Дополнительно для модулей на основе запираемых тиристоров указывают:
- время выключения по управляющему электроду;
- неповторяющийся импульсный запираемый ток;
- повторяющийся импульсный запираемый ток;
- действующий ток в открытом состоянии;
- обратное импульсное напряжение управления;
- время медленного спада;
- ток медленного спада;
- постоянное обратное напряжение;
- постоянное напряжение в закрытом состоянии;
- ток перегрузки в открытом состоянии;
- прямой импульсный ток управления;
- среднюю рассеиваемую мощность управления;
- импульсную рассеиваемую мощность управления;
- неотпирающий постоянный ток управления;
- запирающее импульсное напряжение управления;
- запирающий импульсный ток управления;
- среднюю рассеиваемую мощность в открытом состоянии;
- скорость нарастания запирающего тока.
Дополнительно для модулей на основе биполярных транзисторов указывают:
- постоянное напряжение коллектор - база;
- постоянное напряжение эмиттер - база;
- предельное напряжение коллектор - эмиттер;
- напряжение насыщения коллектор - эмиттер и база - эмиттер;
- постоянный и импульсный токи базы;
- обратный ток коллектора;
- обратный ток эмиттера;
- обратный ток коллектор - эмиттер при заданных условиях в цепи базы;
- время включения;
- время выключения;
- статический коэффициент передачи тока.
Дополнительно для модулей на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором указывают:
- предельное (пробивное) напряжение коллектор - эмиттер;
- максимальную мощность рассеивания;
- напряжение затвор - эмиттер;
- импульсный ток коллектора;
- пороговое напряжение затвора;
- обратный ток коллектор - эмиттер при короткозамкнутых выводах затвора и эмиттера;
- прямую проводимость (коэффициент передачи);
- емкость полупроводниковую структура - корпус;
- входную емкость;
- выходную емкость;
- емкость обратной связи;
- паразитную индуктивность коллектор - эмиттер;
- время задержки включения;
- время задержки выключения;
- время нарастания тока;
- время спада;
- энергию потерь при запирании.
Дополнительно для модулей на основе полевых транзисторов с электростатической индукцией указывают: