации. Порядок разработки государственных стандартов”
Сведения о стандарте
1 РАЗРАБОТАН Открытым акционерным обществом “Российский научно-исследовательский институт “Электронстандарт” с участием Федерального государственного унитарного предприятия “22 Центральный научно-исследовательский испытательный институт Министерства обороны Российской Федерации”
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 “Изделия электронной техники, материалы и оборудование”
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Госстандарта России от 10 марта 2004 г. N 162-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в указателе “Национальные стандарты”, а текст этих изменений - в информационных указателях “Национальные стандарты”. В случае пересмотра или отмены настоящего стандарта соответствующая информация будет опубликована в информационном указателе “Национальные стандарты”
1 Область применения
Настоящий стандарт распространяется на резисты для литографических процессов производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (далее - резисты).
Стандарт применяют при разработке ТУ на резисты конкретных марок (далее -ТУ), а также совместно с ТУ при их приемке и поставке.
2 Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ 2.114-95 Единая система конструкторской документации. Технические условия
ГОСТ 12.1.005-88 Система стандартов безопасности труда. Общие санитарно-гигиенические требования к воздуху рабочей зоны
ГОСТ 12.1.007-76 Система стандартов безопасности труда. Вредные вещества. Классификация и общие требования безопасности
ГОСТ 12.1.014-84 Система стандартов безопасности труда. Воздух рабочей зоны. Метод измерения концентрации вредных веществ индикаторными трубками
ГОСТ 33-2000 Нефтепродукты. Прозрачные и непрозрачные жидкости. Определение кинематической вязкости и расчет динамической вязкости
ГОСТ 3885-73 Реактивы и особо чистые вещества. Правила приемки, отбор проб, фасовка, упаковка, маркировка, транспортирование и хранение
ГОСТ 7376-89 Картон гофрированный. Общие технические условия
ГОСТ 10028-81 Вискозиметры капиллярные стеклянные. Технические условия
ГОСТ 13841-95 Ящики из гофрированного картона для химической продукции. Технические условия
ГОСТ 14192-96 Маркировка грузов
ГОСТ 14870-77 Продукты химические. Методы определения воды
ГОСТ 17622-72 Стекло органическое техническое. Технические условия
ГОСТ 19433-88 Грузы опасные. Классификация и маркировка
ГОСТ 22001-87 Реактивы и особо чистые вещества. Метод атомно-абсорбционной спектрометрии определения примесей химических элементов
ГОСТ 27025-86 Реактивы. Общие указания по проведению испытаний
ГОСТ Р 50766-95 Помещения чистые. Классификация. Методы аттестации. Основные требования
Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов по указателю “Национальные стандарты”, составленному по состоянию на 1 января текущего года, и по соответствующим информационным указателям, опубликованным в текущем году. Если ссылочный документ заменен (изменен), то при пользовании настоящим стандартом следует руководствоваться замененным (измененным) стандартом. Если ссылочный документ отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, применяется в части, не затрагивающей эту ссылку.
3 Термины, определения и сокращения
3.1 В настоящем стандарте применены следующие термины с соответствующими определениями:
3.1.1 резист: Материал, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием определенного излучения и предназначенный для формирования рельефного изображения в процессе литографии.
3.1.2 литография: Совокупность физико-химических процессов формирования в слое резиста под воздействием излучений микроизображения элементов схемы полупроводникового прибора и переноса его на подложку.
3.1.3 фоторезист: Резист, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием света видимого или ультрафиолетового спектра.
3.1.4 электронорезист: Резист, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием ускоренных электронов.
3.1.5 позитивный резист: Резист, у которого под воздействием излучения стойкость к травителям уменьшается.
3.1.6 негативный резист: Резист, у которого под воздействием излучения стойкость к травителям увеличивается.
3.1.7 чувствительность к излучению: Свойство резиста, характеризующее его способность к изменению химических свойств под воздействием излучений.
3.1.8 светочувствительность фоторезиста: Параметр резиста, количественно характеризующий способность к изменению под воздействием актиничного светового потока химических свойств с переходом в нерастворимое (негативный) или растворимое (позитивный) состояние.
3.1.9 актиничный световой поток: Световой поток, вызывающий фотохимические реакции в резисте и изменение растворимости облученных участков.
3.1.10 чувствительность электронорезиста к потоку электронов: Параметр электронорезиста, количественно характеризующий способность к изменению под воздействием ускоренного потока электронов химических свойств с переходом в нерастворимое (негативный) или растворимое (позитивный) состояние.
3.1.11 разрешающая способность: Параметр резиста, количественно характеризующий способность формирования микроизображения элементов рисунка с минимально возможными геометрическими размерами.
3.1.12 устойчивость в проявителе: Параметр резиста, количественно характеризующий его способность противостоять воздействию проявителя.
3.1.13 контраст: Параметр резиста, количественно характеризующий способность получения резко дифференцированной границы между экспонированным и неэкспонированным участками.
| 3.1.14 коэффициент контрастности (гамма-контраст): Градиент прямолинейного участка характеристической кривой. [ГОСТ 2653-80, статья 60] |
| 3.1.15 экспонирование: Воздействие излучения на фотографический материал. [ГОСТ 2653-80, статья 8] |
3.1.16 широта процесса экспонирования: Интервал экспозиции между конечной и начальной точками прямолинейного участка характеристической кривой.