8.7.2 Подготовка к проведению испытания
8.7.2.1 Фоторезист фильтруют методом, указываемым в ТУ.
8.7.2.2 Из партии керамических пластин, прошедших гидромеханическую очистку в соответствии с указываемыми в ТУ требованиями, отбирают три пластины и проводят их термообработку в ИК-печи в режимах, указываемых в ТУ.
После термообработки пластины осматривают в колиминированном свете осветителя при напряжении, указываемом в ТУ, и определяют количество светящихся точек на расстоянии 5 мм и более от края пластины.
Допустимое количество светящихся точек устанавливают в ТУ.
8.7.2.3 На пластинах, прошедших термообработку и контроль в соответствии с 8.7.2.2, формируют пленку фоторезиста способом, устанавливаемым в ТУ, согласно 8.1.6.
8.7.3 Проведение испытания
Каждую пластину с пленкой фоторезиста рассматривают под разными углами зрения в колиминированном свете осветителя при напряжении, устанавливаемом в ТУ, согласно 8.7.2.2.
Подсчитывают все светящиеся точки на пластине на расстоянии 5 мм и более от края пластины.
8.7.4 Обработка результатов
Количество включений
, шт., подсчитывают по формуле


где
- количество светящихся точек на
-й пластине после нанесения пленки фоторезиста, шт.;




8.7.5 Результаты испытания считают положительными, если количество микровключений в пленке фоторезиста соответствует значениям, устанавливаемым в ТУ.
8.8 Контроль толщины пленки
8.8.1 Оптический метод
Метод предназначен для определения толщины пленки резиста на микроинтерферометре.
Метод основан на измерении сдвига интерференционных полос, образующихся при взаимодействии двух световых пучков, один из которых отражается от поверхности пленки алюминия, напыленной на пленку резиста, а другой - от поверхности пленки алюминия, напыленной на подложку.
8.8.1.1 Применяемое оборудование (микроинтерферометр, вакуумный пост), материалы (алюминиевая проволока, вольфрамовая проволока), реактивы указывают в ТУ.
8.8.1.2 На подготовленные в соответствии с 8.1.6 пластины напыляют алюминий согласно руководству по эксплуатации вакуумного поста. Толщину напыленного алюминия указывают в ТУ. В качестве испарителя используют вольфрамовую проволоку.
8.8.1.3 Проведение испытания
В соответствии с инструкцией по эксплуатации микроинтерферометра измеряют толщину пленки резиста
(рисунок 1).


1 - пленка алюминия; 2 - пленка резиста
Рисунок 1
8.8.1.4 Обработка результатов
Толщину пленки резиста
, мкм, вычисляют по формуле


где 0,27 - коэффициент при работе в белом свете, мкм;


8.8.1.5 Результаты испытания считают положительными, если толщина пленки резиста соответствует нормам, устанавливаемым в ТУ.
8.8.2 Профилографический метод
Метод основан на сканировании по исследуемой поверхности алмазной иглой и преобразовании колебаний иглы в изменение напряжения индуктивным методом.
8.8.2.1 Применяемое оборудование (профилограф-профилометр, вакуумированный столик) указывают в ТУ.
8.8.2.2 Подготовка к проведению испытаний
Подготовленную в соответствии с 8.1.6 пластину закрепляют на призме профилографа-профилометра при помощи вакуумированного столика таким образом, чтобы при движении датчика она оставалась неподвижной.
Режим работы профилографа-профилометра (вертикальное увеличение, скорость трассирования датчика, скорость бумаги на записывающем приборе) указывают в ТУ.
8.8.2.3 Проведение испытания
В соответствии с инструкцией по эксплуатации профилографа-профилометра измеряют толщину пленки (высоту ступеньки профилограммы -
, рисунок 2) в трех любых точках на линиях, соединяющих между собой модули фотошаблона-теста.


Рисунок 2
8.8.2.4 Обработка результатов
За результат испытаний принимают среднеарифметическое значение трех параллельных определений, для которых расхождение между наиболее отличающимися значениями не превышает предельно допустимое расхождение, устанавливаемое в ТУ.
Пределы допустимого значения относительной суммарной погрешности метода при доверительной вероятности устанавливают в ТУ.
8.8.2.5 Результаты испытания считают положительными, если толщина пленки соответствует значениям, устанавливаемым в ТУ.
8.9 Контроль контраста проявления пленки резиста
8.9.1 Контроль контраста проявления пленки фоторезиста
8.9.1.1 Применяемые средства измерения, материалы и реактивы указывают в ТУ.