Приложение А
(обязательное)
Обозначение групп модулей в зависимости от значений параметров
Значения параметров устанавливают в соответствии с рядами R10, R10' по ГОСТ 8032.
Группы модулей обозначают сочетанием букв и цифр (буквенно-цифровым кодом), соответствующим определенному значению параметров согласно таблице А.1.
Таблица А.1.
 | |
| 685 × 522 пикс. Открыть в новом окне | |
Примеры обозначения групп модулей:
- для численного значения параметра 500 - Е2
- для численного значения параметра 16 - Т3
- для численного значения параметра 0,0025 - М7
Приложение Б
(рекомендуемое)
Перечень электрических параметров модулей
Параметры модулей выбирают в зависимости от вида применяемых полупроводниковых приборов, устанавливают в ТУ на модули конкретных типов и выбирают из приведенных ниже:
- максимально допустимое напряжение между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (электрическая прочность изоляции);
- тепловое сопротивление переход - среда при работе с рекомендуемым типом охладителя;
- переходное тепловое сопротивление переход - корпус (при работе с рекомендуемым типом охладителя);
- тепловое сопротивление переход - корпус;
- переходное тепловое сопротивление переход - корпус.
Дополнительно для модулей на основе диодов всех видов указывают:
- напряжение пробоя (для модулей на основе лавинных диодов);
- неповторяющееся импульсное обратное напряжение;
- повторяющееся импульсное обратное напряжение;
- импульсное прямое напряжение;
- максимально допустимый средний прямой ток;
- ударный прямой ток;
- повторяющийся импульсный обратный ток;
- время обратного восстановления (для модулей на основе быстровосстанавливающихся диодов);
- ударную обратную рассеиваемую мощность в обратном непроводящем состоянии (для модулей на основе лавинных диодов с контролируемым пробоем).
Дополнительно для модулей на основе тиристоров указывают:
- повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии;
- неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);
- неповторяющееся импульсное обратное напряжение (для модулей на основе тиристоров, не проводящих в обратном направлении);
- обратное напряжение пробоя (только для модулей на основе лавинных тиристоров);
- средний ток в открытом состоянии;
- повторяющийся импульсный обратный ток (для модулей на основе тиристоров, не проводящих в обратном направлении);
- повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);
- импульсное напряжение в открытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);
- импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении);
- ток удержания (кроме модулей на основе симметричных тиристоров);
- ударный ток в открытом состоянии;
- ударный ток в обратном проводящем состоянии (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении);
- критическую скорость нарастания тока в открытом состоянии;
- критическую скорость нарастания коммутационного напряжения (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении, и симметричных тиристоров);
- критическую скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (за исключением модулей на основе симметричных тиристоров);
- отпирающее постоянное напряжение управления;
- отпирающий постоянный ток управления;
- неотпирающее постоянное напряжение управления;
- время включения и задержки (для модулей на основе быстровключающихся, быстродействующих и запираемых тиристоров).