ГОСТ Р 52250-2004 Материалы электронной техники. Резисты для литографических процессов. Общие технические условия стр. 13

Номер пластины Доза экспонирования , мДж/см Остаточная толщина пленки, мкм
1
2
….. …… ……
8.15.3.2 Метод измерения оптической плотности
Для каждой -й пластины измеряют оптическую плотность пленки фоторезиста после экспонирования, а затем после выдержки в проявителе.
Измерение оптической плотности проводят при длине волны, указываемой в ТУ, на спектрометре, руководствуясь инструкцией по эксплуатации.
В качестве эталона сравнения используют чистую пластину.
Результаты определения оптической плотности пленки представляют в виде таблицы 7.
Таблица 7 - Оптическая плотность пленки фоторезиста в зависимости от дозы экспонирования
Номер пластины Доза экспонирования , мДж/см Оптическая плотность
1
2
…. ……… …………
Для каждой -й пластины вычисляют значение остаточной толщины пленки , мкм, по формуле
, (13)
где - исходная толщина пленки, мкм;
- оптическая плотность, измеренная для -й пластины после выдержки в проявителе;
- оптическая плотность, измеренная для -й пластины после экспонирования дозой, равной .
8.15.4 Обработка результатов
Для обработки используют только те результаты определения остаточной толщины, для которых значения находятся в диапазоне от 0,1 до ( - 0,1) мкм.
Для обработки должно быть использовано не менее шести результатов определения .
Вычисляют коэффициенты и модели зависимости
. (14)
Коэффициент , мкм, вычисляют по формуле
244 × 99 пикс.     Открыть в новом окне
. (15)
Коэффициент , мкм·см /мДж, вычисляют по формуле
219 × 99 пикс.     Открыть в новом окне
, (16)
где - доза экспонирования -й пластины, мДж/см ;
- остаточная толщина пленки для -й пластины, мкм;
- число пластин, взятых для расчета.
Остаточную дисперсию модели Д вычисляют по формуле
Д
332 × 48 пикс.     Открыть в новом окне
. (17)
Остаточная дисперсия не должна превышать предельно допустимого значения, равного 0,00414.
Если значение остаточной дисперсии превышает предельно допустимое значение, испытания повторяют (при проведении испытаний допущена грубая ошибка).
Светочувствительность пленки фоторезиста , мДж/см , вычисляют по формуле
, (18)
где и - коэффициенты, вычисленные по формулам (15) и (16) соответственно.
Гамма-контраст вычисляют по формуле
, (19)
где - коэффициент, вычисленный по формуле (15), мкм;
- исходная толщина пленки фоторезиста, мкм.
8.15.5 Результаты испытаний считают положительными, если гамма-контраст пленки фоторезиста соответствует устанавливаемому в ТУ.

8.16 Контроль разрешающей способности пленки резиста

8.16.1 Контроль разрешающей способности пленки фоторезиста
Разрешающую способность (минимальную ширину воспроизводимого элемента) определяют путем получения контактным способом изображения фотошаблона-теста, контролируя геометрическую форму и размеры элементов.
8.16.1.1 Применяемое оборудование (установку экспонирования, сушильный шкаф, микроскоп), средства измерений, материалы и реактивы устанавливают в ТУ.
8.16.1.2 Подготовка к испытанию
Подготовленные согласно 8.1.6 пластины экспонируют через фотошаблон-тест согласно инструкции по эксплуатации установки экспонирования.
Оптимальное значение экспозиции, время проявления и сушки пластин устанавливают в ТУ.
8.16.1.3 Проведение испытания
На полученном изображении фотошаблона-теста с помощью микроскопа при увеличении, указываемом в ТУ, рассматривают указываемый в ТУ модуль. В поле зрения микроскопа вводят группу из трех прямоугольников (“вилку”) фрагмента, указываемого в ТУ, находящуюся в столбце, соответствующем отклонению от номинального значения, указанного в паспорте на фотошаблон-тест, и в строке, номер которой соответствует значению минимальной ширины воспроизводимого элемента, указанного в ТУ на конкретный резист.
Контроль выполнения размеров проводят в соответствии с технологической инструкцией на фотошаблон-тест.
8.16.1.4 Результаты испытания считают положительными, если форма и размеры элементов соответствуют устанавливаемым в ТУ.
8.16.2 Контроль разрешающей способности пленки электронорезиста
8.16.2.1 Контроль разрешающей способности пленки электронорезиста проводят методом, устанавливаемым в ТУ.