- масса навески испытуемого резиста, г; - массовая доля сухого остатка, %; - толщина поглощающего свет слоя, см. За окончательный результат принимают среднеарифметическое значение двух параллельных определений, абсолютное расхождение между которыми не должно превышать 0,5%.
8.11.5 Результаты испытания считают положительными, если массовая доля НХД-групп соответствует требованиям ТУ.
8.12 Контроль массовой доли микропримесей металлов
Массовую долю микропримесей металлов в резисте определяют по ГОСТ 22001 с дополнениями и уточнениями, приводимыми в ТУ.
Результаты считают положительными, если массовая доля микропримесей металлов соответствует нормам, устанавливаемым в ТУ.
8.13 Контроль микронеровностей пленки резиста
8.13.1 Метод основан на измерении расстояния между впадинами и выпуклостями на поверхности пленки фоторезиста.
8.13.2 Применяемое оборудование (профилограф-профилометр), материалы и реактивы указывают в ТУ.
8.13.3 Подготовка к проведению испытаний
Подготовленную согласно 8.1.6 пластину помещают на предметный столик профилографа-профилометра.
Режим работы профилографа-профилометра (вертикальное увеличение, скорость трассирования датчика, скорость движения бумаги на записывающем приборе) указывают в ТУ.
8.13.4 Проведение испытания
8.13.4.1 Иглу датчика помещают на поверхность пластины с пленкой фоторезиста и включают движение датчика в направлении, перпендикулярном к радиусу пластины, проходящему через выбранную точку.
Расстояние от края пластины до иглы должно составлять 5 мм.
5 мм. Игла датчика должна пройти путь не менее 0,5 мм. Конкретное значение устанавливают в ТУ.
8.13.4.2 В соответствии с инструкцией по эксплуатации профилографа-профилометра записывают профилограмму микрорельефа поверхности пленки фоторезиста.
На каждой пластине делают по два измерения в выбранных точках.
Микронеровность поверхности пленки фоторезиста оценивают по максимальному вертикальному отклонению профилограммы от отрезка прямой, соединяющей две соседние впадины (рисунок 3).
Рисунок 3
8.13.5 Обработка результатов
8.13.5.1 Микронеровность пленки фоторезиста , нм, вычисляют по формуле
, нм, вычисляют по формуле , (11) где - вертикальное отклонение профилограммы от прямой, мм;
- вертикальное отклонение профилограммы от прямой, мм; - вертикальное увеличение. За результат испытания принимают среднеарифметическое значение всех измерений.
8.13.5.2 Результаты испытаний считают положительными, если микронеровность пленки фоторезиста соответствует значению, устанавливаемому в ТУ.
8.14 Контроль спектральной чувствительности пленки фоторезиста
8.14.1 Метод контроля спектральной чувствительности пленки фоторезиста устанавливают в ТУ.
8.14.2 Результаты испытания считают положительными, если спектральная чувствительность соответствует устанавливаемой в ТУ.
8.15 Контроль чувствительности к актиничному световому потоку и гамма-контраста пленки фоторезиста
8.15.1 Применяемое оборудование (установку экспонирования, микроинтерферометр, сушильный шкаф, дозиметр), средства измерения (секундомер, термометр), материалы и реактивы указывают в ТУ.
8.15.2 Подготовка к проведению испытания
В качестве подложки используют пластины из оптического стекла с нанесенной на них пленкой фоторезиста. Марку материала пластин, их количество и способ формирования пленки указывают в ТУ.
8.15.3 Проведение испытания
Одну пластину используют для определения исходной толщины пленки фоторезиста. Пленку фоторезиста прорезают острием скальпеля по диаметру и измеряют исходную толщину пленки - в центре пластины на микроинтерферометре, руководствуясь инструкцией по эксплуатации.
в центре пластины на микроинтерферометре, руководствуясь инструкцией по эксплуатации. Пластины с пленкой фоторезиста экспонируют полностью при энергетической освещенности, указываемой в ТУ, причем дозу экспонирования для каждой последующей пластины увеличивают на значение, равное значению дозы экспонирования предыдущей пластины.
Дозу экспонирования для каждой -й пластины, мДж/см , вычисляют по формуле
для каждой -й пластины, мДж/см , вычисляют по формуле , (12) где - энергетическая освещенность, мВт/см ;
- энергетическая освещенность, мВт/см ; - время экспонирования -й пластины, с. Пластину с проэкспонированной пленкой проявляют, промывают в дистиллированной воде и сушат. Состав проявителя, время проявления, промывания и условия сушки указывают в ТУ.
В результате выдержки в проявителе происходит частичное растворение экспонированной пленки фоторезиста.
Измерение толщины экспонированной пленки фоторезиста после выдержки в проявителе оценивают методом измерения толщин или методом измерения оптической плотности пленок.
8.15.3.1 Метод измерения толщин
На каждой -й пластине пленку фоторезиста прорезают острием скальпеля по диаметру. Остаточную толщину пленки (мкм) измеряют в центре пластины на микроинтерферометре, руководствуясь инструкцией по эксплуатации. Результаты определения остаточной толщины пленки представляют в виде таблицы 6.
-й пластине пленку фоторезиста прорезают острием скальпеля по диаметру. Остаточную толщину пленки (мкм) измеряют в центре пластины на микроинтерферометре, руководствуясь инструкцией по эксплуатации. Результаты определения остаточной толщины пленки представляют в виде таблицы 6. Таблица 6 - Остаточная толщина пленки фоторезиста в зависимости от дозы экспонирования