Повторяют определение теплового сопротивления для каждого прибора модуля.
Максимально допустимый ток диодов и тиристоров, входящих в модуль, определяют по формуле
 | |
| 285 × 91 пикс. Открыть в новом окне | |
где 
- максимально допустимая температура перехода;
- максимально допустимая температура перехода;
- температура корпуса;
- тепловое сопротивление переход - корпус;
- параметры вольт-амперной характеристики в открытом состоянии при температуре
. Примечание - Если модуль состоит из нескольких разнородных приборов, то максимально допустимый ток модуля определяют по прибору, имеющему минимальное значение предельного тока.
Модуль считают выдержавшим испытание, если тепловое сопротивление переход - корпус в каждом приборе модуля не превышает значение, установленное в ТУ на модули конкретных типов.
8.3.2 Проверку максимально допустимого постоянного тока коллектор - эмиттер для модулей на основе транзисторов проводят при измерении теплового сопротивления переход - корпус.
Измерение проводят по схеме, приведенной на рисунке 3.
Источники постоянного тока G1 и G4 должны обеспечивать постоянные токи, при которых перегрев перехода относительно корпуса модуля позволяет получить достаточную точность измерения, а рассеиваемая в модуле мощность - не более максимально допустимой 
.
. Регулируемый источник стабилизированного постоянного измерительного тока G2 должен обеспечивать ток, соответствующий установленному в ТУ на модули конкретных типов.
 | |
| 665 × 349 пикс. Открыть в новом окне | |
Регулируемый источник стабилизированного постоянного напряжения G3 должен обеспечивать напряжение, регулируемое до значения не менее обусловленного измерительным током источника G2.
Переключатель S2 должен обеспечивать частоту следования от 1 до 50 Гц и измерение температуры перехода не позднее чем через 1 мс после прекращения подачи тока от источника G4.
Измерение теплового сопротивления проводят следующим образом:
- проводят градуировку модуля, то есть строят градуировочную кривую на основе измерений температурочувствительного параметра при выбранном значении измерительного тока как функции температуры перехода, которая изменяется под действием внешнего источника тепла;
- устанавливают модуль на охладитель;
- устанавливают от источника G2 измерительный ток, равный току при градуировке;
- нагревают модуль до установившегося теплового состояния (установившееся тепловое состояние фиксируют по установлению температуры корпуса);
- измеряют токи коллектора и базы модуля с помощью амперметров РА1 и РА3 и напряжения база - эмиттер, коллектор - эмиттер с помощью вольтметров PV1 и PV3;
- измеряют температуру корпуса . Расположение контрольной точки измерения температуры на корпусе должно быть оговорено в ТУ на модули конкретных типов;
- отключают выключатель S1;
- измеряют значение прямого напряжения база - эмиттер компенсационным методом с помощью источника G3, вольтметра PV2 и осциллографа Р2;
- определяют температуру переходов 
с помощью градуировочной кривой;
с помощью градуировочной кривой; - рассчитывают тепловое сопротивление переход - корпус 
по формуле
по формуле
, (3) где 
- средняя рассеиваемая мощность, рассчитываемая по формуле
- средняя рассеиваемая мощность, рассчитываемая по формуле  | |
| 247 × 48 пикс. Открыть в новом окне | |
где 
- амплитуда импульса тока коллектора при испытании;
- амплитуда импульса тока коллектора при испытании;
- амплитуда импульса тока базы при испытании;
- амплитуда напряжения коллектор - эмиттер при испытании;
- амплитуда напряжения эмиттер - база при испытании;
- температура перехода;
- температура корпуса;
- длительность протекания силового тока;
- длительность измерения температуры перехода. Повторяют определение теплового сопротивления для каждого транзистора модуля.
Модуль считают выдержавшим испытание, если тепловое сопротивление переход - корпус для каждого транзистора модуля соответствует значениям, установленным в ТУ на модули конкретных типов.
8.3.3 Проверку повторяющегося импульсного обратного напряжения модулей на основе диодов, повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии и повторяющегося импульсного обратного напряжения модулей на основе тиристоров проводят при измерении неповторяющегося импульсного обратного напряжения.
Проверку проводят по схеме, приведенной на рисунке 4.
 | |
| 667 × 218 пикс. Открыть в новом окне | |
Источник импульсов напряжения G1 должен обеспечивать напряжение со следующими характеристиками:
- форма - однополупериодная синусоидальная или другая, оговоренная в ТУ на модули конкретных типов;
- амплитуда - максимально допустимое неповторяющееся импульсное напряжение для МД1 или неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии для МT1;
- длительность - от 1 до 10 мс в соответствии с установленной в ТУ на модули конкретных типов;
- количество импульсов - один.
Параметры сигнала, подаваемого на управляющий электрод МТ1, должны быть указаны в ТУ на модули конкретных типов. Для модулей на основе запираемых тиристоров при необходимости может подаваться обратное смещение R1 на управляющий электрод.
Проверку неповторяющегося импульсного обратного напряжения и неповторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии проводят при максимально допустимой температуре перехода следующим образом: